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最新专利技术
  • COB发光装置和COB发光装置的制造方法
    COB发光装置和COB发光装置的制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511724910.9
    本发明实施例提供一种COB发光装置和一种COB发光装置的制造方法。所述COB发光装置，其特征在于，包括：基板，其上设有固晶区；多颗发光芯片，设置于所述基板的所述固晶区内；第一荧光胶层，覆盖于所述发光芯片的上表面并覆盖整个所述固晶区，所述第一...
    2026-03-01
  • 发光装置和发光装置的制造方法
    发光装置和发光装置的制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511724586.0
    本发明实施例提供一种发光装置和一种发光装置的制造方法。所述发光装置包括：基板；发光芯片，设置于所述基板上；第一荧光胶层，仅覆盖于所述发光芯片的上表面，所述第一荧光胶层包含第一荧光粉；沉淀层，覆盖于所述第一荧光胶层、所述发光芯片的侧面和所述基...
    2026-03-01
  • 一种深紫外LED的无机封装结构及其制备方法
    一种深紫外LED的无机封装结构及其制备方法_苏州紫灿科技有限公司_202511570739.0
    本发明提供一种深紫外LED无机封装结构及其制备方法，上述深紫外LED的无机封装结构既通过全无机封装设计(无有机粘接剂)避免了半无机封装中有机材料受紫外线照射黄化裂化失效的问题，保障了封装可靠性；又相比现有无机封装省去了透镜表面金属化步骤，极...
    2026-03-01
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511264591.8
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管中形成有第一绝缘层，该第一绝缘层的第一部分环绕第一电极设置，第二部分环绕第二台面和第一台面之间的侧壁以及部分第二台面的表面设置。第一绝缘层的设置使得第一部分和第二部分在第一电极周围和第二电极周围...
    2026-03-01
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_湖北三安光电有限公司_202511588096.2
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，本申请的发光二极管取消第二半导体层上方的电流阻挡层，因此减少了产生吸光的材料层，能够增加被反射的光；另外，通过改善金属电极的材料，选择具有高反射率的技术材料，例如Cr/Ag、Ti/Ni/Ag等，提高金属电...
    2026-03-01
  • 发光基板及其制备方法和显示装置
    发光基板及其制备方法和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411106295.0
    提供了一种发光基板及其制备方法和显示装置。发光基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个发光芯片；发光芯片包括：第一电极和位于第一电极远离衬底基板一侧的发光主体，多个发光主体在第一方向和第二方向上成阵列排布；发光主体包括依次远离衬底基板设置的...
    2026-03-01
  • 一种高色域LED芯片结构及其制备方法
    一种高色域LED芯片结构及其制备方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511731978.X
    本发明适用于半导体LED显示技术领域，提供了一种高色域LED芯片结构及其制备方法，高色域LED芯片结构包括从下至上依次设置的衬底材料、缓冲层、第一半导体层、绿波量子阱层、电子空穴调节层、蓝波量子阱层、第二半导体层、电流阻挡层和电流扩展层，还...
    2026-03-01
  • 绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
    绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED_江西兆驰集成科技有限公司_202610077889.6
    本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。绿光Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、第一应力平衡层、非掺杂GaN层、第二应力平衡层、N型GaN层、电子调控层、多量子阱层和P...
    2026-03-01
  • 一种显示屏用红光LED外延片及其制备方法
    一种显示屏用红光LED外延片及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202610049138.3
    本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种显示屏用红光LED外延片及其制备方法，该红光LED外延片自下而上依次为GaAs衬底、缓冲层、DBR反射层、N型限制层、第一N型双稀释波导层、N型单稀释波导层、第二N型双稀释波导层，应变改善型发光有源层，...
    2026-03-01
  • 一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片
    一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511669364.3
    本发明提供一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，LED外延结构包括衬底以及层叠于衬底之上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，多量子阱层包括浅量子阱层、层叠于浅量子阱层之...
