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最新专利技术
  • 一种双折射晶体及其制备方法
    一种双折射晶体及其制备方法_天津大学_202511732360.5
    本发明属于双折射晶体材料制备技术领域，涉及一种双折射晶体及其制备方法与应用；所述双折射晶体的化学式为(C66H77N22O)(NH22SO33)，属于正交晶系，空间群为Pna211；其晶胞参数为a=17.2986(5) Å；b=7.3895...
    2026-03-08
  • 一种1T’-MoTe2单晶的制备方法
    一种1T’-MoTe2单晶的制备方法_浙江光电子研究院_202511925903.5
    本发明提出一种1T’‑MoTe22单晶的制备方法，该方法包括：A、将钼粉、碲粉进行称量；B、将称量好的粉末倒入研钵中混合研磨；C、将研磨的合金粉末倒入刚玉坩锅中；D、将刚玉坩锅放置于S1石英玻璃管中；E、密封S1石英玻璃管；F、将S1石英玻...
    2026-03-08
  • 一种用于改善长厚碳化硅晶体质量的生长装置及方法
    一种用于改善长厚碳化硅晶体质量的生长装置及方法_锐诺光学科技(武汉)有限公司_202511724204.4
    本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体公开了一种用于改善长厚碳化硅晶体质量的生长装置及方法；装置包括坩埚桶、隔热硬毡、过滤多孔桶、生长机构和分区加热结构；隔热硬毡设于坩埚本体内，形成多个独立的原料腔室，各腔室设有过滤多孔桶；生长机构包含可升...
    2026-03-08
  • 一种近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法
    一种近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法_山东晶量新材料有限责任公司_202512011936.5
    本发明提供了一种近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法，涉及晶体生长技术领域。生长方法包括以下步骤：将坩埚内部从上到下分成第一温区和第二温区，第一温区位于上方，第二温区位于下方，将Li源/Nb源比为50/50的生长原料装填于第二温区处，富锂原料...
    2026-03-08
  • 一种基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜及其生长方法和应用
    一种基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜及其生长方法和应用_南开大学_202511639608.3
    本发明提供一种基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜及其生长方法和应用，属于铁电薄膜生长方法领域。所述基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜，衬底选自Si基片，靶材选自固相反应法制备的掺铒2.0 mol%~5.0 mol%的同成分铌酸锂陶瓷、掺铁5.0 m...
    2026-03-08
  • 一种钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用
    一种钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用_上海阿波罗机械股份有限公司_202511690222.5
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用。具体是一种在已制得的MAPbBr33单晶基础上，通过改变前驱体卤素组分比例，实现MAPbBr2.72.7Cl0.30.3单晶在其表面的外延生长，形成连续完整的单晶...
    2026-03-08
  • 蓝宝石晶体生长控制系统和方法
    蓝宝石晶体生长控制系统和方法_天通银厦新材料有限公司_202511625936.8
    本申请涉及电力物联网通信安全与实时计算技术领域，具体涉及一种蓝宝石晶体生长控制系统和方法，系统包括数据采集模块、历史数据库、预测控制模块和执行控制模块，数据采集模块包括静态特征数据及动态特征数据；静态特征数据包括目标重量、填料量、晶体晶向和...
    2026-03-08
  • 一种具有大的双折射率的拓扑结构晶体及其制备方法和应用
    一种具有大的双折射率的拓扑结构晶体及其制备方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511700500.0
    本发明属于双折射晶体材料技术领域，具体涉及一种具有大的双折射率的拓扑结构晶体及其制备方法和应用。所述具有大的双折射率的拓扑结构晶体的的化学式为KZn33B22O66F，属于六方晶系，空间群为P633/m，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ...
    2026-03-08
  • 一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉
    一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511762453.2
    本公开提供了一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉，装置应用于包含加热器和用于容纳硅熔体的石英坩埚的单晶炉中，装置包括环形气体导流结构和环状喷射结构，其中，环形气体导流结构，被配置为同轴地悬置于石英坩埚上方，并径向地位于单晶炉的待拉制晶...
    2026-03-08
  • 磷扩散方法和磷扩散炉
    磷扩散方法和磷扩散炉_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511544913.4
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种磷扩散方法和磷扩散炉，以减少磷扩散工艺中留在过滤器内的固体量，延长过滤器的滤芯使用寿命。该磷扩散方法包括：打开炉体的炉门之后，抽取炉体内的尾气，以使空气进入炉体内，并使空气连同尾气依次流过冷却器和过滤器，...
