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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411155857.0
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：去除伪栅，以在间隔设置的侧墙之间形成沟槽，所述沟槽露出鳍和所述鳍两侧的浅槽隔离；在所述沟槽中形成高K/功函数层，其中，所述高K/功函数层有多层，在形成每层所述高K/功函数层之前，均在所...
    2026-03-17
  • 均流功率半导体器件及其制备方法
    均流功率半导体器件及其制备方法_江苏中科君芯科技有限公司_202511750589.1
    本发明涉及一种均流功率半导体器件及其制备方法。其包括：半导体基板；有源区，包括若干并联成一体的沟槽型元胞，其中，沟槽型元胞包括设置于半导体基板内的元胞沟槽以及设置于所述元胞沟槽内的沟槽栅；所述沟槽栅包括分布于所在元胞沟槽内的栅主体以及低阻接...
    2026-03-17
  • 一种异质结双极型晶体管
    一种异质结双极型晶体管_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511774253.9
    本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括叠层设置的衬底、隔离结构、集电极层、基极层以及发射极层；隔离结构包括至少一组子隔离层组，子隔离层组包括叠层设置的第一子隔离层以及第二子隔离层；隔离结构的材料与衬底的材料相同，且第一子隔离层的导电类型与...
    2026-03-17
  • 一种异质结双极型晶体管
    一种异质结双极型晶体管_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511774248.8
    本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括叠层设置的衬底、隔离结构、集电极层、基极层以及发射极层；隔离结构包括至少一组子隔离层组，子隔离层组包括叠层设置的第一子隔离层以及第二子隔离层；其中，第一子隔离层的导电类型与第二子隔离层的导电类型相反。...
    2026-03-17
  • 碳化硅BJT器件结构及制备方法
    碳化硅BJT器件结构及制备方法_成都芯电慧芯科技有限公司_202511867051.9
    本发明提供了一种碳化硅BJT器件结构及制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，包括如下步骤：在衬底上的外延层内形成与外延层掺杂类型相反的终端结构；在外延层的上表面生成基区；在基区的上表面生成发射区；在基区和发射区上分别生成基区引线金属；在基区...
    2026-03-17
  • PNP型双极结型晶体管的制造方法
    PNP型双极结型晶体管的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746164.3
    本发明提供一种PNP型双极结型晶体管的制造方法。该方法包括：提供衬底，限定拾取区及发射区预设位置；形成掩膜并图案化，同时暴露拾取区及发射区预设位置；对暴露区域进行P型离子注入；去除掩膜并在发射区生长材料层。本发明通过修改光刻版图，利用拾取区...
    2026-03-17
  • 基于极化异质结终端的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法
    基于极化异质结终端的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法_天津大学_202511771690.5
    本发明公开了一种基于极化异质结终端的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法：包括阴极金属层、n+‑GaN衬底层、n‑漂移层、第一阳极金属层、第二阳极金属层、极化异质结终端结构；极化异质结终端结构由p‑InGaN层和p‑GaN层构成，或由p‑Ga...
    2026-03-17
  • 二极管装置以及其制作方法
    二极管装置以及其制作方法_台积电(中国)有限公司_202411164738.1
    一种二极管装置包含半导体基板、隔离结构及金属硅化物层。半导体基板包含井区及处于井区中的第一掺杂区至第三掺杂区。第一掺杂区及第二掺杂区具有相反的导电类型，且井区的导电类型与第二掺杂区的导电类型相同。第三掺杂区处于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第...
    2026-03-17
  • 一种超结快恢复二极管及其制造方法
    一种超结快恢复二极管及其制造方法_深圳云潼微电子科技有限公司_202610136703.X
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种超结快恢复二极管及其制造方法，该超结快恢复二极管包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底之上；漂移层，所述漂移层位于所述缓冲层之上；P型区，所述P型区位于所述漂移层之上；P柱，所述P柱位于所述漂移层中...
    2026-03-17
  • 寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器
    寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610142878.1
    本申请涉及一种寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器，包括提供设置有浅沟槽隔离结构的半导体基底；基于预设掩模版，于浅沟槽隔离结构远离半导体基底的一侧形成刻蚀减速结构和栅极结构；于刻蚀减速结构远离浅沟槽隔离结构的一侧依次形成绝缘层和布线层结构...
