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最新专利技术
  • 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511641429.3
    本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括：在硅基体背面设置第二掺杂结构，去除第二掺杂结构中对应于第一掺杂区和隔离区的部分，形成第二掺杂区；形成第一掺杂结构和层叠设置在所述第一掺杂结构上...
    2026-03-05
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_通威太阳能(眉山)有限公司_202511639503.8
    本申请涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件及其制备方法。该制备方法包括：对多个太阳电池进行焊接和层压，得到组件半成品，该太阳电池包括基底、依次设置在基底一侧表面上的第一掺杂层和第一功能层，第一掺杂层为硼掺杂层，第一功能层包括Si‑H键...
    2026-03-05
  • 一种硅异质结太阳能电池的透明电极及其制备方法
    一种硅异质结太阳能电池的透明电极及其制备方法_安徽烯宇科技有限公司_202511631331.X
    本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种硅异质结太阳能电池的透明电极及其制备方法，该方法包括：提供硅异质结基底；在基底表面涂覆银纳米线墨水；对涂覆后的膜层进行热处理形成透明电极。本发明通过引入双功能硅烷偶联剂、“光热‑压力辅助”低温固化、...
    2026-03-05
  • 一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法
    一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法_浙江超晶晟锐光电有限公司_202511600795.4
    本申请公开了一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法，将待刻蚀的InAs/GaSb超晶格样品和至少一片固态含铟辅助源假片共同放置于刻蚀反应腔内进行刻蚀。本发明的方法无需改变现有主流的氯基干法刻蚀平台，仅需在腔室内增加固态含铟辅助...
    2026-03-05
  • 背接触电池的制备方法
    背接触电池的制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511598825.2
    本发明涉及一种背接触电池的制备方法，在每次形成隧穿层、掺杂层和掩膜后，先采用氢氟酸溶液去除正面和侧面的掩膜，再通采用碱液刻蚀掉暴露出来的隧穿层及掺杂层便可去除绕镀。由于采用酸刻与碱刻蚀的组合工艺便可达到去除绕镀的目的，故可避免使用硝酸及浓硫...
    2026-03-05
  • 一种碲硒光电导探测器的制备方法
    一种碲硒光电导探测器的制备方法_电子科技大学_202511510740.4
    本发明提供一种硒碲光电导探测器的制备方法，属于光电导探测器技术领域。该方法通过磁控溅射制备碲硒薄膜并在大气中通过两步退火后处理工艺生成氧化碲钝化层和保护层，再制备完整的探测器，包括从下至上依次的衬底、碲硒薄膜、钝化层和金属电极；还包括了保护...
    2026-03-05
  • 一种单晶异质结电池的制备工艺
    一种单晶异质结电池的制备工艺_中建材(江阴)光电材料科技有限公司_202511400097.X
    本发明公开了一种单晶异质结电池的制备工艺，包括以下步骤：S10：在双面制绒的n型单晶硅片的栅线预覆盖区域涂覆第一成膜液，第一成膜液固化后，得背面覆有第一掩膜的硅片；S20：对硅片的背面依次抛光、清洗处理；S30：采用水性清洗液去除第一掩膜，...
    2026-03-05
  • 台面探测器的电极制作方法和台面探测器
    台面探测器的电极制作方法和台面探测器_武汉敏芯半导体股份有限公司_202511362623.8
    本申请实施例公开了一种台面探测器的电极制作方法和台面探测器, 台面探测器的电极制作方法，在台下面上涂覆第一层光刻胶，并光刻显影形成第一显影区域，而后在第一层光刻胶和台面上涂覆第二层光刻胶，并仅光刻，而不显影形成第一光刻图形，之后在第二层光刻...
    2026-03-05
  • 一种小尺寸高隔离性能多通道陶封光电耦合器结构及其制造方法
    一种小尺寸高隔离性能多通道陶封光电耦合器结构及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511718120.X
    本发明涉及一种小尺寸高隔离性能多通道陶封光电耦合器结构及其制造方法，属于光电子器件领域。光电耦合器包括金属外盖板、陶瓷金属化内瓷片和陶瓷金属化管座；陶瓷金属化管座包括一大腔体，该大腔体中包括多个通过独立隔断分隔出的小腔体，且每个小腔体底部贴...
    2026-03-05
  • 一种光电探测结构及其制作方法
    一种光电探测结构及其制作方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511759311.0
    本申请公开了一种光电探测结构及其制作方法，包括：层叠的衬底结构和堆叠结构；位于堆叠结构中的环形凹槽，环形凹槽包括沿其径向连通的第一环形孔和第二环形孔，第一环形孔曝露N型掺杂半导体层部分表面，第二环形孔曝露第一P型掺杂半导体层部分表面；覆盖堆...
