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最新专利技术
  • 发光二极管
    发光二极管_厦门三安光电有限公司_202511662961.3
    本申请公开的发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口；第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所...
    2026-03-19
  • 垂直结构Micro-LED芯片及其制备方法
    垂直结构Micro-LED芯片及其制备方法_武汉市精微科技有限公司_202511730606.5
    本申请提供了一种垂直结构Micro‑LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该垂直结构Micro‑LED芯片包括导电衬底、金属键合层、外延结构、量子点结构和钝化层，导电衬底、金属键合层和外延结构依次层叠，外延结构包括沿远离金属键...
    2026-03-19
  • 一种垂直型深紫外LED外延结构及其外延生长方法
    一种垂直型深紫外LED外延结构及其外延生长方法_武汉优炜芯科技有限公司_202511602585.9
    本发明提供了一种垂直型深紫外LED外延结构及其制备方法，包括自下而上依次层叠设置的衬底、本征层、牺牲层、第一电子注入层、刻蚀阻挡层、第二电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层和空穴注入层；其中，刻蚀阻挡层为n型掺杂的AlGaN材料或n型掺杂的...
    2026-03-19
  • 发光二极管芯片及制备方法
    发光二极管芯片及制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511523509.9
    本公开提供了一种发光二极管芯片及制备方法，所述发光二极管芯片包括N型层、多量子阱层、插入层、电子阻挡层以及P型层；其中，所述插入层包括依次层叠的多个周期结构，每个周期结构包括AlN子层和MgN子层。本公开可以提高发光二极管芯片的发光效率，从...
    2026-03-19
  • 一种提升发光效率的LED制备方法
    一种提升发光效率的LED制备方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511975262.4
    本发明适用于半导体技术领域，提供了一种提升发光效率的LED制备方法，依次包括蓝宝石衬底脱附处理、缓冲层生长、非掺杂GaN层生长、掺杂Si的N型GaN层生长、C掺杂GaN层生长、孔状图形制作、Fe和C共掺杂GaN层生长、多量子阱发光层生长、掺...
    2026-03-19
  • 一种应用于LED器件的铝基板集成制造方法
    一种应用于LED器件的铝基板集成制造方法_江西创炬电子科技有限公司_202511855530.9
    本发明涉及印刷电路板制造技术领域，尤其涉及一种应用于LED器件的铝基板集成制造方法，包括：步骤1：铝基板预处理步骤；步骤2：绝缘层形成步骤；步骤3：电路层形成步骤；步骤4：LED器件集成步骤；步骤5：后处理步骤，进行热老化处理，热老化温度和...
    2026-03-19
  • 基于动态热特征分析的LED倒装芯片封装测试分选系统
    基于动态热特征分析的LED倒装芯片封装测试分选系统_江苏欧密格光电科技股份有限公司_202511846254.X
    本发明公开了一种基于动态热特征分析的LED倒装芯片封装测试分选系统，其特征在于，包括：传送机构，用于承载并传送LED器件；测试工位，设置在所述传送机构的路径上，包括测试探针、光学测试模块以及红外热像模块；控制与分选系统，分别与所述测试探针、...
    2026-03-19
  • 一种提高LED外延质量的衬底处理方法
    一种提高LED外延质量的衬底处理方法_山东省工业技术研究院_202511731987.9
    本发明属于光电技术领域，提供一种提高LED外延质量的衬底处理方法。通过优化PVD(物理气相沉积)工艺进程，在蓝宝石表面进行多层次外延，形成Al2NO/AlN/AlGaN复合结构，进一步提高PVD层缓冲作用，从而降低缺陷密度，实现外延层质量的...
    2026-03-19
  • 发光二极管及其制造方法
    发光二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411725352.3
    本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包含一基板、一反射镜层、一外延复合层及多个导电栓。其中反射镜层设置于基板上，外延复合层具有一四元化合物半导体层，四元化合物半导体层直接接触并电性连接反射镜层，且四元化合物半导体层与反射镜层间无...
