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最新专利技术
  • 一种用于IGBT模块的陶瓷歧管微通道散热装置
    一种用于IGBT模块的陶瓷歧管微通道散热装置_重庆理工大学_202512011059.1
    本申请提供了一种用于IGBT模块的陶瓷歧管微通道散热装置，该散热装置包括：陶瓷基板，陶瓷基板上开设有散热通道，用于承载IGBT模块，并通过散热通道对冷却介质进行扩散，盖板，与陶瓷基本密封连接并形成密封空间，盖板上设置有用于供冷却介质流入密封...
    2026-04-14
  • 功率模块散热模组
    功率模块散热模组_苏州汇川联合动力系统股份有限公司_202511793536.8
    本申请提供一种功率模块散热模组，通过将芯片设置在集成散热器式金属基板的表面或者嵌入在集成散热器式金属基板内，然后在芯片及集成散热器式金属基板形成的组合体的上方压合第一绝缘层和第一导电层，以对芯片进行封装，然后在第一绝缘层和第一导电层贯穿设置...
    2026-04-14
  • 功率组件、功率变换设备及制造方法
    功率组件、功率变换设备及制造方法_阳光电源股份有限公司_202510864078.6
    本申请公开了一种功率组件、功率变换设备及制造方法，属于电力电子设备技术领域，本申请的功率组件，包括：基板，包括相背分布的第一表面和第二表面，第一表面设置有焊料，基板具有容纳腔，容纳腔用于填充相变介质；功率模块，设置于焊料上；第一加强结构，至...
    2026-04-14
  • 可独立装配无源元件的集成电路封装及其制造方法
    可独立装配无源元件的集成电路封装及其制造方法_立锜科技股份有限公司_202510118974.8
    本发明提供一种可独立装配无源元件的集成电路封装及其制造方法。该可独立装配无源元件的集成电路封装包含：集成电路，用以安装于电路板上；以及散热结构，其独立制造且具有：第一层平板，配置于集成电路之上，并与集成电路热接触；及空腔，位于第一层平板的一...
    2026-04-14
  • 一种散热装置
    一种散热装置_华为技术有限公司_202411345307.5
    本申请涉及散热技术领域，提供了一种散热装置，该散热装置包括承载组件、第一发热器件和刚性的冷管，第一发热器件固定于承载组件、并凸出于承载组件的表面；冷管位于第一发热器件与承载组件相背的一侧；冷管包括两个第一管段以及连接于两个第一管段之间的第二...
    2026-04-14
  • 一种使用夹铜丝锡片焊接散热器的功率模块及其制备方法
    一种使用夹铜丝锡片焊接散热器的功率模块及其制备方法_斯达半导体股份有限公司_202511647429.4
    本发明提供一种使用夹铜丝锡片焊接散热器的功率模块及其制备方法，涉及半导体功率模块技术领域，包括塑封单体模块，塑封单体模块的陶瓷基板的正面设有多个半导体芯片；散热器，散热器的正面与陶瓷基板的背面通过夹铜丝锡片焊接。有益效果是铜丝在焊片熔化焊料...
    2026-04-14
  • 一种芯片封装结构及制备方法
    一种芯片封装结构及制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202512015523.4
    本申请公开了一种芯片封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，包括：提供具有第一表面和第二表面的转接板，转接板还包括转接电路；第一表面包括第一焊盘和第二焊盘；第一焊盘与转接电路电连接；将第二表面与载板临时键合固定；在第一表面上固定芯片，芯...
    2026-04-14
  • 一种直接冷却无基板功率模块的制造方法
    一种直接冷却无基板功率模块的制造方法_临沂大学_202511954170.8
    本发明提供一种直接冷却无基板功率模块的制造方法，属于功率模块制造技术领域，本发明通过在铜基冷却板内部加工矩阵式流道结构并进行亲水性改性处理，在银烧结过程中采用超声波发射器扫描界面并根据声学共振频谱特征值实时调整烧结压力和烧结温度，通过本征正...
    2026-04-14
  • 电熔丝结构及其制备方法
    电熔丝结构及其制备方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511909389.6
    本发明提供一种电熔丝结构及其制备方法，通过在熔丝区域非长度方向两端位置的多晶硅层中形成盲凹槽并填充阻挡层，有效解决了现有技术中电熔丝结构烧调良率低、烧调位置不固定及烧调过程中热量过高可能导致结构破坏的问题。该结构设计能够减小熔丝区域多晶硅层...
    2026-04-14
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610245463.7
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一介质层，所述第一介质层中设置有导电层；第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层中具有第一导电结构，所述第一导电结构与所述第一介质层中的导电层电连接；以及第三介质层，位于所述...
