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最新专利技术
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510324656.7
    本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，所述栅极结构包括交替层叠的多个绝缘层和多个导电层；接触结构，该接触结构在所述栅极结构内延伸并且电连接到所述导电层之一；多个第二支撑件，每个第二支撑件包括支柱和突起，所...
    2026-02-21
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411067461.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：衬底、多层晶体管以及多层字线；多层晶体管，设置于衬底的一侧，晶体管包括半导体层和栅极；半导体层沿第一方向延伸，包括第一源漏极、第二源漏极、以及位于第一源漏极与第二源漏极之间...
    2026-02-21
  • 多次可擦除可编程存储器的制备方法
    多次可擦除可编程存储器的制备方法_成都锐成芯微科技股份有限公司_202610007975.X
    本发明涉及一种多次可擦除可编程存储器的制备方法，所述存储器的存储单元包含一个实施编程和擦除的晶体管，该方法包括如下步骤：在形成衬底表面上的有源区和隔离区之后、和形成所述晶体管的栅氧层之前，有源区上覆盖有一层牺牲氧化层，使用一个光罩露出有源区...
    2026-02-21
  • 一种半导体器件结构及其制备方法和半导体器件
    一种半导体器件结构及其制备方法和半导体器件_上海邦芯半导体科技有限公司_202610018430.9
    本申请公开了一种半导体器件结构及其制备方法和半导体器件，半导体器件结构包括：设于衬底上的有源区；设于有源区上的接触孔；接触孔中填充有掺杂半导体层，掺杂半导体层的顶面上具有凹陷结构，凹陷结构增大在掺杂半导体层顶面上的接触面积。本申请通过将对掺...
    2026-02-21
  • 半导体存储器装置及其制造方法
    半导体存储器装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511964352.3
    一种半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。于基板上形成多个容器型电容。在容器型电容之间对牺牲介电材料进行蚀刻以将其去除，从而在容器型电容之间形成间隙，并暴露每一容器型电容的上电极。在这些间隙内对每一容器型电容的上电极进行二硼烷处理。在间隙...
    2026-02-21
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511095451.2
    提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：位线结构，所述位线结构位于衬底上并且在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸；沟道，所述沟道位于所述位线结构上并且电连接到所述位线结构；前栅电极结构，所述前栅电极结构位于所述沟道在所述第一方向上的一...
    2026-02-21
  • 在有源图案之间包括气隙的半导体装置
    在有源图案之间包括气隙的半导体装置_三星电子株式会社_202510523540.6
    一种半导体装置包括：有源图案，其包括第一‑第一有源图案、第二‑第一有源图案和第三‑第一有源图案；背栅电极，其在第一‑第一有源图案和第二‑第一有源图案之间延伸并且在第一方向上延伸；第一字线和第二字线，第一字线和第二字线在第二‑第一有源图案和第...
    2026-02-21
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411074852.5
    本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何提高存储阵列性能的问题。该存储阵列包括层叠结构和存储单元，层叠结构包括交替层叠设置的绝缘层和信号线层；存储单元设置于层叠结构中；其中，每一信号线层包括信号...
    2026-02-21
  • 半导体器件及其制备方法和电子设备
    半导体器件及其制备方法和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411073911.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供形成有叠层结构的基底，叠层结构包括在第一方向上交替层叠的绝缘层和牺牲层，叠层结构包括字线预设区、晶体管预设区、位线预设区和存储预设区，字线预设区沿第二方向...
    2026-02-21
  • 半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411067672.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底，衬底正面具有多个第一沟槽；接着在第一沟槽内形成牺牲部，并使多个牺牲部分别朝向衬底正面一侧的表面相对于衬底凹陷并平齐；接着形成绝缘部，绝缘部填...
    2026-02-21
  • 存储器器件及用于形成半导体器件的方法
    存储器器件及用于形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474393.4
    本申请的实施例公开了存储器器件及用于形成半导体器件的方法。存储器器件包括具有彼此相对的第一侧和第二侧的衬底；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，形成在衬底的第一侧上的第一层级处，第一至第三晶体管均形成有第一导电性；以及第四晶体管、第五晶体管...
    2026-02-21
  • 集成电路结构及其形成方法
    集成电路结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466207.2
    本公开实施例提供了IC结构及其形成方法，IC结构包括：衬底，具有SRAM区域、逻辑区域和跨越在SRAM区域和逻辑区域之间的边缘区域；掺杂阱，形成在衬底中，并且包括第一N阱、第二N阱和P阱；有源区域，形成在掺杂阱上并且沿第一方向纵向取向；ST...
