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最新专利技术
  • 驱动控制电路、LED驱动控制系统及方法
    驱动控制电路、LED驱动控制系统及方法_华润微集成电路(无锡)有限公司_202311808601.0
    本发明提供一种驱动控制电路、LED驱动控制系统及方法，包括：迟滞电压产生模块，用于产生迟滞电压上限和迟滞电压下限，迟滞电压上限以第一预设电压为平均值周期性变化，迟滞电压下限为第二预设电压或以第二预设电压为平均值周期性变化；迟滞电压上限与迟滞...
    2025-07-27
  • 电路板组件和电子设备
    电路板组件和电子设备_华为技术有限公司_202311797692.2
    本申请提供了一种电路板组件和电子设备，通过采用金属材料的芯片插座将电路板产生的热量传导至散热器，实现了电路板的散热，进而提高了电路板的通流能力。电路板组件可以包括芯片、第一散热器、芯片插座和电路板。芯片可以与第一散热器连接，芯片和第一散热器...
    2025-07-27
  • 具有固定结构的电子装置
    具有固定结构的电子装置_苏州三星电子电脑有限公司_202311788649.X
    本发明公开了一种具有固定结构的电子装置，包括第一壳体、与所述的第一壳体相互扣合的第二壳体，所述的第一壳体和第二壳体之间通过第一固定单元和第二固定单元相互固定，所述的第一固定单元可拆卸地紧固到第二壳体，所述的第二固定单元被配置为当所述的第一固...
    2025-07-27
  • 电子装置保护盖
    电子装置保护盖_神基科技股份有限公司_202311798610.6
    一种电子装置保护盖用以保护一电子装置。此电子装置保护盖包含有一第一保护壳体、一第二保护壳体、一枢轴以及一可旋转手带模块。枢轴连接于第一保护壳体以及第二保护壳体之间，而可旋转手带模块可旋转地安装于第二保护壳体之上。
    2025-07-27
  • 液冷系统
    液冷系统_北京字跳网络技术有限公司_202311798886.4
    本公开的实施例提供了一种液冷系统，包括：供液管和回液管，供液管适于连接至机柜的进液端，回液管适于连接至机柜的出液端；换热器，包括第一端口和第二端口，并且被配置为对经由第一端口接收的冷却液进行降温，并经由第二端口输出流向供液管的经降温的冷却液...
    2025-07-27
  • 后盖组件、壳体组件及电子设备
    后盖组件、壳体组件及电子设备_北京小米移动软件有限公司_202311800005.8
    本发明公开了一种后盖组件、壳体组件及电子设备。其中后盖组件包括：非金属后盖和金属件。所述金属件设置于所述非金属后盖，所述金属件构成散热件和天线中的至少一者。本发明的后盖组件具有良好的导热性能和散热性能，能够避免对讲机长时间充电和长时间通话时...
    2025-07-27
  • 液冷系统
    液冷系统_北京字跳网络技术有限公司_202311800013.2
    本公开的实施例提供了一种液冷系统，包括：第一负压腔，能够接收从机柜返回的冷却液，第一负压腔上设置有第一负压控制管路，第一负压控制管路能够将第一负压腔内的压力调节为低于大气压力；以及容错控制腔，经由第一连接管路连接至第一负压腔，容错控制腔上设...
    2025-07-27
  • 冷却装置和电子设备
    冷却装置和电子设备_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202311806902.X
    本发明公开一种冷却装置和电子设备，所公开的冷却装置包括循环密封管路、第一磁性组件和第二磁性组件，其中：所述第一磁性组件包括第一磁性件，所述第一磁性件转动地设于所述循环密封管路的内腔内，所述第二磁性组件设于所述循环密封管路的外部，所述第二磁性...
    2025-07-27
  • 一种GM制冷机用电磁屏蔽装置及超导磁体磁悬浮列车
    一种GM制冷机用电磁屏蔽装置及超导磁体磁悬浮列车_中国航天科工飞航技术研究院(中国航天海鹰机电技术研究院)_202311790100.4
    本申请实施例提供一种GM制冷机用电磁屏蔽装置及超导磁体磁悬浮列车，其中电磁屏蔽装置与GM制冷机配合使用，所述电磁屏蔽装置包括内屏蔽组件和套设于所述内屏蔽组件外壁上的外屏蔽组件，所述内屏蔽组件与所述外屏蔽组件相连接；所述内屏蔽组件为坡莫合金材...
