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最新专利技术
  • 一种锂硫电池正极材料及其制备方法和锂硫电池
    一种锂硫电池正极材料及其制备方法和锂硫电池_溧阳天目先导电池材料科技有限公司_202311809568.3
    本发明实施例涉及一种锂硫电池正极材料及其制备方法和锂硫电池。将钴盐和锡盐按照所需摩尔比溶于去离子水中，超声后得到混合溶液，向所述混合溶液中加入表面活性剂和碳材料，继续超声得第一悬浮液；向所述第一悬浮液中滴加碱溶液，搅拌得到第二悬浮液；将所述...
    2025-08-02
  • 硅碳材料及其制备方法、负极材料、负极极片及电池
    硅碳材料及其制备方法、负极材料、负极极片及电池_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311805679.7
    本发明提出了硅碳材料及其制备方法、负极材料、负极极片及电池，所述硅碳材料包括多个一次颗粒以及粘接所述一次颗粒的导电聚合物，所述一次颗粒包括多孔碳基材以及沉积在所述多孔碳基材孔内和表面的纳米硅，所述多孔碳基材的粒径Dv97满足：Dv97≤1μ...
    2025-08-02
  • 一种金属氟化物异质结颗粒及其制备方法和在锂离子电池中的应用
    一种金属氟化物异质结颗粒及其制备方法和在锂离子电池中的应用_中国科学院上海硅酸盐研究所_202311794384.4
    本发明涉及一种金属氟化物异质结颗粒及其制备方法和在锂离子电池中的应用。所述金属氟化物异质结颗粒的制备方法包括：(1)在深度共熔溶剂中加入金属氯盐、辅助金属氯盐和氟化剂，然后在50～70℃下反应6～12小时，得到沉淀物；(2)所得将沉淀物经洗...
    2025-08-02
  • 三维柔性自支撑碳布-镍-二硫化三镍纳米多孔网络锂离子电池负极及其制备方法
    三维柔性自支撑碳布-镍-二硫化三镍纳米多孔网络锂离子电池负极及其制备方法_四川大学_202311791771.2
    本发明提供了一种三维柔性自支撑碳布‑镍‑二硫化三镍纳米多孔网络锂离子电池负极及其制备方法，由碳布、金属镍层、二硫化三镍组成，金属镍层是电沉积在碳布表面包裹形成的集流层，金属镍层将碳布包裹，二硫化三镍在镍层包裹的碳布表面形成具有多孔网络结构的...
    2025-08-02
  • 三维柱阵列型纳米多孔SnS锂离子电池负极及其制备方法
    三维柱阵列型纳米多孔SnS锂离子电池负极及其制备方法_四川大学_202311791764.2
    本发明提供了一种三维柱阵列型纳米多孔SnS锂离子电池负极，该负极是由垂直方向均匀生长于金属基底表面的具有三维多孔结构的纳米柱阵列组成，所述金属基底主要为铜箔、镍片、泡沫铜、泡沫镍中的一种；纳米柱由外层和内核组成，外层为硫化亚锡，内核为铜镍合...
    2025-08-02
  • 负极极片及其制备方法、锂离子电池、电池包、电子设备
    负极极片及其制备方法、锂离子电池、电池包、电子设备_广东小天才科技有限公司_202311798223.2
    本发明涉及电池负极领域，公开了一种负极极片及其制备方法、锂离子电池、电池包、电子设备。该负极极片包括：柱状集流体、交替包覆于所述柱状集流体外表面的活性材料层、包覆层，其中，所述柱状集流体外表面包覆的第一层为所述活性材料层，所述活性材料层与所...
    2025-08-02
  • 三维中空锥阵列型纳米多孔三氧化二镍-氧化镍一体化锂离子电池负极及制备方法
    三维中空锥阵列型纳米多孔三氧化二镍-氧化镍一体化锂离子电池负极及制备方法_四川大学_202311791786.9
    本发明提供了一种三维中空锥阵列型纳米多孔三氧化二镍‑氧化镍一体化锂离子电池负极及其制备方法，该电极由垂直方向生长于金属基底表面的具有三维中空结构的纳米多孔锥阵列组成，所述金属基底主要为泡沫镍、泡沫铜、铜片、镍片中的一种；锥阵列由具有中空纳米...
    2025-08-02
  • 一种负极极片、制备方法及其应用
    一种负极极片、制备方法及其应用_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311790619.2
    本发明涉及一种高倍率，超低温低温环境可使用的电池负极极片及其制备方法，涉及二次电池技术领域。负极极片包括负极集流体、涂覆在负极集流体上面的第一涂覆层和第二涂覆层，所述第一涂覆层包含负极活性物质、导电剂、悬浮剂、水性苯丙胶粘剂；所述第二涂覆层...
    2025-08-02
  • 复合型三元锂离子电池正极材料及其制备方法
    复合型三元锂离子电池正极材料及其制备方法_青岛乾运高科新材料股份有限公司_202311790604.6
    本发明属于锂电池材料技术领域，具体涉及复合型三元锂离子电池正极材料及其制备方法。包括如下步骤：（1）将镍源和锰源与溶剂混合得到溶液一，将钴源和溶剂混合得到溶液二，用液碱调节pH值为11~13，用氨水调节氨浓度为13~14g/L，加热，反应后...