    2026-04-14
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿海精密工业股份有限公司_202411332604.6
    一种半导体元件的制造方法包括执行第一图案化工艺，以形成第一沟槽于基材结构中，其中基材结构包括基材与位于基材上方的化合物半导体层，且第一沟槽通过化合物半导体层并暴露基材。制造方法还包括形成电容结构于第一沟槽中，其中形成电容结构包括形成第一金属...
    2026-04-14
  • 封装体以及电子设备
    封装体以及电子设备_南通尚阳通集成电路有限公司_202511896190.4
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种封装体以及电子设备，该封装体包括：承载部、第一芯片、第二芯片、第一夹片和互连结构，承载部包括基岛和多个引脚；第一芯片安装在基岛上且设有第一表面以及第二表面，第一芯片包括形成在第一表面上的第一电极以及形成在...
    2026-04-14
  • 半导体器件制备方法及半导体器件
    半导体器件制备方法及半导体器件_海光信息技术股份有限公司_202511958279.9
    本发明提供一种半导体器件制备方法，所述方法包括：在晶圆上形成第一结构；在所述第一结构上沉积第一膜层，其中，所述第一膜层在净空区上方位置形成有凹陷；在所述第一膜层上沉积光刻胶；通过定制光罩，对位于净空区上方的光刻胶或者其余部分的光刻胶进行选择...
    2026-04-14
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511867902.X
    一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底；形成覆盖半导体衬底的层间介质层，并在层间介质层中形成通孔；在通孔的内表面形成自愈合层，自愈合层包括多孔层以及填充在多孔层的孔隙中的合金；在通孔中填充金属层，以形成金属互连结构，所述...
    2026-04-14
  • 半导体元件以及形成馈通穿孔的方法
    半导体元件以及形成馈通穿孔的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511767486.6
    本揭露描述了一种半导体元件以及形成馈通穿孔的方法。于基材上形成纵向馈通穿孔的方法包含：暴露基材的前侧上的微动区中的半导体鳍片的部位。移除半导体鳍片的经暴露的部位以创建第一沟槽。以至少一介电材料填充第一沟槽以形成介电沟槽。蚀刻介电沟槽至中间深...
    2026-04-14
  • 一种针对选择性原子层的修复工艺
    一种针对选择性原子层的修复工艺_上海晶准电子科技有限公司_202511757270.1
    本发明提供一种针对选择性原子层的修复工艺。所述修复工艺为：将半导体结构置于ALD反应腔体中，首先通入第一前驱体在金属互连线表面进行选择性吸附，再通入第二种前驱体与吸附于金属互连线表面的第一前驱体反应，重复选择性吸附和反应步骤，得到金属原子层...
    2026-04-14
  • 一种N面刻蚀工艺快速改善大尺寸氮化镓衬底弯曲和翘曲度的方法
    一种N面刻蚀工艺快速改善大尺寸氮化镓衬底弯曲和翘曲度的方法_山东大学_202511602297.3
    本发明属于半导体晶体加工技术领域，涉及一种通过N面刻蚀工艺快速改善大尺寸氮化镓衬底弯曲和翘曲度的方法。所述方法包括以下步骤：使用大粒径金刚石研磨液对GaN晶体进行粗磨找平减薄；使用小粒径金刚石研磨液对GaN衬底进行Ga面和N面研磨，降低表面...
    2026-04-14
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_成都高真科技有限公司_202511481923.8
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，半导体器件的制备方法包括：提供第一待刻蚀膜层；在第一待刻蚀膜层的一侧形成图案化的掩膜结构，掩膜结构开设有开口部，开口部暴露第一待刻蚀膜层，掩膜结构包括位于背离第一待刻蚀膜层的一侧的顶面；在掩...
    2026-04-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610227349.1
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有氧化层；于氧化层上形成叠层的牺牲层及图案化的光刻胶层，并对牺牲层进行图形化处理，以暴露部分氧化层；进行第一次离子注入工艺，于所暴露的所述氧化层下方的所述衬底内注入离子；去除所...
    2026-04-14
  • 形成图案化结构的方法
    形成图案化结构的方法_南亚科技股份有限公司_202411581936.8
    本发明提供形成图案化结构的方法，包括以下操作。图案化在目标层上的光阻剂层以形成第一开口在图案化光阻剂层中。形成定向自组装层在图案化光阻剂层上及在第一开口中，其中定向自组装层中的定向自组装材料通过被图案化光阻剂层的极性度吸引而分离成在图案化光...
    2026-04-14
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