    2026-03-17
  • MIM结构及其形成方法
    MIM结构及其形成方法_豪威科技(上海)有限公司_202511846973.1
    本发明提供一种MIM结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底的靠上区域形成有层间金属层。形成MIM材料层。形成MIM叠层；MIM叠层包括层叠的下极板、介质层和上极板。形成绝缘层，并在绝缘层中形成第一引出孔，第一引出孔中填充第一互连层，第一互连...
    2026-03-17
  • 电容结构
    电容结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511745999.7
    本发明公开了一种电容结构，包括：并联的N型和P型势阱电容。N型势阱电容包括N型势阱，N型栅极结构，N型源漏区，N型势阱引出区。P型势阱电容包括P型势阱，P型栅极结构，P型源漏区，P型势阱引出区。N型和P型栅极结构都连接到第一电容电极。各N型...
    2026-03-17
  • 三维存储器及其制备方法、集成电路、电子设备
    三维存储器及其制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202411134238.3
    本申请实施方式提供一种三维存储器及其制备方法、集成电路、电子设备。三维存储器包括至少两个沿堆叠设置的存储颗粒。每个存储颗粒包括沿存储颗粒堆叠方向电连接设置的逻辑芯片与存储阵列芯片。每个存储颗粒还设有第一通孔与第二通孔，第一通孔与第二通孔均填...
    2026-03-17
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511180935.7
    提供了半导体装置。半导体装置包括：第一裸片，在第一工艺条件下制造；以及第二裸片，在第二工艺条件下制造。第一裸片包括参考产生电路，参考产生电路包括双极结型晶体管(BJT)元件。第二裸片被配置为基于由参考产生电路产生的参考值操作。第一工艺条件与...
    2026-03-17
  • 一种三维相变存储器及制备方法
    一种三维相变存储器及制备方法_华中科技大学_202511768593.0
    本发明公开了一种三维相变存储器及制备方法，包括：在衬底上依次沉积介质层和金属层，构建周期性交替堆叠的多层膜结构；在上述交替堆叠的多层膜结构的顶部光刻与显影形成圆形孔阵列图案；以光刻形成的圆形孔为掩膜，垂直向下刻蚀直至底部介质层，得到深孔刻蚀...
    2026-03-17
  • 新型存算一体器件
    新型存算一体器件_清华大学_202511511343.9
    本发明提供一种新型存算一体器件，涉及器件技术领域，包括：基底层、第一介质层、第一栅极层、第二介质层、沟道层、第一电极层、第二电极层、第三介质层和第二栅极层；其中，基底层为新型存算一体器件的衬底，第一介质层覆盖在基底层上；第一栅极层覆盖在第一...
    2026-03-17
  • 一种三维堆叠的磁性随机存储器及其制作方法和电子设备
    一种三维堆叠的磁性随机存储器及其制作方法和电子设备_中国科学院微电子研究所_202411183651.9
    本申请提供了一种三维堆叠的磁性随机存储器及其制作方法和电子设备，涉及集成电路技术领域。磁性隧道结由交变磁磁性自由层、绝缘隧道势垒层和交变磁磁性固定层叠加形成，交变磁磁性自由层可以利用通过交变磁磁性固定层的自旋极化电子流的磁矩施加的力调控其交...
    2026-03-17
  • 双极性SnO电荷陷阱存储器及制备方法
    双极性SnO电荷陷阱存储器及制备方法_山东大学_202610128841.3
    本发明属于半导体存储器件技术领域。提出了一种双极性SnO电荷陷阱存储器及制备方法，包括自下而上依次布置的衬底、栅极、电荷阻挡层、电荷存储层、电荷隧穿层、半导体沟道层，源极和漏极布置在半导体沟道层上，源极、漏极以及漏出的半导体沟道层均通过上部...
    2026-03-17
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510148513.5
    本发明的目的在于将源极线中的杂质活化。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个第1导电层与多个绝缘层逐层交替积层；柱，包含在积层体的积层方向上在积层体内延伸的半导体层；第...
    2026-03-17
  • 一种制备非易失性存储器的方法及其制成的非易失性存储器
    一种制备非易失性存储器的方法及其制成的非易失性存储器_成都锐成芯微科技股份有限公司_202610150227.7
    本发明涉及一种制备非易失性存储器的方法及其制成的非易失性存储器。该方法依次包括如下步骤：在衬底表面上形成有源区和凸出于衬底表面的隔离区，使隔离区自衬底表面凸出的厚度，等于浮栅厚度；在有源区和隔离区上，同时形成一层栅氧层；在栅氧层上沉积一层浮...
    2026-03-17
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