    2026-03-08
  • 一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法
    一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法_国机金刚石(河南)有限公司_202511730882.1
    本发明属于超精密加工技术领域，涉及一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法。该方法先将切削过树脂工件的刀尖加热至树脂软化温度，用工具轻刮去除软化树脂，避免划伤刀具表面，初步降低刀具表面粗糙度。通过超精密抛光预处理，进一步降低刀具表...
    2026-03-08
  • 一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法
    一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法_哈工大郑州研究院_202511731761.9
    本发明公开了一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法，涉及金刚石材料制备技术领域，通过构建缓释界面层、低温高甲烷浓度形核以及高温低甲烷渐变生长，实现金刚石膜的厚度可达100‑1000µm。通过力学模型调控冷却应力，并辅以...
    2026-03-08
  • 一种用于钼铼合金单晶制备的多晶原料棒材电子束增材制造方法
    一种用于钼铼合金单晶制备的多晶原料棒材电子束增材制造方法_西北有色金属研究院_202511732949.5
    本发明公开了一种用于钼铼合金单晶制备的多晶原料棒材电子束增材制造方法，该方法包括以下步骤：一、制备钼铼合金的混合粉体；二、冷等静压；三、烧结；四、旋锻和拉丝；五、碱洗和乙醇清洗；六、电子束熔丝增材制造；七、将钼铼合金多晶原料棒材用于电子束悬...
    2026-03-08
  • 结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法
    结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202610070618.8
    本发明公开了一种结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法，通过惰性气体冲击和等离子活化对生长层表面进行极化残留中和处理，以生成再生长基底界面。再通过能量脉冲辅助控制生长层表面处于加热和冷却的交替状态，以获取设定厚度的再生长层。对再生长层...
    2026-03-08
  • 一种制备高质量二氧化锡薄膜及其钽掺杂的雾化学气相沉积方法
    一种制备高质量二氧化锡薄膜及其钽掺杂的雾化学气相沉积方法_湖北大学_202511730230.8
    本发明提供制备高质量二氧化锡薄膜及其钽掺杂的雾化学气相沉积方法，包括以下步骤：采用蓝宝石作为衬底，使用乙酸亚锡作为锡源，乙醇/乙二醇和去离子水作为溶剂，加入适量盐酸促进乙酸亚锡溶解；配置好的溶液作为前驱体置入雾化器容器中，将衬底放置在管式炉...
    2026-03-08
  • MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料
    MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料_苏州晶歌半导体有限公司_202610084295.8
    本发明公开了一种MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料。所述方法包括：在生长所述外延材料的过程中，不同时通入Al源和Sb源。本发明至少具有以下优点之一：一、采用循环分段式间隔通入Al与Sb的方法，有效避免了Al与...
    2026-03-08
  • 一种VCSEL外延生长方法
    一种VCSEL外延生长方法_全磊光电股份有限公司_202610099031.X
    本发明涉及VCSEL外延生长技术领域，尤其涉及一种VCSEL外延生长方法。本发明提供的VCSEL外延生长方法在每个DBR周期交界处插入ALE微循环界面平整化，并结合低折射率层前的HCl脉冲清洁和载气切换, 以及低温AsH33去氢退火工艺，在...
    2026-03-08
  • 超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法、刀具及超精密切削方法
    超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法、刀具及超精密切削方法_浙江大学_202610083769.7
    本发明涉及超精密切削用金刚石领域，具体涉及一种超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法、刀具及超精密切削方法。一种超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法，包括以下步骤：S1.提供晶向倾角为45‑55°的高质量单晶金刚石作为籽晶；S2....
    2026-03-08
  • 一种N型重掺杂碳化硅晶体及其制备方法、功率器件
    一种N型重掺杂碳化硅晶体及其制备方法、功率器件_嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司_202511836214.7
    本发明涉及一种N型重掺杂碳化硅晶体及其制备方法、功率器件，具体涉及半导体领域，所述制备方法包括：利用籽晶采用硅源、碳源和掺杂源进行高温化学气相沉积，得到N型掺杂浓度≥2×101919个/cm33的N型重掺杂碳化硅晶体；其中，所述掺杂源包括：...
    2026-03-08
  • 一种用于金刚石均匀生长的自支撑衬底的制备方法
    一种用于金刚石均匀生长的自支撑衬底的制备方法_上海晶世创新材料科技有限公司_202511654867.3
    本发明提供一种用于金刚石均匀生长的自支撑衬底的制备方法，涉及金刚石晶体生长领域。本发明包括如下几个步骤：步骤1)生长出特质金刚石层和自支撑金刚石层，获得自支撑金刚石衬底；步骤2)对自支撑金刚石衬底的背面进行等离子体刻蚀；步骤3)对自支撑金刚...
    2026-03-08
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