    2026-02-21
  • 适用于无弹簧吸嘴的取贴控制方法、系统及介质
    适用于无弹簧吸嘴的取贴控制方法、系统及介质_合肥安迅精密技术有限公司_202610031564.4
    本发明涉及贴片机控制技术领域，具体地涉及一种适用于无弹簧吸嘴的取贴控制方法、系统及介质，方法包括：通过Z轴驱动模块控制无弹簧吸嘴以第一速度下降至预设的安全悬空高度；根据Z轴驱动模块反馈到达安全悬空高度后，切换至第二速度，驱动无弹簧吸嘴减速下...
    2026-02-21
  • 一种用于贴片机的贴片送料设备
    一种用于贴片机的贴片送料设备_无锡万吉科技股份有限公司_202511898430.4
    本发明公开了涉及贴片制造技术领域的一种用于贴片机的贴片送料设备，所述设备包括贴片机体：其上设有贴片台；定位机构包括安装于贴片台上用于对元器件吸附的多个负压吸头，还包括对元器件定位的多个定位橡胶块，每个负压吸头均对应四个定位橡胶块，每个定位橡...
    2026-02-21
  • 一种电路板的SMT贴片机
    一种电路板的SMT贴片机_常州市宇讯电子有限公司_202511507021.7
    本发明涉及电路板生产技术领域，公开了一种电路板的SMT贴片机，包括加工台和电路板本体，加工台的上表面设置有对电路板本体限位的限位机构，所述加工台的下表面设置有对电路板本体固定的固定机构，所述加工台的底端设置有为限位机构提供动能传输的传动组件...
    2026-02-21
  • 一种自动调宽接料机
    一种自动调宽接料机_深圳市洋浦科技有限公司_202511485155.3
    本发明涉及料带的加工技术领域，公开了一种自动调宽接料机，包括机架，所述机架底板安装多个胶轮，所述机架内部设置电控箱，所述机架前侧安装所述废料箱，所述机架上安装接料装置，所述接料装置上安装防护罩，所述防护罩上安装所述触控屏，所述接料装置包括可...
    2026-02-21
  • 一种高速高精度的贴片机
    一种高速高精度的贴片机_中科光智(成都)科技有限公司_202511991692.5
    本发明公开了一种高速高精度的贴片机，包括管壳上料模组，用于提供装有管壳的弹夹料仓；管壳拾取蘸胶模组，用于获取弹夹料仓，并将管壳进行点胶处理；晶圆上料模组，用于放置待贴装的芯片；贴片头模组，用于获取芯片，并将芯片粘接在点胶处理后的管壳内；管壳...
    2026-02-21
  • 顶升装置、加工载台及加工设备
    顶升装置、加工载台及加工设备_深圳市大族微电子科技有限公司_202511516192.6
    本申请提供了一种顶升装置、加工载台及加工设备，加工设备包括顶升装置或加工载台，加工载台包括载台主体及顶升装置，载台主体具有沿第一方向相背设置的背面和放置平面，顶升装置包括驱动机构以及顶针升降机构，顶针升降机构包括顶针和连杆联动组件；顶针能够...
    2026-02-21
  • 一种长尺寸FPC植板设备
    一种长尺寸FPC植板设备_苏州市锐翊电子科技有限公司_202511514435.2
    本发明涉及FPC生产设备技术领域，公开了一种长尺寸FPC植板设备，包括载具料仓、植板轨道、满料盘上料仓、空料盘下料仓、水平移栽机构、载具上料手臂、产品上料手臂、料盘下料手臂和相机定位机构。其中产品上料手臂包括产品纵移驱动机构和多个产品抓取纠...
    2026-02-21
  • 一种电磁屏蔽材料及帐篷
    一种电磁屏蔽材料及帐篷_北京魁冠科技有限公司_202511937253.6
    本发明涉及一种电磁屏蔽材料及帐篷，电磁屏蔽材料包括：内芯层与屏蔽结构。内芯层的撕破强力范围为35~75N，且内芯层在14kHz~200kHz频段下的屏蔽效能范围为3~15dB。屏蔽结构分别为至少两个，两个屏蔽机构对称设置于内芯层的相对两侧面...
    2026-02-21
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