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最新专利技术
  • 一种功率器件封装装置
    一种功率器件封装装置_广东力宏微电子有限公司_202512029164.8
    本发明提供一种功率器件封装装置，涉及功率器件技术领域，包括功率器件体和功率器件封装盖，所述功率器件封装盖固定安装在功率器件体的侧端部，所述功率器件体上设有便于功率器件体内部结构进行定点散热的散热机构，所述散热机构包括电路板、固定衬板、安装基...
    2026-03-16
  • 一种具有高效综合散热性能的氧化镓大功率器件及其制作方法
    一种具有高效综合散热性能的氧化镓大功率器件及其制作方法_福州大学_202511780515.2
    本发明提出了一种具有高效综合散热性能的氧化镓大功率器件及其制作方法。本发明通过进行衬底减薄，减小热量流过衬底时的热阻，同时结构更紧凑，减小了封装体积。并使用双面封装结构，芯片阳极和阴极使用焊料同时与基板连接，提供了器件上下两侧的高导热路径，...
    2026-03-16
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511512732.3
    一种封装结构及其形成方法，封装结构包含封装基板、半导体模组、复合热界面材料(TIM)层、封装盖基板以及反应性界面层，其中半导体模组位于封装基板上，复合热界面材料层包含在聚合物基质中的液态金属、且位于半导体模组上，封装盖位于复合热界面材料层上...
    2026-03-16
  • 功率模块
    功率模块_珠海格力电子元器件有限公司_202511800543.6
    本发明提出一种功率模块，功率模块包括封装体，设置有相对的第一面与第二面；第一散热板，设置于封装体的第一面；第二散热板，设置于封装体的第二面；按预定电气连接关系设置的若干功率芯片，功率芯片包括上桥臂芯片与下桥臂芯片；上桥臂芯片倒装设置于第一散...
    2026-03-16
  • 一种散热基板的制备方法及制备得到的散热基板
    一种散热基板的制备方法及制备得到的散热基板_腾辉电子(苏州)有限公司_202511771259.0
    本申请涉及一种散热基板的制备方法及制备得到的散热基板。其中使用的片状氮化硼是片状薄片结构，片状氮化硼粉体与环氧树脂、固化剂和引发剂进行混合后，在烘烤过程中，通过加热使得树脂粘度降低、布朗运动使氮化硼旋转、界面能最小化驱动氮化硼选择朝向同一方...
    2026-03-16
  • 高导电及散热芯片及其制造方法
    高导电及散热芯片及其制造方法_华立捷科技股份有限公司_202411180374.6
    本申请提供一种高导电及散热芯片及其制造方法。高导电及散热芯片的制造方法包括：提供具有第一表面与相对的第二表面的基板，在基板上开设至少具有一弧形的沟槽，并且于至少一的沟槽内填入散热材料。如此能提升基板的散热的效果，保护基板结构及延长基板的使用...
    2026-03-16
  • 制造半导体装置的方法以及半导体装置
    制造半导体装置的方法以及半导体装置_南亚科技股份有限公司_202511863569.5
    一种制造半导体装置的方法，包括：在基板上方设置位元线；在位元线上方和侧方设置第一绝缘层；在第一绝缘层上方和侧方设置定向自组装(DSA)材料层；在位元线、第一绝缘层和定向自组装材料层上方以及在定向自组装材料层侧方设置第二绝缘层；执行相分离操作...
    2026-03-16
  • 半导体装置结构及其形成方法
    半导体装置结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511580407.0
    一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含设置在基板上方的互连结构、设置在互连结构上方的第一介电层、以及设置在第一介电层上的第二介电层。第二介电层包括具有大于约20的k值及小于约5eV的带隙的介电材料。半导体装置结构还包含设置在第二...
    2026-03-16
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510209688.2
    本发明提供一种能够抑制产生缺陷的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备：布线层，包含多个布线；及柱状电极，与所述布线一体设置，从所述布线的底部在与所述布线层大致垂直的方向上延伸；且所述布线具有在与所述布线层大致垂直的方向上交替积层的导电膜及...
    2026-03-16
  • 一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法
    一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610131782.5
    本发明涉及一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法，包括：提供半导体芯片，所述芯片制作有功能结构及第一小孔；将所述芯片减薄到预设厚度或刻蚀阻挡层；将所述芯片背面涂胶，与芯片正面已有功能结构及对准结构对准、曝光、显影；从所述芯片背面刻蚀...
