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最新专利技术
  • 存储控制器、存储系统和电子设备
    存储控制器、存储系统和电子设备_珠海格力电器股份有限公司_202511674981.2
    本申请提供了一种存储控制器、存储系统和电子设备，属于电子设备技术领域。存储控制器包括：错误定位单元、数据处理单元和纠错单元，错误定位单元与处理器、存储器和数据处理单元连接，处理器输出第一读指令，从存储器中读取第一数据进行错误字节定位，若存在...
    2026-05-07
  • 存储设备、存储设备的数据处理方法
    存储设备、存储设备的数据处理方法_慧忆微电子(上海)有限公司_202411329324.X
    本申请公开了一种存储设备，包括：存储块；控制器，与所述存储块连接；其中，所述控制器用于：从所述存储块中读取原始数据；计算所述原始数据的征状权重值；基于所述征状权重值，对所述存储块执行数据操作，以完成对所述存储块的背景扫描。本申请还公开了存储...
    2026-05-07
  • 用于DRAM测试的电气时序与协议分析方法及系统
    用于DRAM测试的电气时序与协议分析方法及系统_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202610182799.3
    本发明提供了一种用于DRAM测试的电气时序与协议分析方法及系统，属于半导体芯片测试技术领域。该方法包括：通过可配置的时钟延时链或相位插值器生成与被测DRAM接口信号同频的多个等相位采样时钟；通过多个等相位采样时钟对接口信号进行分时采样以在一...
    2026-05-07
  • 移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路、显示面板
    移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202411329024.1
    本公开涉及一种移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路、显示面板，移位寄存器单元包括第一输入电路，其控制端连接第一时钟信号，其输入端连接触发信号，其输出端连接第一节点；第二输入电路，用于根据第一时钟信号和触发信号将第一恒压信号或第一时钟信号...
    2026-05-07
  • 存储器系统及其操作方法、可读存储介质
    存储器系统及其操作方法、可读存储介质_长江存储科技有限责任公司_202511665333.0
    本公开实施例公开了一种存储器系统及其操作方法以及可读存储介质，所述存储器系统包括：存储器装置，所述存储装置包括多个存储块，每个所述存储块包括多条字线以及耦接于所述多条字线上的多个存储单元；存储器控制器，与所述存储装置耦合，且被配置为：利用第...
    2026-05-07
  • 存储器设备、包括存储器设备的存储器系统和操作存储器设备的方法
    存储器设备、包括存储器设备的存储器系统和操作存储器设备的方法_爱思开海力士有限公司_202510893674.7
    本公开提供了存储器设备、包括存储器设备的存储器系统和操作存储器设备的方法。一种存储器设备可以包括：连接到多个字线的存储器块；电压生成器，其被配置为在读取操作和读取重试操作期间生成要被施加到被选择的字线的读取电压；以及控制逻辑，其被配置为控制...
    2026-05-07
  • 控制电路、基于QSPI的非易失性存储模块写入方法及芯片
    控制电路、基于QSPI的非易失性存储模块写入方法及芯片_杭州朔天科技有限公司_202511898993.3
    本申请涉及存储技术领域，尤其是提供一种控制电路、基于QSPI的非易失性存储模块写入方法及芯片，控制电路包括：控制模块、非易失性存储模块和AHB模块，控制模块包括QSPI控制器、MUX模块、CTRL模块、REG模块、以及BIU模块；QSPI控...
    2026-05-07
  • 基于忆阻器的三值可重构逻辑电路
    基于忆阻器的三值可重构逻辑电路_西南大学_202511936706.3
    一种基于忆阻器的三值可重构逻辑电路，属于存内计算技术领域，具体电路包括第一忆阻器和第二忆阻器，所述第一忆阻器的顶端为X端，所述第二忆阻器的顶端为Y端，所述第一忆阻器和第二忆阻器的底端并接在一起为Z端；所述第一忆阻器和第二忆阻器的阻态包括高阻...
    2026-05-07
  • 存储器的操作方法及存储器
    存储器的操作方法及存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511780647.5
    本申请公开了存储器的操作方法及存储器，所述存储器包括呈阵列分布的多个存储单元，所述方法包括：对所述多个存储单元中的目标存储单元，施加与目标存储状态相对应的写入脉冲；响应于所述写入脉冲施加结束，对所述目标存储单元施加反向消除脉冲，所述反向消除...
    2026-05-07
  • 电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程
    电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程_威比特纳米有限公司_202511345746.0
    电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程。一种对电阻式随机存取存储器(MEM)的存储器元件(Stck)部分的高电阻状态进行编程的方法(100)，该方法(100)包括：写入存储器元件(Stck)的高电阻状态的初始步骤(S110)；以及在写入高...
