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最新专利技术
  • 一种用于Lift-off工艺的去胶方法及去胶机台
    一种用于Lift-off工艺的去胶方法及去胶机台_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511598202.5
    本发明提供一种用于Lift‑off工艺的去胶方法及去胶机台，本发明的一种用于Lift‑off工艺的去胶方法包括提供一衬底；在衬底上形成第一金属层；在第一金属层上形成图形化的光刻胶层；在衬底和图形化的光刻胶层上形成第二金属层，使第二金属层同时...
    2026-02-14
  • 无金属孔洞的布线层方法
    无金属孔洞的布线层方法_青岛天仁微纳科技有限责任公司_202511624594.8
    本发明涉及无金属孔洞的布线层方法，其包括以下步骤；步骤一，基于硅晶圆加工，获得孔部和表层连线部连线的模板部；其中，模板部为基础，孔部和表层连线部在模板部上表面；步骤二，进行两次结构复制，获得孔与线型印章；步骤三，基于步骤二，生长金属薄膜层；...
    2026-02-14
  • 具有自适应热管理的先进3D封装平台
    具有自适应热管理的先进3D封装平台_广州市君盘实业股份有限公司_202511542667.9
    本发明公开了具有自适应热管理的先进3D封装平台，属于半导体封装技术领域。包括：形状记忆合金网络、相变材料微胶囊、预应力填充料系统、硅通孔、监控系统；形状记忆合金网络：通过100微米直径形状记忆合金导线实现翘曲补偿低于2微米，具有8％可逆应变...
    2026-02-14
  • 具有变化通信路径机构的设备及其制造方法
    具有变化通信路径机构的设备及其制造方法_美光科技公司_202511040825.0
    本公开涉及具有变化通信路径机构的设备及其制造方法。描述与具有长度相关宽度的通信路径相关的方法、设备及系统。设备可拥有具有不同宽度及/或间隔或间距的通信路径以协调信号时序。
    2026-02-14
  • 一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法
    一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511386257.X
    本发明提供一种改善浅沟槽隔离侧壁缺陷的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：提供层叠结构，层叠结构包括自下而上依次层叠设置的硅衬底、垫氧化层和硬掩膜层；第一刻蚀步：以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀垫氧化层使其图案化，以及刻蚀硅衬底的顶...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411009658.9
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件、电子设备，半导体结构包括：基底；沿第一方向排列的至少两列存储结构，每列存储结构包括在所述基底上堆叠设置的多层存储单元，每层所述存储单元均包括沿第二方向排列的多个存储子单元，所述第一方向平行与...
    2026-02-14
  • 一种光刻垂直轮廓图形优化方法
    一种光刻垂直轮廓图形优化方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202511422120.5
    本发明公开一种光刻垂直轮廓图形优化方法，属于集成电路制造技术领域，包括如下步骤：步骤S1，基板包括从下至上依次设置的衬底、薄膜、硬掩膜和光刻胶，使用光刻工艺在光刻胶上进行曝光获得图形结构；步骤S2，通过刻蚀工艺将图形结构转移至薄膜上；步骤S...
    2026-02-14
  • 贴片法制备SOI衬底的方法及SOI衬底
    贴片法制备SOI衬底的方法及SOI衬底_上海新傲科技股份有限公司_202511707331.3
    本发明涉及一种贴片法制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述贴片法制备SOI衬底的方法包括如下步骤：形成初始SOI结构，所述初始SOI结构包括第一晶圆、第二晶圆以及夹设于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的埋氧层；对所述初始SOI结构中的所述第一...
    2026-02-14
  • 一种复合薄膜的制备方法
    一种复合薄膜的制备方法_济南晶正电子科技有限公司_202511550030.4
    本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种复合薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：准备衬底和薄膜基板，其中，衬底和薄膜基板的键合面均包括内部区域和边缘区域；对薄膜基板和或衬底的键合面边缘区域进行挖槽处理以形成凹槽，所述凹槽处为非键合区；对薄...
    2026-02-14
  • 反射板、温度控制方法、热处理腔室、热处理设备
    反射板、温度控制方法、热处理腔室、热处理设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511595888.2
    本申请提供一种反射板、温度控制方法、热处理腔室、热处理设备，反射板包含至少两个加热区，每一个加热区内均设有测温装置和加热装置，测温装置和加热装置用于与控制器通信连接。本申请在进行热处理工艺时，可以通过测温装置实时测量各加热区的温度，并通过加...
