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最新专利技术
  • 一种三维堆叠的变频SIP
    一种三维堆叠的变频SIP_成都航天博目电子科技有限公司_202511639491.9
    本发明公开了一种三维堆叠的变频SIP，包括底部BGA球栅阵列、三维堆叠中间层焊球、陶瓷底板、可伐围框、盖板和可重构上层多层印制板；陶瓷底板、可伐围框和盖板共同组成陶瓷外壳；陶瓷底板上通过三维堆叠中间层焊球堆叠可重构上层多层印制板，将陶瓷外壳...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_苏州凌存科技有限公司_202511941976.3
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括器件主体与绝缘包覆层。器件主体具有第一表面与第二表面以及连接第一表面与第二表面的侧面，所述器件主体包括衬底与金属垫，所述金属垫设置于所述器件主体的第一表面。绝缘包覆层包覆所述器件主体的...
    2026-02-14
  • 一种半导体结构及其制备方法和电子设备
    一种半导体结构及其制备方法和电子设备_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511620685.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域。半导体结构包括：封装基板和封装芯片；封装芯片包括：中介层，中介层电性键合于封装基板一侧的表面；至少两个裸片，裸片电性键合于中介层背离封装基板一侧的表面，相邻裸片之间具有间...
    2026-02-14
  • 一种半导体塑封结构及其加工方法
    一种半导体塑封结构及其加工方法_郑州兴航科技有限公司_202511497426.7
    本申请涉及半导体塑封技术领域，具体提供一种半导体塑封结构及其加工方法，包括：引线键合后半成品和塑封料，引线键合后半成品置于与目标封装体匹配的塑封模具中，以通过塑封模具的多个浇口注入塑封料；引线键合后半成品包括：基板或引线框架，包括封装单元区...
    2026-02-14
  • 一种用于辐射器布置在芯片顶端的芯片封装结构
    一种用于辐射器布置在芯片顶端的芯片封装结构_深圳承泰科技股份有限公司_202511348282.9
    本发明公开了属于芯片技术领域的一种用于辐射器布置在芯片顶端的芯片封装结构，包括雷达壳体，所述雷达壳体上激光焊接密封连接设有天线罩，所述雷达壳体内安装设有PCB板，所述PCB板的正面设有芯片，所述芯片正反面设有若干引脚和N个波导辐射口组，所述...
    2026-02-14
  • 半导体装置、系统及制造方法
    半导体装置、系统及制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511022390.7
    公开了一种半导体装置，其包括第一半导体封装和与第一半导体封装分开的第二半导体封装，每个半导体封装包括：具有第一主面和与第一主面相对的第二主面的管芯载体、设置在第一主面上的晶体管管芯、连接到晶体管管芯的第一负载电极的第一引线、连接到晶体管管芯...
    2026-02-14
  • 具有带有由包封体垂直覆盖的系杆的载体的包封封装
    具有带有由包封体垂直覆盖的系杆的载体的包封封装_英飞凌科技股份有限公司_202511022388.X
    公开了一种封装(100)，其包括：载体(102)，所述载体(102)包括部件安装区域(104)，系杆(106)从所述部件安装区域延伸，所述系杆(106)被配置为在包封期间由包封工具引脚(108)夹持；电子部件(110)，所述电子部件安装在所...
    2026-02-14
  • 具有在具有凹口的台阶侧壁处暴露的系杆的包封封装
    具有在具有凹口的台阶侧壁处暴露的系杆的包封封装_英飞凌科技股份有限公司_202511015498.3
    提供一种具有在具有凹口的台阶侧壁处暴露的系杆的包封封装。根据实施例，一种封装(100)包括：载体(102)，所述载体(102)包括部件安装区域(104)，系杆(106)从部件安装区域(104)延伸，系杆(106)被配置为在包封期间由包封工具...
    2026-02-14
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星电子株式会社_202510312847.1
    提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件可以包括基体芯片、位于基体芯片上的至少一个芯片堆叠模块以及位于基体芯片上并且密封至少一个芯片堆叠模块的密封剂。至少一个芯片堆叠模块可以具有其中多个存储器芯片可以堆叠并且一致化的整体结构。至少一...
    2026-02-14
  • 扇出封装器件及其制备方法、电子设备
    扇出封装器件及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411016996.5
    本申请实施方式提供一种扇出封装器件及其制备方法、电子设备。扇出封装器件包括芯片、多个电极、第一模塑层、重布线层及第二模塑层。多个电极凸设在功能面。第一模塑层覆盖芯片及多个电极，第一模塑层包括相对设置的第一表面与第二表面。第二表面上设有沟槽。...