    2025-08-02
  • 离子注入机注入角度的校验方法
    离子注入机注入角度的校验方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311802274.8
    一种离子注入机注入角度的校验方法，包括：提供承托基片；在承托基片上形成若干反射区域；提供光学组件；基于反射区域和光学组件设置预设旋转角度；由离子注入机的靶台带动承托基片旋转；获取承托基片旋转预设旋转角度过程中光学组件产生的第一信号和第二信号...
    2025-08-02
  • 一种离子注入制程的监控方法
    一种离子注入制程的监控方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311801962.2
    本发明涉及半导体制造领域，提供了一种离子注入制程的监控方法，包括：S1：提供控片晶圆；S2：在所述控片晶圆上形成光阻图案，所述光阻图案暴露空白图形单元；S3：将离子注入到所述空白图形单元中；S4：除去所述控片晶圆上的所述光阻图案；S5：量测...
    2025-08-02
  • 半导体结构及其制作方法、存储器
    半导体结构及其制作方法、存储器_长江存储科技有限责任公司_202311798745.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器。其中，半导体结构包括半导体层；位于半导体层中的辅助结构；半导体层包括第一类材料，辅助结构包括第二类材料，第二类材料的硬度大于第一类材料的硬度。
    2025-08-02
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_北京字跳网络技术有限公司_202311795251.9
    本公开实施例提供一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括封装主体以及补强结构。封装主体包括芯片，且具有在第一方向上彼此相对的前侧和背侧以及连接所述前侧和所述背侧的侧壁，其中所述封装主体的设置有所述芯片的一侧为所述封装主体的所述前侧。补强结...
    2025-08-02
  • 半导体结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备
    半导体结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311802666.4
    本发明公开了一种半导体结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备。形成方法包括：S1，提供一基片，包含介质层和位于介质层上方的掩膜层，掩膜层设有开口图形；S2，垂直刻蚀开口下方的介质层至设定时间；S3，横向刻蚀掩膜层，以扩大掩膜层的关键尺...
    2025-08-02
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311806354.0
    本发明提供一种半导体器件及其形成方法，通过在PMOS区域的栅极结构上形成应力介质层，然后执行掺杂工艺在所述应力介质层中掺杂氮离子以形成掺杂应力介质层，掺杂应力介质层内的氮离子与氢结合使掺杂应力介质层内的氢处于非活性状态，因此，掺杂应力介质层...
    2025-08-02
  • 调节静电吸盘的顶针升降速度的装置和方法、静电吸盘、半导体处理设备及其取片方法
    调节静电吸盘的顶针升降速度的装置和方法、静电吸盘、半导体处理设备及其取片方法_格科半导体(上海)有限公司_202311803340.3
    本发明公开了一种调节静电吸盘的顶针升降速度的装置和方法、静电吸盘、半导体处理设备及其取片方法，静电吸盘的顶针通过气缸驱动，包括：管路，与气缸的活塞一侧连通；第一单向节流阀和第二单向节流阀，均包括自由流向和控制流向，设于管路上；进气经过第一单...
    2025-08-02
  • 一种真空卡盘及半导体处理装置
    一种真空卡盘及半导体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311802461.6
    本发明提供了一种真空卡盘及半导体处理设备，属于半导体处理设备领域，为了解决不同工艺条件下，在基座上固定基片的力度调整，本发明的技术方案主要包括：基座，其上表面用于承载基片，且基座的上表面具有凹槽；和位于所述基座内部的抽气管路，抽气管路的上端...
    2025-08-02
  • 半导体料管传送装置的传送结构及半导体料管传送装置
    半导体料管传送装置的传送结构及半导体料管传送装置_华润赛美科微电子(深圳)有限公司_202311805134.6
    本申请提供一种半导体料管传送装置的传送结构及半导体料管传送装置。半导体料管包括管体及封堵塞；封堵塞部分通过管体的端部进入所述管体，部分露出管体。传送结构包括本体部及两个辅助部。本体部包括底板及位于底板同一侧的至少两个限位板，相邻两个限位板间...
    2025-08-02
  • 半导体结构的料盒
    半导体结构的料盒_华润润安科技(重庆)有限公司_202311803879.9
    本申请提供一种半导体结构的料盒。半导体结构的料盒包括料盒本体、多个限位板及调节结构。料盒本体具有容纳腔；容纳腔包括相对的第一侧面和第二侧面。多个限位板位于容纳腔内，多个限位板包括靠近第一侧面设置的多个第一限位板及靠近第二侧面设置的第二限位板...
    2025-08-02
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_无锡华润安盛科技有限公司_202311809652.5
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括提供引线框架，引线框架具有相互背离的第一表面和第二表面，引线框架包括基岛、间隔设于基岛至少一侧的第一引脚、间隔设于基岛至少一侧的键合部以及连接于键合部背离基岛一侧的第二引脚；采用...
    2025-08-02
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