    2026-03-16
  • 一种TGV结构及其制备方法、电气封装结构
    一种TGV结构及其制备方法、电气封装结构_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511879527.0
    本发明提供了一种TGV结构及其制备方法、电气封装结构，涉及TGV技术领域。由于种子层位于玻璃基板和载片之间，通孔暴露出的种子层的部分表面作为有效的电镀起始区域，该电镀起始区域位于通孔的底部，因此在电镀过程中金属只能从通孔底部向上的方向进行沉...
    2026-03-16
  • 铝互连结构的形成方法
    铝互连结构的形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746031.6
    本申请公开了一种铝互连结构的形成方法，包括：在介质层中形成凹槽，该凹槽的宽度小于30纳米，介质层形成于衬底上方，该衬底用于形成半导体器件；在介质层和凹槽的表面形成阻挡层；通过至少两次沉积循环形成铝金属层填充凹槽；进行平坦化处理，去除凹槽外的...
    2026-03-16
  • 一种防止桥面凹陷的长距离空气桥及其制备方法
    一种防止桥面凹陷的长距离空气桥及其制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202511733044.X
    本发明涉及一种防止桥面凹陷的长距离空气桥及其制备方法，包括将GaAs层和InGaP层交替设置多次形成第一层至第N层，第N层的下方设置有AlxGa1‑×As层；在第一层上沉积第一光阻层，并进行曝光/显影，蚀刻第一层，形成第一台面；对第二层进行...
    2026-03-16
  • 用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法
    用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511905779.6
    本发明公开了一种用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：提供一衬底并在所述衬底上形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；在所述第一浅沟槽和第二浅沟槽中淀积形成第二氧化层；在所述第一浅沟槽的中部刻蚀形成穿过第二氧化层并伸入衬底...
    2026-03-16
  • 一种基于直边为标准的晶圆矫正方法、应用
    一种基于直边为标准的晶圆矫正方法、应用_广东长信精密设备有限公司_202511502533.4
    本发明属于芯片加工领域，公开了一种基于直边为标准的晶圆矫正方法、应用，所述基于直边为标准的晶圆矫正方法，包括：步骤1，将晶圆粗胚放置于晶圆矫正装置上，输入晶圆粗胚的参数；步骤2，将晶圆粗胚旋转一圈，初步定位晶圆的圆心位、大边位和小边位；步骤...
    2026-03-16
  • 用于形成半导体器件的方法
    用于形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511498985.X
    本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔件中...
    2026-03-16
  • 一种TBC电池的硅片表面洁净度检测及主动干预纠偏装置
    一种TBC电池的硅片表面洁净度检测及主动干预纠偏装置_安徽旭合新能源科技有限公司_202511961256.3
    本发明公开了一种TBC电池的硅片表面洁净度检测及主动干预纠偏装置，包括滚轮组件，还包括：框架，其悬设在滚轮组件上方，其上设置有光源；检测模块，其设置在框架上，且以对应硅片四边的方式对称设置有四组；滚轮组件包括磁悬浮辊轴，毛细滚轮与滚筒；中央...
    2026-03-16
  • 一种硅通孔缺陷检测方法及系统
    一种硅通孔缺陷检测方法及系统_上海新微技术研发中心有限公司_202511871631.5
    本发明提供了一种硅通孔缺陷检测方法及系统，涉及硅通孔缺陷检测领域。本发明中先获取由光源照射硅通孔晶圆后在光学接收部形成的光斑图像，再提取光斑图像的光斑特征，生成清晰度指标，之后，在清晰度指标低于目标指标阈值时，根据清晰度指标调整光源和/或用...
    2026-03-16
  • 一种4H-SiC单晶晶圆层错类型检测方法及系统
    一种4H-SiC单晶晶圆层错类型检测方法及系统_山东中晶芯源半导体科技有限公司_202511858700.9
    本申请公开了一种4H‑SiC单晶晶圆层错类型检测方法及系统，方法包括采用激光器照射待测4H‑SiC单晶晶圆的待测面；基于CCD阵列相机获取待测面经激光器照射后的多个荧光图像；多个荧光图像分别由搭载不同波长通滤波片的CCD相机获取；将多个荧光...
    2026-03-16
  • 检测设备及基片状态的检测方法
    检测设备及基片状态的检测方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511850870.2
    本申请公开了检测设备及其基片状态检测方法。检测设备包括载具和光电传感器。载具用于承载基片。光电传感器配置为能够根据其检测路径是否被遮挡输出相应的检测信息；载具相对传感器沿着第一方向移动。方法包括：控制载具沿着预设路径相对光电传感器移动；获取...
    2026-03-16
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