    2025-07-27
  • 存储器及其制备方法、电子设备
    存储器及其制备方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202311810441.3
    本公开涉及一种存储器及其制备方法、电子设备。该存储器包括：公共位线、位线和单元阵列。公共位线沿平行衬底的第一方向延伸。位线位于公共位线的第一侧，沿平行衬底的第二方向延伸。单元阵列包括对应于位线的多个单元，所述多个单元位于位线的同一侧且在第二...
    2025-07-27
  • 一种存储器、制备方法和电子设备
    一种存储器、制备方法和电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202311811646.3
    本公开提供了一种存储器、制备方法和电子设备；其中，存储器包括：第一衬底，包括多个存储区域以及环绕多个存储区域的虚设区域；其中，多个存储区域阵列排布且彼此间隔；第一衬底中设置有多个有源区，多个有源区遍布多个存储区域和虚设区域；多个有源区均沿第...
    2025-07-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202311811827.6
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：多个阵列排布的垂直晶体管，垂直晶体管包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；多条沿第二方向延伸的位线，每条位线位于沿第二方向排布的多个第一掺杂区远离沟道区的一侧，...
    2025-07-27
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202311814945.2
    本公开提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决良率和可靠性较低的技术问题。该半导体结构包括相键合的阵列芯片和控制芯片，阵列芯片包括字线、位线、第一连接垫、第二连接垫、第一连接结构和第二连接结构。第一连接结构连接位线与第一连接垫，第二...
    2025-07-27
  • 半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备
    半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备_华为技术有限公司_202311797329.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备，能够大幅度改善第一导电层和第二导电层的线宽效应，进而减小半导体器件的开关延时。半导体器件可以包括衬底、栅极和有源区。栅极与衬底沿第一方向层叠设置，有源区位于衬底的第一衬底区域。半导体器...
    2025-07-27
  • 一种SiC IGBT器件及其制备方法
    一种SiC IGBT器件及其制备方法_华润微电子(重庆)有限公司_202311800852.4
    本发明提供一种SiC IGBT器件及其制备方法，在器件的正面结构中引入了异质结多晶硅，该异质结多晶硅与半导体层的交界处构成多晶硅‑SiC异质结，由于两者的禁带宽度较大，因此在SiC一侧，能带向下弯曲形成较大的势垒，向下弯曲的势垒抑制空穴通过...
    2025-07-27
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311798023.7
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；外延结构，位于衬底一侧；外延结构中设置有二维电子气；栅极电极结构，包括栅极电极和栅极供电电极，存在栅极电极与栅极供电电极独立设置；第一奇模电阻，包括第一电阻电极和第二电阻电极，...
    2025-07-27
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_华为技术有限公司_202311818028.1
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：衬底；有源层，设置于该衬底上，该有源层包括第一沟道部和第二沟道部；栅极，设置于该衬底上，且包括第一栅极和第二栅极，该第一栅极和该第二栅极在该衬底上的垂直投影，分别与该第一沟道部、...
    2025-07-27
  • 一种太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备以及检测方法
    一种太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备以及检测方法_衢州纤纳新能源科技有限公司_202311802579.9
    本发明涉及一种太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备以及检测方法，太阳能薄膜电池划线绝缘性检测设备包括传送平台、升降装置、检测装置、检测起点传感器和检测终点传感器，检测装置包括固定座、滑座、导电接触探针组件和绝缘性测试仪器，固定座设置在升降气缸的...
    2025-07-27
  • 一种金属电极的激光制备方法及其应用，太阳能电池
    一种金属电极的激光制备方法及其应用，太阳能电池_株洲三一硅能技术有限公司_202311803385.0
    本发明涉及制备金属电极的技术领域，提供了一种金属电极激光制备方法及其应用，太阳能电池。该金属电极的激光制备方法包括以下步骤：(1)将基板浸入金属盐溶液中，所述金属盐溶液呈透明状或半透明状，所述金属盐溶液深度在毫米到厘米级；(2)对所述金属盐...
    2025-07-27
  • 发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备
    发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311801372.X
    本发明公开了一种发光二极管的外延结构的形成方法及其形成的外延结构、可读存储介质、半导体处理设备。该形成方法包括：提供一基片，所述基片包含依次堆栈设置在衬底上的n型外延层、量子阱层；在量子阱层上循环进行多个生长周期制备电子阻挡层；每个生长周期...
    2025-07-27
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