    2026-02-14
  • 利用复合缺陷自补偿效应调控氧化镓衬底电阻率的方法
    利用复合缺陷自补偿效应调控氧化镓衬底电阻率的方法_武汉大学_202511538695.3
    发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种利用复合缺陷自补偿效应调控氧化镓衬底电阻率的方法，通过在富氧气氛中在一定温度下对n型掺杂氧化镓衬底进行退火，形成深能级受主复合缺陷，调控氧化镓衬底的电阻率。本发明的方法直接在氧气氛围下对n型氧化镓...
    2026-02-14
  • 具有防污染功能的半导体处理装置
    具有防污染功能的半导体处理装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511480231.1
    本发明涉及一种具有防污染功能的半导体处理装置。所述具有防污染功能的半导体处理装置包括：箱体，包括外壳、顶盖和内衬层，所述外壳围合形成处理腔室，所述顶盖与所述外壳连接，以封闭所述处理腔室，所述内衬层覆盖于所述外壳朝向所述处理腔室的整个内壁上并...
    2026-02-14
  • 一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统
    一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511586203.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法，包括以下步骤：利用约束型气流场，在硅片倒角区域形成一层稳定的、可调控的反应气溶胶薄膜或低温等离子体域；使用精确聚焦的飞秒激光，通过多光子吸收效应，仅...
    2026-02-14
  • 一种多介质切换的半导体喷淋设备
    一种多介质切换的半导体喷淋设备_正阳融合微电子技术(珠海)有限公司_202512040204.9
    本发明提供了一种多介质切换的半导体喷淋设备，包括密封机体，所述密封机体的中部设置有预载安装板，所述预载安装板将所述密封机体分隔为位于上部的入料层和位于下部的喷淋层，所述预载安装板的外侧设置有入料移栽机构，所述预载安装板上设置有旋转对中对位机...
    2026-02-14
  • 半导体结构的制备方法与半导体结构
    半导体结构的制备方法与半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202512035000.6
    本公开提供一种半导体结构的制备方法与半导体结构，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底，所述衬底上设置有基础层；在所述基础层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层从下到上依次包括第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、碳层；在所述硬...
    2026-02-14
  • 一种填充回刻获得光刻负图形的方法和光刻负图形
    一种填充回刻获得光刻负图形的方法和光刻负图形_中国科学院光电技术研究所_202511372986.X
    本发明涉及半导体光刻技术领域，公开一种填充回刻获得光刻负图形的方法和光刻负图形，获得光刻负图形的方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成介质层，在所述介质层上通过光刻和刻蚀形成第一图形结构；S2、采用含碳材料填充所述第一图形结构并在所述介质层上...
    2026-02-14
  • 半导体晶圆翘曲度的检测方法和装置
    半导体晶圆翘曲度的检测方法和装置_上海车仪田科技有限公司_202512039355.2
    本发明涉及半导体检测技术领域，提供一种半导体晶圆翘曲度的检测方法和装置，该方法，包括：向半导体设备反应腔的观察窗发射一束激光；使激光的一部分经观察窗部分反射形成参考反射光束，激光的另一部分透射到半导体设备反应腔中的晶圆的表面，再由晶圆的表面...
    2026-02-14
  • 漏电监测结构及方法
    漏电监测结构及方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512035442.0
    本申请提供了一种漏电监测结构及方法，属于半导体技术领域，包括第一监测结构和第二监测结构，第一监测结构包括第一阱区、第一隔离结构及第一有源区，第一有源区的周长与MOS管的有源区的周长相等或与MOS管的有源区内的源区和漏区的周长之和相等；第二监...
    2026-02-14
  • 半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统
    半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统_上海车仪田科技有限公司_202512035143.7
    本发明涉及半导体检测技术领域，提供一种半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统。该方法包括：在发射光路中，向半导体反应腔内的晶圆表面发射入射光束；在主接收光路中，获取晶圆表面反射的主通道信号，主接收光路与发射光路在晶圆表面形成共焦关系；对主...
    2026-02-14
  • 晶圆抽片检测管理方法、系统、电子设备和存储介质
    晶圆抽片检测管理方法、系统、电子设备和存储介质_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512021038.8
    本发明提供了一种晶圆抽片检测管理方法、系统、电子设备和存储介质，该方法包括：根据晶圆生产线上的各个工程站点的设备信息和各个缺陷检测站点的位置信息，创建数据库；针对每个缺陷检测站点，根据数据库确定出该缺陷检测站点所对应的所有工程站点；根据各批...
    2026-02-14
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