    2026-05-07
  • 存储器装置、存储器控制电路以及读取方法
    存储器装置、存储器控制电路以及读取方法_瑞昱半导体股份有限公司_202411321611.6
    本发明提供一种存储器装置包括一存储器单元阵列以及一存储器控制电路。存储器单元阵列耦接多条位线以及多条互补位线。存储器控制电路包括一驱动电路、一跟踪电路以及一感测电路。驱动电路用于传送一字线信号至存储器单元阵列且包括一辅助电路。跟踪电路用于依...
    2026-05-07
  • 半导体集成电路
    半导体集成电路_株式会社东芝_202511031486.X
    本发明的实施方式提供一种能够在使用电荷共享来控制电位电平的半导体集成电路中抑制读出电流的偏差的半导体集成电路。实施方式的半导体集成电路使用电荷共享来控制电位电平，其中，使用在多个电路块与全局电路块之间通过所述电荷共享而被进行了控制的电位电平...
    2026-05-07
  • 嵌入式存储器中面积和功率有效的部分字特征
    嵌入式存储器中面积和功率有效的部分字特征_意法半导体国际公司_202511342093.0
    本公开涉及嵌入式存储器中面积和功率有效的部分字特征。一种具有增强的灵活性和功率有效的静态随机存取存储器(SRAM)装置包括具有不同位宽的两个存储器核心和接收部分字信号的控制部分。该信号允许独立控制每个存储器核心，有选择地启用或禁用它们。该S...
    2026-05-07
  • 半导体设备
    半导体设备_三星电子株式会社_202511354576.2
    一种半导体设备包括连接到字线、位线和板线的存储器单元组，每个存储器单元组包括第一和第二开关元件以及连接到第一开关元件并包括铁电层的电容器，第二开关元件连接在第一开关元件和电容器之间的第一节点和供应预定电压的第二节点之间。在存储器单元组中的每...
    2026-05-07
  • 存储阵列及存内计算方法
    存储阵列及存内计算方法_青岛海存微电子有限公司_202511891447.7
    本申请实施例提供一种存储阵列及存内计算方法，存储阵列包括：多列存储单元，每列存储单元中包括输入单元、中间结果单元和输出单元；输入单元用于存储存内计算的输入数据，中间结果单元用于存储对输入数据进行计算得到的中间结果数据，输出单元用于存储对输入...
    2026-05-07
  • 一种存储器及其访问控制方法、电子设备
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411337486.8
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备，存储器包括：在衬底上沿平行于衬底方向分布的多个存储阵列、多个第一字线选通子电路、多条第一字线选通控制线；存储阵列包括多层存储单元阵列和多条公共字线，存储单元阵列包括多条平行延伸的字线，公共字线连接至少一...
    2026-05-07
  • 具有非放电读取的非易失性存储器
    具有非放电读取的非易失性存储器_桑迪士克科技股份有限公司_202510464160.X
    一种非易失性存储装置在针对同一裸片的一个或多个块的一个或多个区中的非易失性存储器单元执行读取过程时将多个块中的多个区的未选择的字线连续地维持在一个或多个过驱动电压并且将多个块中的多个区的未选择的选择线连续地维持在一个或多个未选择的电压，而不...
    2026-05-07
  • 记忆体电路及其操作方法
    记忆体电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510886979.5
    一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路可包含以下中的至少一者：第一记忆体分区、第一局部输入/输出(I/O)电路、第二记忆体分区、第二局部I/O电路、全域I/O电路、第一局部闩锁电路及第二局部闩锁电路。第一记忆体分区可包括第一记忆体阵列。第二...
    2026-05-07
  • 存储器及其中的读取电路
    存储器及其中的读取电路_兆易创新科技集团股份有限公司_202411339523.9
    本公开涉及一种用于存储器的读取电路，其包括：感测模块，包括第一电容、第二电容和放电开关，其中所述第一电容的上极板耦接到所述放电开关的第一端，所述第二电容的上极板耦接到所述放电开关的第二端，所述感测模块被配置为在感测过程中将所述第一电容的上极...
    2026-05-07
  • 存储器、读取方法及电子设备
    存储器、读取方法及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411338123.6
    本申请提供一种存储器、读取方法及电子设备，包括与存储单元连接的第一位线、第二位线和感应放大器，第一位线上施加读取电压时存储单元通过第二位线输出读取电流；感应放大器的第一输入端接收第二位线上的读取电流，第二输入端接收参考电流，基于读取电流和参...
    2026-05-07
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