Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器
    用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202610032905.X
    本申请提供了一种用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器，属于半导体制造领域；解决了铝锑化物或砷铝锑化物势垒层侧壁因暴露大气形成的富含Sb22O55的自然氧化层所导致的界面态密度高、暗电流大的问题；该方法包括以下步骤：将已完成...
    2026-02-19
  • 光传感器制造方法
    光传感器制造方法_上海羲禾科技股份有限公司_202610031491.9
    本申请提供一种光传感器制造方法，涉及芯片制造的技术领域。光传感器制造方法，包括：在衬底表面沉积二氧化硅，所述衬底上有第一硅波导和锗外延结构，沉积的所述二氧化硅用于填平所述第一硅波导的凹槽；对所述衬底设置有锗外延结构的一侧进行抛光；去除所述衬...
    2026-02-19
  • 感光芯片封装结构及其制备方法
    感光芯片封装结构及其制备方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511682579.9
    本发明公开一种感光芯片封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：将玻璃盖板设置于第一载板的第一临时键合层上，并在玻璃盖板的第一表面开设第一凹槽；将玻璃盖板与第一载板解除键合，并将玻璃盖板通过第一表面设置于第二载板的第二临时键合层...
    2026-02-19
  • 一种SnS2/CsPbBr3异质结及制备方法和用途
    一种SnS2/CsPbBr3异质结及制备方法和用途_陕西科技大学_202511682337.X
    本发明属于异质结构筑技术领域，特别涉及一种SnS22/CsPbBr33异质结及制备方法和用途。SnS22/CsPbBr33异质结的制备方法为：以水热法合成的六边形2D SnS22纳米片作为生长模板，结合溶液法合成的3D CsPbBr33纳米...
    2026-02-19
  • 一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法
    一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法_博海新能源(德阳)有限公司_202511614669.4
    本发明属于太阳能电池制造领域，具体的说是一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法，包括以下步骤：样品准备：取3‑5片专用少子测试使用、来自正常来料且为同一批次、同一包装盒的N型单晶硅片，本发明通过在制绒后，或是制绒后直接进行碱抛和R...
    2026-02-19
  • 钙钛矿晶硅叠层电池、底电池和制备方法
    钙钛矿晶硅叠层电池、底电池和制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511558362.7
    本申请涉及一种钙钛矿晶硅叠层电池、底电池和制备方法，获取制绒处理后的半导体衬底层，对半导体衬底层的第一表面进行硼扩散，生成硼掺杂层；对半导体衬底层的第二表面进行去绕镀和抛光，并二次制绒形成绒面，然后依次沉积生成隧穿氧化层和本征多晶硅层，对本...
    2026-02-19
  • TOPCon电池及其制备方法
    TOPCon电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511525024.3
    本申请涉及一种TOPCon电池及其制备方法，获取TOPCon电池基体；利用丝网印刷网版，在TOPCon电池基体的正面印刷银浆，形成正面非均匀栅线结构的金属电极；其中，正面非均匀栅线结构包括主栅线和细栅线；主栅线分布非均匀：沿电池边缘区域的主...
    2026-02-19
  • 一种太阳能半片电池片边缘钝化的方法
    一种太阳能半片电池片边缘钝化的方法_松煜科技(南通)有限公司_202511423156.5
    本发明公开了一种太阳能半片电池片边缘钝化的方法，属于硅太阳能电池技术领域。本发明的方法包括：对电池片进行切割得到半片电池片，置于化学气相沉积设备的腔体中，进行真空预热处理；然后通入氨气与笑气吹扫半片电池片的切割面，再进行电离预处理，氮吹，抽...
    2026-02-19
  • 一种芯片的异质整合封装结构及封装方法
    一种芯片的异质整合封装结构及封装方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511675194.X
    本发明公开了一种芯片的异质整合封装结构及封装方法，属于芯片的异质整合封装结构及封装方法领域，包括步骤一：准备玻璃晶圆，并在所述玻璃晶圆上设置通孔一；步骤二：在所述玻璃晶圆上设置线路层一，并在所述线路层一上设置与所述通孔一相对的通孔二；步骤三...
    2026-02-19
  • 半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器
    半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610017860.9
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器，属于半导体领域。该半导体结构包括：衬底；形成于衬底的隔离结构，所述隔离结构将衬底分隔为多个区域；所述隔离结构包括金属格栅、相对形成于金属格栅内外两侧的第一半导体结构和第二半导体结构；...
    2026-02-19
  • 基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法
    基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法_北京理工大学_202511583323.2
    本发明公开了基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法，属于红外传感技术领域，其包括热辐射传感器结构、芯片衬底和MEMS驱动结构，利用MEMS驱动结构中各驱动单元结构形式的优选设计，使得热辐射传感器结构可由多个驱动单元悬空支撑...