    2026-02-14
  • 功率芯片封装方法及功率模块
    功率芯片封装方法及功率模块_深圳明阳电路科技股份有限公司_202511610337.9
    本申请公开了一种功率芯片封装方法及功率模块，涉及芯片封装技术领域。功率芯片封装方法包括制作封装衬底，并在封装衬底上定义导电层和空白区，空白区位于导电层的周侧；在封装衬底的空白区形成绝缘层；将功率芯片组装在封装衬底的导电层上；切割封装衬底，并...
    2026-02-14
  • 一种应用硅胶的通信芯片封装设备及使用方法
    一种应用硅胶的通信芯片封装设备及使用方法_江苏天辰新材料股份有限公司_202511564665.X
    本发明公开了一种应用硅胶的通信芯片封装设备及使用方法，涉及芯片封装设备技术领域，该设备包括底座、下模具、上模具、支撑架、喷头，一组所述喷头设置有多个，多个所述喷头纵向等距滑动连接在底座的内部，所述喷头的外壁固定连接有环形板，所述环形板通过螺...
    2026-02-14
  • 一种芯片加工用封装设备
    一种芯片加工用封装设备_南京库勒塞姆工业设计有限公司_202511548040.4
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供了一种芯片加工用封装设备，包括：底座，底座的顶部设置有挤塑部件，底座内设置有输送组件，底座在输送组件的顶部开设有通槽一，底座的顶部固定连接有操作板，底座在操作板的一侧设置有输送空间，底座在输送空间的一侧固定连...
    2026-02-14
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411000763.6
    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括以下步骤：于衬底上形成叠层结构；刻蚀叠层结构，形成沟槽；于沟槽内形成填充沟槽的栅极；于栅极背离衬底的表面形成保护层；于叠层结构背离衬底的表面形成覆盖保护层的绝缘材料层；研磨绝缘...
    2026-02-14
  • 一种芯片、芯片模组及终端
    一种芯片、芯片模组及终端_展讯通信(上海)有限公司_202511493068.2
    本申请涉及一种芯片、芯片模组及终端。该包括基板和至少一个IO PAD组，IO PAD组包括至少两层IO PAD层，IO PAD层包括至少一个同向设置的IO PAD，IO PAD包括第一端和第二端，第一端的电压值大于或等于第一阈值，第二端的电...
    2026-02-14
  • 一种回转体曲面纳米银的均匀烧结方法
    一种回转体曲面纳米银的均匀烧结方法_西安电子科技大学_202511577894.5
    本发明公开了一种回转体曲面纳米银的均匀烧结方法，包括：根据不同的激光反射角对平面纳米银进行分区域烧结，根据烧结后不同区域纳米银的电阻，确定最优激光烧结参数；根据最优激光烧结参数，将回转体纳米银划分成若干个烧结条带，得到每个烧结条带对应的激光...
    2026-02-14
  • 一种芯片贴片方法
    一种芯片贴片方法_浙江鼎晶科技有限公司_202512023748.4
    本发明提供一种芯片贴片方法，涉及半导体封装技术领域，通过“初对位‑精对位‑定位‑贴片”的完整流程，依托芯片对位系统同步采集芯片上部图案区与底部前端切割边并建立位置关联，结合具备上下同步采集能力的定位系统，实现芯片对位系统与定位系统的联动：针...
    2026-02-14
  • 一种互联焊盘结构、制备方法及电子封装组件
    一种互联焊盘结构、制备方法及电子封装组件_憬宏半导体(广东横琴)有限公司_202511436510.8
    本发明公开了一种互联焊盘结构、制备方法及电子封装组件，互联焊盘结构包括：刚性金属芯体；覆盖于所述刚性金属芯体至少一个主表面的可焊接层；设于所述刚性金属芯体与所述可焊接层之间的应力缓冲层；所述刚性金属芯体的热导率比所述应力缓冲层的热导率大，所...
    2026-02-14
  • 一种电镀凸块的制备方法和芯片
    一种电镀凸块的制备方法和芯片_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511548356.3
    本发明公开了一种电镀凸块的制备方法和芯片，制备方法包括：提供基底；基底包括位于基底的表面、露出导电结构的第一开口；在基底的表面形成第一光阻层，并在第一开口上方的第一光阻层形成第二开口；在第二开口形成第一金属凸块；在形成第一金属凸块后，去除第...
    2026-02-14
  • 一种电镀钯重布线层-化镀镍金凸块结构及制作方法
    一种电镀钯重布线层-化镀镍金凸块结构及制作方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202511501381.6
    本发明公开了一种电镀钯重布线层‑化镀镍金凸块结构及制作方法，涉及半导体制造技术领域，该电镀钯重布线层‑化镀镍金凸块结构及制作方法，包括从下向上设置的晶圆、铝垫导电层、绝缘层、第一溅射UBM钛钨层、第一溅射UBM金层、电镀钯重布线层、聚酰亚胺...
    2026-02-14
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