    2026-03-05
  • 一种基于薄膜场效应晶体管的互补型辐射探测器
    一种基于薄膜场效应晶体管的互补型辐射探测器_华中科技大学_202511595797.9
    本发明属于辐射探测技术领域，公开了一种基于薄膜场效应晶体管的互补型辐射探测器，包含至少一对极性相反的薄膜场效应晶体管；器件结构为：包含有源极和漏极的薄膜半导体沟道层、绝缘栅介质层(301)、具有高电阻特性的半导体衬底层(201)和底部电极(...
    2026-03-05
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511125733.2
    图像传感器包括像素阵列、像素负载电路和开关电路，像素阵列包括以行和列布置的多个像素，多个像素被配置为将像素信号输出到输出线，开关电路将像素负载电路连接到输出线。像素负载电路通过开关电路连接到输出线。像素负载电路中的每一个可以包括串联连接的第...
    2026-03-05
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_三星电子株式会社_202510929690.7
    一种图像传感器包括：堆叠结构，包括包含多个像素的有源像素区域、在有源像素区域的至少一侧的焊盘区域、以及具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面的第一衬底，该第一衬底包括分别与多个像素相对应的多个光电转换区域；超光学结构，在第一衬底的第一表面...
    2026-03-05
  • 双模式光检测像素电路
    双模式光检测像素电路_原相科技股份有限公司_202411740273.X
    一种双模式光检测像素电路，包括一光电晶体管，该光电晶体管包含一光伏结，其中光伏结根据接收到的光产生一结电流，该结电流的位准与光的强度相关；以及一存储电容，耦接到光电晶体管以检测光的强度。在该光电晶体管模式下，该存储电容用以积分一放大电流，该...
    2026-03-05
  • 一种刻蚀工艺方法
    一种刻蚀工艺方法_武汉楚兴技术有限公司_202411097968.0
    本申请公开了一种刻蚀工艺方法，方法包括：提供基板，基板包括依次层叠设置的衬底、黏合层、金属层、介质层、硬掩模层、抗反射层和光阻层；基于预设图案，在刻蚀机台中采用第一类气体沿光阻层至衬底方向对光阻层和抗反射层进行刻蚀；以刻蚀后的光阻层和抗反射...
    2026-03-05
  • 光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法
    光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511759751.6
    本申请公开了一种光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法，该光电探测结构包括表面为具有第一掺杂类型的掺杂锗层的衬底结构；位于掺杂锗层的表面的层叠结构，层叠结构包括沿远离衬底结构方向依次排布的本征吸收层以及具有第二掺杂类型的掺杂锗硅层，第...
    2026-03-05
  • 光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法
    光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511759325.2
    本申请公开了一种光电探测结构及其制作方法、光电传感器及其制作方法，该光电探测结构包括衬底结构和层叠结构，层叠结构中第二掺杂锗层的掺杂浓度不大于第一掺杂锗层的掺杂浓度，且沿远离第一掺杂锗层的方向，第二掺杂锗层中的掺杂浓度逐渐减小；第三掺杂锗层...
    2026-03-05
  • 光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法
    光电探测结构及制作方法、光电传感器及制作方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511759303.6
    本申请公开了一种光电探测结构及其制作方法、光电传感器及其制作方法，该光电探测结构包括：衬底结构；位于衬底结构上的层叠结构，包括沿远离衬底结构方向依次排布的第一掺杂锗硅层、本征吸收层和第二掺杂锗硅层，第一掺杂锗硅层和第二掺杂锗硅层的掺杂类型不...
    2026-03-05
  • 基于多孔衬底和二维半导体材料的光电晶体管及制备方法
    基于多孔衬底和二维半导体材料的光电晶体管及制备方法_西北工业大学_202511619386.9
    本发明提供了一种基于多孔衬底和二维半导体材料的光电晶体管及制备方法，该光电晶体管包括多孔衬底和在上生长的二维材料半导体层，半导体层的两端分别设置有源电极和漏电极。该方法采用盐辅助CVD法在多孔衬底上生长单层二维材料。本发明通过衬底多孔结构与...
    2026-03-05
  • 一种晶圆级石墨烯-硅三端光电晶体管及制备方法
    一种晶圆级石墨烯-硅三端光电晶体管及制备方法_浙江大学_202610050783.7
    本发明公开了一种晶圆级石墨烯‑硅三端光电晶体管及制备方法，该晶体管的发射级为覆盖有氧化硅层的硅衬底，氧化硅层中刻蚀有硅窗口，所述硅衬底为带有掺杂的硅衬底；所述基极包括：位于硅窗口区域的单层石墨烯与硅衬底的掺杂方式相反，与硅衬底形成浅肖特基结...
    2026-03-05
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