    2026-03-01
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511649141.0
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统，可以提高太阳能电池的发电效率。包括：硅基底；硅基底的受光面具有若干凹陷部和若干凸起部；凸起部和凹陷部交替排列；凹陷部和凸起部的表面形成有绒面结构。
    2026-03-01
  • 高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统
    高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统_中国移动通信有限公司研究院_202511645352.7
    本申请涉及光电器件技术领域，提供一种高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统。高饱和光电二极管封装结构包括：光电二极管，光电二极管包括顶部电极和底部电极；高导热衬底，光电二极管以倒装方式设置于高导热衬底上；高导热衬底上设置有与顶部电极电连...
    2026-03-01
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511752260.9
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括切片电池主体，切片电池主体具有切割面，切割面上覆盖有钝化层，钝化层含有X‑H键和/或X‑O‑H键，X为钝化层中与H原子键合的元素；切片电池主体包括捕氢层，捕氢层由捕氢原子自切割面...
    2026-03-01
  • 一种太阳能电池及其制作方法
    一种太阳能电池及其制作方法_扬州乾照光电有限公司_202512002932.0
    本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，包括衬底；外延结构，所述外延结构设于所述衬底的一侧表面上；欧姆接触层，所述欧姆接触层设于所述外延结构背离所述衬底的表面；栅线电极，所述栅线电极与所述欧姆接触层形成接触；背电极，所述背电极设于所述衬底背...
    2026-03-01
  • 无主栅背接触电池组件及光伏系统
    无主栅背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511570604.4
    本发明公开了一种无主栅背接触电池组件及光伏系统，所述无主栅背接触电池组件包括沿第一方向排布的无主栅背接触电池片，所述无主栅背接触电池片的背光面具有沿第一方向交替排列且极性相反的栅线、沿第二方向交替排列且极性相反的pad点，所述pad点与极性...
    2026-03-01
  • 一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610068239.5
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，该太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背光面上包括沿第一方向交替设置的掺杂区域，相邻的掺杂区域之间设置沟槽区域，沟槽区域与相邻掺杂区域之间具有斜面，斜面上至少具有一个台阶面。使...
    2026-03-01
  • 晶硅热电子太阳能电池及光伏组件
    晶硅热电子太阳能电池及光伏组件_成都特频微电子科技发展有限公司_202511770771.3
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了晶硅热电子太阳能电池及光伏组件，包括硅衬底，硅衬底包括P型区和位于P型区光照面一侧的n型区；硅衬底的光照面设置有银收集栅电极，硅衬底的背侧设置有银引出电极；硅衬底内在银收集栅电极相对应的位置设置有Ag...
    2026-03-01
  • 一种超快光电导材料结构及太赫兹光电导器件
    一种超快光电导材料结构及太赫兹光电导器件_南京大学_202411105031.3
    本发明公开了一种超快光电导材料结构，其特征在于，包括衬底层和稀土掺杂的In1‑x‑1‑x‑yyGaxxAlyyAs半导体功能层，其中在稀土掺杂的In1‑x‑y1‑x‑yGaxxAlyyAs半导体功能层中，稀土材料以岛状结构分布，且稀土材料形...
    2026-03-01
  • 硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法
    硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法_北京智创芯源科技有限公司_202511766453.X
    本发明涉及一种硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法。本发明的硅基碲镉汞材料，包括：硅衬底和生长在在所述硅衬底正面的碲化镉缓冲层和碲镉汞层；所述硅衬底背面设置有光学超表面结构，所述光学超表面结构由周期排列的微结构单元组成；所述微结构单...
    2026-03-01
  • 背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件
    背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610079119.5
    本申请涉及一种背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件。背接触电池的制备方法包括：提供硅基底，硅基底包括沿其厚度方向相对设置的第一面和第二面，在第一面形成第一纹理结构，对硅基底进行第一扩散处理，在硅基底的第一面形成具有第一导电类型的第一扩...
    2026-03-01
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