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最新专利技术
  • 背接触太阳能电池和光伏组件
    背接触太阳能电池和光伏组件_隆基乐叶光伏科技(西咸新区)有限公司_202511621212.6
    本申请公开了一种背接触太阳能电池和光伏组件，背接触太阳能电池包括：半导体基底，半导体基底的第一表面包括：沿第一方向间隔且交替设置的第一区域和第二区域；多个侧面包括与第一方向平行的至少一个第一侧面；第一掺杂层，设于第一区域上；第二掺杂层，设于...
    2026-03-16
  • 一种半导体集成电路基本单元及其形成方法、布局
    一种半导体集成电路基本单元及其形成方法、布局_北京知识产权运营管理有限公司_202411123972.X
    本申请提供一种半导体集成电路基本单元及其形成方法和布局，所述基本单元包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向；所述第一区域的半导体衬底上形成有沿x方向延伸的若干第一鳍片，所述第二区域...
    2026-03-16
  • 一种Micro-LED显示面板及其制备方法
    一种Micro-LED显示面板及其制备方法_友达光电(昆山)有限公司_202511686201.6
    一种Micro‑LED显示面板及制备方法，具有基板及阵列排布于基板上的多个像素单元，每一像素单元包含驱动用薄膜晶体管，各薄膜晶体管包含半导体层、第一绝缘层、第一图案化金属层、层间介质层及第二图案化金属层；半导体层位于基板上包含多个晶粒；第一...
    2026-03-16
  • 显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置
    显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202511131630.7
    本申请涉及显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置。显示装置包括：衬底，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；第一晶体管，设置在衬底外围区域中并且包括具有第一沟道区的第一有源层以及第一栅电极；第一绝缘层，设置在第一晶体管上；第一...
    2026-03-16
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411164981.3
    本发明提供一种电子装置，包含：衬底，具有主动区；多条扫描线，设置在衬底上且沿第一方向延伸；多条数据线，设置在衬底上且沿第二方向延伸，其中，扫描线与数据线交错形成多个画素，画素呈阵列形式排列且设置在主动区中；多个第一电晶体，分别对应于主动区的...
    2026-03-16
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202411141652.7
    本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括：衬底、位于衬底上的第一网状结构和第二网状结构，第一网状结构包括第一信号线和第二信号线，多条第一信号线沿第二方向排列并沿第一方向延伸，第二信号线和第一信号线异层设置，在第二方向上，第二...
    2026-03-16
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411128003.3
    本发明提供一种电子装置，包括：驱动电路，包括 : 第一晶体管，与第一节点耦接；第二晶体管，接收第一电压，并对第一节点充电；以及第三、第四晶体管，具有第一端以及第二端，第一端耦接至第一节点，且第二端耦接至一接地；其中，第二至第四晶体管的至少一...
    2026-03-16
  • 互补场效应管结构
    互补场效应管结构_上海集成电路制造创新中心有限公司_202511801170.4
    本发明提供的一种互补场效应管结构，其中包括第一GAA器件结构和位于第一GAA器件结构上方的第二GAA器件结构。由于所述第一GAA器件结构的沟道方向平行于第一方向，所述第一GAA器件结构的沟道方向平行于第二方向，并且，所述第一方向与所述第二方...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511685668.9
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底，高K栅介质膜，栅极结构和阻挡膜。高K栅介质膜覆盖半导体衬底的第一表面的部分区域。栅极结构覆盖高K栅介质膜。阻挡膜形成在高K栅介质膜与栅极结构之间。栅极结构包括依次形成的功函数膜...
    2026-03-16
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511673576.9
    提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括：第一源极/漏极区域；第一纳米结构，位于第一源极/漏极区域的第一侧壁上；第一栅极结构，位于第一纳米结构周围；第一内部间隔件，位于第一源极/漏极区域的第一侧壁上；第二内部间隔件，位于第一源极/漏...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511673555.7
    根据本公开的半导体结构包括半导体结构，该半导体结构包括背侧介电层、位于背侧介电层上方的背侧蚀刻停止层(ESL)、位于背侧ESL上方并且沿着第一方向彼此间隔开的第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件、设置在第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部...
    2026-03-16
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511646531.2
    本公开的实施例提供半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括第一源极/漏极区、与第一源极/漏极区相邻设置的第二源极/漏极区、以及设置在第一源极/漏极区上方的接触蚀刻停止层。第一源极/漏极区的顶面被接触蚀刻停止层覆盖。该结构还包括设置在第...
    2026-03-16
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511637910.5
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括第一源极/漏极区、与第一源极/漏极区相邻设置的第二源极/漏极区、设置在第一源极/漏极区上方的接触蚀刻停止层、设置在接触蚀刻停止层上方的第一层间介电(ILD)层、设置在接触蚀刻...
    2026-03-16
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510402349.6
    一种半导体器件，包括：衬底，包括逻辑单元区域和在该逻辑单元区域周围延伸的外围区域；逻辑器件，在逻辑单元区域中，并且包括多个源/漏图案；上有源接触部，在源/漏图案中的一个源/漏图案上，并且电连接到源/漏图案中的一个源/漏图案；下有源接触部，在...
    2026-03-16
  • 一种复合型碳化硅场效应晶体管及其制备方法
    一种复合型碳化硅场效应晶体管及其制备方法_绍兴澎芯半导体有限公司_202511837397.4
    本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法，包括：自下而上叠层设置的碳化硅外延层、栅氧化层及多晶栅层；多晶栅层中设置有多个串联的PN+结对，各PN+结对中包括第一PN+结及第二PN+结；至少一个PN+结对中的第二PN+结上设置有短接金属...
    2026-03-16
  • 一种集成SBD的SiC MOS结构及其制备方法
    一种集成SBD的SiC MOS结构及其制备方法_浙江摩珂达半导体有限公司_202511753587.8
    本发明涉及一种集成SBD的SiC MOS结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。包括依次层叠的N⁺衬底、N⁻漂移区和P型基区；将肖特基结集成于元胞区与终端区之间的主结区域，与正面源极电极金属层直接连接，该集成肖特基结构可以是SBD结构...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411176304.3
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成有多个栅极结构；形成覆盖栅极结构的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在第二硬掩膜层和第一硬掩膜层中形成露出部分栅极结构的开口；去除露出的栅极结构以及部分衬底以形成多...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411120985.1
    一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个半导体鳍，所述基底包括器件区以及位于器件区之间的隔离区；形成横跨所述多个半导体鳍的多个伪栅；在伪栅露出的半导体鳍中形成源漏掺杂层；去除隔离区的源漏掺杂层以及位于源漏掺杂层下方的...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_安徽大学_202610140150.5
    本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成伪栅极和硬掩膜层；在伪栅极两侧形成侧墙结构；形成接触孔刻蚀停止层，接触孔刻蚀停止层的材料与硬掩膜层的材料相同；在接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层...
    2026-03-16
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511808103.5
    一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底包括电容区域和非电容区域，电容区域与非电容区域之间具有初始高度差；在基底上形成第一介质层，第一介质层覆盖电容区域和非电容区域，且第一介质层中对应于电容区域的部分与对应于非电容区域的部分...
    2026-03-16
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