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  • 本发明涉及电子器件封装技术领域,公开了一种用于连接金刚石构件与封装管壳的器件结构,包括金刚石构件、梯度中间层、弹性预紧构件和封装管壳;所述金刚石构件嵌入所述封装管壳的壳体;所述梯度中间层设置于所述金刚石构件与所述封装管壳之间;所述梯度中间层...
  • 本发明公开了一种板级封装TMV结构及其加工方法,加工方法包括:在玻璃一面上涂可分离胶,再通过物理气相沉积方法制备种子层,并在种子层压制干膜形成第一介质层;第一介质层上开孔;开孔位置的种子层上做电镀形成第一层柱;继续压制干膜形成第二介质层,通...
  • 本发明公开一种电子器件的封装结构,包括:管壳,设置在外壳底部的上表面设有覆铜层的陶瓷基板,功率芯片,用于连接覆铜层和功率芯片下表面的导电连接层,用于连接覆铜层和功率芯片上表面的键合线,填充在所述功率芯片周围的高热导率灌封材料;灌封在所述高热...
  • 本发明公开了一种高密度载板及其制备方法和在电子封装中的应用,属于集成电路芯片封装技术领域。本发明解决了现有高密度载板存在的无法同时具备高密度垂直互连能力、优异散热性能和良好高频特性的问题。本发明利用具有规则纳米级孔道结构的AAO作为基板,通...
  • 本申请案涉及用于焊点故障冗余及高带宽应用的封装‑封装互连。本公开中介绍一种半导体装置封装组合件。所述半导体装置组合件包含多个半导体装置封装,所述多个半导体装置封装中的每一者包含:封装衬底,其具有顶面及底面;一或多个半导体裸片,其安置于所述封...
  • 一种封装(100),包括:部件组装区段(102);至少一个电子部件(104),所述至少一个电子部件(104)与所述部件组装区段(102)组装在一起;至少一个引线区段(106),所述至少一个引线区段(106)与所述至少一个电子部件(104)和...
  • 提供了底部填充材料易于进入间隙的半导体封装及制造半导体封装的方法。其中,半导体封装具有管芯和设置在管芯的一个表面上的多个柱状物,并且管芯的与管芯一个表面上具有柱状物的区域对应的厚度小于管芯的与管芯一个表面上没有柱状物的区域对应的厚度。
  • 提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:第一再分布基板,所述第一再分布基板包括多个上基板焊盘,所述多个上基板焊盘包括第一上基板焊盘;第一半导体器件,所述第一半导体器件通过所述第一上基板焊盘与第一连接端子的接合安装在所述第一再分...
  • 本发明提供了一种芯片倒装封装方法,在晶圆上成型的芯片的焊窗处涂覆第一焊料,使得焊柱第一端与焊窗焊接固定;将固化剂填充至焊柱之间,打磨焊柱使得第二端处于同一平面并在焊柱端面制作可焊层后去固化剂,将焊柱第二端与涂有第二焊料的框架或基板相固定,使...
  • 一种半导体器件具有形成在第一载体上的衬底。半导体管芯安装在衬底上。在第二载体上形成互连结构。在衬底或互连结构上形成铜柱。互连结构设置在衬底上方,其中铜柱和半导体管芯在衬底和互连结构之间。在将互连结构设置在衬底上方之后,移除第一载体和第二载体...
  • 本申请涉及一种选择性形成的键合焊盘结构。一种形成集成电路IC封装的方法包含在第一电镀工艺(1300)中电镀籽晶层(206),以在IC结构(100)的有源电路区上方形成所述IC结构(100)的键合焊盘结构(102)的多晶铜层(208)。所述方...
  • 本公开涉及半导体装置。一种半导体装置包括:基础芯片,其包括第一基础焊盘、第二基础焊盘和第三基础焊盘;以及核心芯片,其包括第一路径、第二路径以及第三路径,第一路径包括第一多个核心焊盘,第二路径包括第二多个核心焊盘,以及第三路径包括第三多个核心...
  • 本发明公开了一种半导体封装技术领域的喷射植球装置,该装置包括上基座、下基座、分球盘、驱动机构、转轴、上下限位结构及第一垫片;分球盘通过转轴与驱动机构连接并在上基座和下基座间水平转动,转轴被上下限位结构轴向约束固定于上基座中心通孔中;第一垫片...
  • 本发明公开了一种晶圆重构结构及其制备方法,该方法中先切割晶圆正面的边缘,形成台阶结构,再将晶圆正面通过胶水键合至临时载板的凹槽底面;晶圆的台阶底面卡在临时载板的凸起上,临时载板的凸起对晶圆边缘形成支撑;晶圆的台阶侧壁与临时载板的凹槽侧壁之间...
  • 本发明公开了光电器件的封装方法及结构。封装方法包括:提供至少一个第一通孔基板和至少一个光芯片;提供包括至少一个第二通孔基板且一侧设置第三连接凸点的第二通孔基板单元;以第三连接凸点朝第一通孔基板和第一连接凸点远离第二通孔基板单元的方式电连接第...
  • 本发明提供一种增加存在于基板(4)的接触垫(3)上的焊料凸块的体积和高度的方法,所述方法包括以下步骤:a)将具有预定体积的焊料球(2)放置在微管(1)中,所述微管被放置在所述焊料凸块上方;b)通过透过所述微管(1)将来自激光源的激光能量施加...
  • 本发明涉及智能技术领域,具体为半导体IGBT模块的高可靠性焊接工艺,包括对芯片与基板进行酸蚀清洗;采用同轴双喷头涂覆含纳米碳化钨、碳纳米管的双梯度焊膏;高精度贴装芯片;在氮气保护下进行多场耦合回流焊接,施加交变磁场、近红外光与超声波;激光强...
  • 一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:形成有介电层的基底,介电层中掩埋有互连结构且暴露互连结构的顶部;第一钝化层,位于介电层上,第一钝化层中具有暴露互连结构的窗口;焊垫,位于窗口中并覆盖互连结构;应力缓冲结构,位于窗口中,应力缓冲结构...
  • 本申请提供一种芯片、芯片封装结构及电子设备,芯片包括衬底、电极、焊盘和有机介质层,有机介质层包裹焊盘的侧面、以及覆盖焊盘背离电极一侧的第二表面中的部分区域;焊盘在高温作用下发生变形时,有机介质层很好地贴附在焊盘的第二表面和侧面,避免有机介质...
  • 本申请提供一种封装结构及半导体器件。该封装结构包括封装框架和第一芯片。封装框架包括封装基岛、直接镀铜陶瓷基板以及第一引脚,直接镀铜陶瓷基板设置于封装基岛上,所第一引脚设置于封装基岛的一侧;直接镀铜陶瓷基板包括陶瓷基板和铜层,在陶瓷基板的厚度...
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