    2026-03-19
  • 太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610155756.6
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件，其中，该太阳能电池包括：硅基底，硅基底包括第一表面，在第一表面，沿第一方向间隔排布多个沟槽，沟槽沿第二方向延伸，第一方向和第二方向相互交叉；多个微结构，位于沟槽的...
    2026-03-19
  • 背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统
    背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511948273.3
    本发明公开了一种背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统，涉及太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括设于硅基底背光面的第一区域、第二区域和隔离区，第一区域和第二区域上分别覆盖有第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层与硅基底的导电类型相反；第一区域...
    2026-03-19
  • 一种锗硅光电探测器
    一种锗硅光电探测器_重庆大学_202511855686.7
    本发明涉及光电子半导体器件，尤其涉及一种锗硅光电探测器，包括硅基底；设于硅基底上的二氧化硅层；设于二氧化硅层上的硅波导；设于波导上的锗吸收层；设于锗吸收层上的氮化钛TiN加热电阻以及电极系统。通过局部温控提升锗材料在工作波长处的光吸收系数；...
    2026-03-19
  • 探测器像元结构及其制备方法
    探测器像元结构及其制备方法_比亚迪股份有限公司_202511504113.X
    本申请提供了一种探测器像元结构及其制备方法，涉及探测器像元结构技术领域。探测器像元结构包括衬底、支撑复合层和光复合层，支撑复合层包括层叠的第一导电层和第二导电层，以及设置于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层，第一导电层连接并电导通衬底和...
    2026-03-19
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411801268.5
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中，光电二极管包含衬底、光作用区域、滤波层及遮光侧壁。其中，光作用区域设置在衬底上。滤波层覆盖在光作用区域上，选择性地仅允许特定波长的光线通过而被光作用区域接收并对应地产生电信号。遮光侧壁完全地覆盖滤...
    2026-03-19
  • 一种双层荧光型太阳能集光器
    一种双层荧光型太阳能集光器_南京邮电大学_202610156513.4
    本发明属于光学元件技术领域，具体公开了一种双层荧光型太阳能集光器。该集光器包括荧光层、无损波导层、设置在荧光层与无损波导层之间的不对称光传输纳米结构层以及无损波导层底部的反射底面。本发明利用不对称光传输纳米结构层促进荧光光子向无损波导层传输...
    2026-03-19
  • 一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件
    一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610166241.6
    本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底，硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。其中，沿第一方向，交叠区堆叠设置有隧穿介质层、第一掺杂层、第一钝化...
    2026-03-19
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610101941.7
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，在第一隧穿层中掺杂有第三主族元素，第二隧穿层中掺杂有第三主族元素和第五主族元素，第二隧穿层中的第五主族元素的掺杂浓度为第二隧穿层中的第三主族元素的掺杂浓...
    2026-03-19
  • 钝化接触太阳能电池及其制备方法
    钝化接触太阳能电池及其制备方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511478683.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钝化接触太阳能电池及其制备方法。所提供的钝化接触太阳能电池，包括：N型单晶硅片，在第一方向上，N型单晶硅片的两侧表面均设为绒面；在N型单晶硅片的一侧设有凸台；第一方向上，N型单晶硅片的绒面表面上设有...
    2026-03-19
  • 背接触光伏组件、背接触光伏组件的制备方法和制造设备
    背接触光伏组件、背接触光伏组件的制备方法和制造设备_晶科能源(海宁)有限公司_202610151859.5
    本申请属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触光伏组件、背接触光伏组件的制备方法和制造设备，能够消除传统高温焊接工艺带来的电池片翘曲问题，背接触光伏组件，包括：背板，包括基板、设于所述基板的上表面的粘结层、设于所述粘结层上的导电层，所述导...
    2026-03-19
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202512061705.5
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，由于背接触电池上设有第一防断栅线和第二防断栅线，在相邻的第一防断栅线和第二防断栅线之间具有一个由第一焊接部构成的第一焊接结构以及一个由第二焊接部构成的第...
    2026-03-19
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