    2026-02-19
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511092159.5
    一种图像传感器，包括：具有第一表面和第二表面的衬底；包括多个光电二极管区的光电二极管区组，每个光电二极管区包括光电二极管；第一深隔离图案，设置在衬底内并且围绕光电二极管区组；第二深隔离图案，设置在衬底内以将光电二极管区彼此分开；连接区，连接...
    2026-02-19
  • 半导体器件及在衬底上形成图像传感器的方法
    半导体器件及在衬底上形成图像传感器的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411849726.2
    提供了一种半导体器件及在衬底上形成图像传感器的方法，并描述了在基于等离子体的BEOL沉积和蚀刻步骤期间保护隔离沟槽结构免受电荷损伤的系统、装置和方法。装置和方法可包括图像传感器，该图像传感器在包括像素阵列的图像传感器衬底的阵列部分中具有阵列...
    2026-02-19
  • 一种CMOS图像传感器以及成像装置
    一种CMOS图像传感器以及成像装置_华为技术有限公司_202411049617.2
    本申请实施例提供了一种CMOS图像传感器以及成像装置，涉及图像传感器技术领域，用于改善光串扰的问题。该CMOS图像传感器包括半导体基板、金属线路层和嵌入结构，其中，半导体基板包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面，半导体基板中形成有光电二...
    2026-02-19
  • 一种影像传感芯片板级封装结构及其制作方法
    一种影像传感芯片板级封装结构及其制作方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511713174.7
    本发明公开了一种影像传感芯片板级封装结构及其制作方法，该封装结构包括：围堰式芯片单元，包括透明基板、围堰结构和影像传感芯片，影像传感芯片的正面具有感光区和焊盘，透明基板覆盖于感光区上方，透明基板与影像传感芯片之间设有围堰结构，围堰结构环绕感...
    2026-02-19
  • 自带匹配的宽带光电探测器芯片
    自带匹配的宽带光电探测器芯片_珠海思开达技术有限公司_202610013014.X
    本发明公开一种自带匹配的宽带光电探测器芯片，属于宽带半导体光电探测器芯片技术领域，包括供电端口；节点；第一射频输出端口，其与节点电气连接；第二射频输出端口；光电二极管，其负极与供电端口电气连接，其正极与节点电气连接；匹配电阻，其第一端与节点...
    2026-02-19
  • 一种非制冷红外探测器的深孔电连接方法
    一种非制冷红外探测器的深孔电连接方法_昆明物理研究所_202511463312.0
    本发明公开了一种非制冷红外探测器的深孔电连接方法，涉及半导体制造技术领域。该非制冷红外探测器基于氧化钒(VOx)材料的红外探测芯片制作，所述方法包括：步骤1，完成氧化钒非制冷探测器芯片的前期相关工艺；步骤2，形成图形化的光刻胶层A；步骤3，...
    2026-02-19
  • 非制冷红外探测器件的制备方法
    非制冷红外探测器件的制备方法_安徽晶微科技有限公司_202511313150.2
    一种非制冷红外探测器件的制备方法包括步骤：提供VOxx吸收面阵设置之前的流程片，流程片包含读出电路衬底、金属反射层、牺牲层以及支撑层；在支撑层上磁控溅射沉积氧化钒层并通过光刻和刻蚀形成VOxx吸收面阵，磁控溅射沉积氧化钒层采用两步溅射和两步...
    2026-02-19
  • 晶圆级封装工艺中牺牲层的去除方法
    晶圆级封装工艺中牺牲层的去除方法_安徽晶微科技有限公司_202511313145.1
    一种晶圆级封装工艺中牺牲层的去除方法包括步骤：S1，提供待释放牺牲层的已完成像元结构阵列的焊料环阵列设置的双层红外探测器晶圆，第一牺牲层设置在读出电路衬底和桥面和桥腿的图形之间，第二牺牲层设置在伞面的图形与桥面和桥腿的图形之间，第三牺牲层覆...
    2026-02-19
  • 一种区块式萦绕阴极硅漂移探测器
    一种区块式萦绕阴极硅漂移探测器_湘潭大学_202511523346.4
    本发明提供了一种区块式萦绕阴极硅漂移探测器，采用区块式萦绕阴极，以螺旋萦绕的方式向外扩展，每一圈长度变长的同时宽度变宽，保留了整面螺旋环的自主分压特性，使整个探测器由多个区块式组合而成，每个区块可独立调控阴极电势，从而形成了均匀互不干扰的独...
    2026-02-19
首页 上一页 9 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证