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  • 本发明公开了热镀锌工艺钝化液智能闭环控制系统,具体涉及工业过程自动控制技术领域,用于解决现有钝化液控制方式滞后于间歇式生产节拍变化导致参数波动大的问题;是通过信号监测模块识别生产节拍周期并计算预估补偿值,熵权生成模块基于符号序列信息熵生成权...
  • 本发明公开了一种基于植酸制备的金属防锈蚀处理液的制备方法,涉及植物化工与天然产物提取领域。该液体通过植酸与金属离子络合、加入防腐剂和稳定剂,并使用水或水/乙醇作为溶剂,形成均匀致密的保护膜,能有效隔绝腐蚀介质如水分、氧气等。本发明处理液对碳...
  • 本发明公开了一种低成本简单工艺制备高熵氧化物陶瓷涂层的制备方法和应用,属于宽温域耐磨防护领域。具体采用溶胶‑凝胶法制备以(Mg0.25(1‑x)0.25(1‑x)Co0.25(1‑x)0.25(1‑x)Ni0.25(1‑x)0.25(1‑x...
  • 本申请提供了一种ALD设备的温度控制方法、装置及电子设备,涉及一般控制或调节系统技术领域,在针对下一时刻的ALD设备内的加热装置的功率控制进而控制ALD设备反应腔室内的温度时,通过递推最小二乘算法根据当前时刻的温度实测值、上一时刻的控制输出...
  • 本发明涉及光伏设备领域,公开了一种板式PECVD设备进气与射频系统,设置于设备的腔盖上,其包括九个特气进气口、四个远程等离子体源进气口以及与特气入口在数量和空间分布上相协同的射频电源馈入系统、具备主动调节能力的多级分流气体管路系统。九个特气...
  • 本公开提供一种成膜方法、保护膜以及基板处理装置,抑制微粒的产生。一种成膜方法,是在等离子体处理装置中在处理室内的构件的表面形成保护膜的成膜方法,其中,向所述处理室内供给包含第一含硅气体和第一含氧气体的处理气体,并向上部电极供给用于生成等离子...
  • 本发明涉及镀膜技术领域,具体为一种PECVD无遮挡全面镀膜工艺结构,其能够保障成膜均匀性,提高基板利用率和生产良率,降低成本,其包括下部电极和遮挡框,所述下部电极上开设有氩气通孔,所述氩气通孔连通氩气进气管,所述电极的上表面边缘设置有绝缘框...
  • 本申请涉及化学气相沉积设备技术领域,且公开了一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置,包括活动设置在反应箱内的载板,且载板由设置在反应箱内的电机驱动旋转,载板的外边缘固定安装有若干圆周阵列分布的载片装置,所述载片装置包括倾斜设置的基座,基...
  • 本发明公开了一种转盘结构及镀膜设备,包括:设置在炉体外的驱动装置,其输出端连接有传动轴,传动轴部分伸入炉体内并连接有第一齿轮组,第一齿轮组连接有基座,基座沿周向并间隔设置有多个电极座,每个电极座或任意两个相邻的电极座之间均与对应的载具电连接...
  • 本公开涉及包括衬底支承台的沉积装置。根据实施方式的用于沉积的衬底支承台包括:基础部分;边缘夹持部分,位于基础部分的侧壁的侧表面上;以及加热器,位于边缘夹持部分上。边缘夹持部分包括主部分、第一突出部分和第二突出部分,第一突出部分和第二突出部分...
  • 本发明涉及PECVD生产设备领域,尤其是指一种用于PECVD设备的转动架装置,其包括转动架机构、公自转驱动机构以及浮动承载机构,转动架机构可转动地设置在浮动承载机构上,公自转驱动机构与转动架机构驱动连接;转动架机构包括固定支架以及多个转架组...
  • 本发明公开了一种原子层薄膜沉积工艺设备,涉及原子层薄膜沉积技术领域,包括箱体和调节组件,所述箱体的后侧安置有喷气头,且箱体的下部固定有排气管,所述箱体的内部设置有隔板,所述调节组件贯穿于箱体的内部,且调节组件包括电缸。本发明通过隔板和密封板...
  • 本发明公开了一种薄膜沉积设备用喷淋头气体混合结构,属于半导体生产技术领域,包括两个用于调节输入气体压力的调压机构,调压机构上设置有用于调节输入气体流速的调速机构,调速机构上设置有用于将多种气体进行混合的混合机构;本发明设置的调压机构能够实时...
  • 本发明属于光学薄膜设计及制备技术领域,具体涉及一种光学镜片表面多层复合增透膜的制备方法。制备方法包括:在光学镜片表面依次进行原子层沉积形成过渡层、高折射率层、低折射率层、高折射率层和封装层。本发明所述的原子层沉积方法,能够在不同曲率半径的非...
  • 本发明涉及半导体工艺设备技术领域,具体涉及一种基于ALD半导体设备的气体喷淋装置,包括盘架,盘架还包括进气腔室、转运腔室和出口板架,进气腔室内设有筒状支撑件,转运腔室内具有多个输气管道,所述筒状支撑件顶部固定安装有混匀件,混匀件内具有气室腔...
  • 本发明公开了一种多片式镀膜装置,包括主体框架、盖板组件、进气组件、排气组件和卡塞盒组件,该镀膜装置内部下端板和底板之间的间距、所述上端板与盖板组件底部表面之间的距离、所述卡塞盒侧板与侧板之间的距离、最靠近上端板一侧的鳍板与上端板之间的距离、...
  • 本发明涉及银制品处理技术领域,公开了一种提高银制品机械特性及防腐蚀特性的方法,该方法将银制品置于具有内外双腔体结构的原子层沉积设备中,通过载气引入三甲基铝和去离子水前驱体,采用脉冲方式交替导入前驱体,并在每次脉冲后关闭反应腔与真空泵之间的阀...
  • 为克服现有原子层沉积含硅膜时存在沉积速率低和成膜质量不足的问题,本发明提供了一种薄膜沉积原料,包括主材料和掺杂物,所述主材料选自烷基取代氨基硅烷,所述掺杂物选自结构式1所示的含氧硅烷;。同时,本发明还公开了一种覆膜件及含硅膜沉积方法。本发明...
  • 本发明提供了气箱、薄膜沉积设备、控制方法及存储介质。所述气箱包括箱体、冷风管路、汽化检测仪及控制器。所述箱体的箱壁设有进风口,而其内部设有前驱体的汽化器。所述冷风管路的第一端连接冷风源,其第二端连接所述箱体的进风口,而其内部设有阀门。所述汽...
  • 本发明涉及流化床技术领域,具体公开了一种纳米包覆材料的CVD流化制备装置及方法,包括:固定筒;气体分布环,所述固定筒内活动安装有气体分布环,所述气体分布环与固定筒之间连接有若干弹性件一。本发明中,堆积在气体分布环上的颗粒在重力作用下使气体分...
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