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最新专利技术
  • 半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法
    半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法_富芯晶圆制造(深圳)有限公司_202511764848.6
    本发明涉及一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，涉及半导体材料制备技术领域，该半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长腔室、设置在生长腔室上部的籽晶固定结构以及设置在生长腔室下部的原料容纳区，还包括排气阻隔部，排气阻隔部设置在原料容纳区中，排气...
    2026-03-25
  • 一种稀土石榴石薄膜位错预防与控制方法
    一种稀土石榴石薄膜位错预防与控制方法_森一量子科技(厦门)有限公司_202511924198.7
    本发明涉及一种稀土石榴石薄膜位错预防与控制方法，包含以下步骤：采用改进型米字形定点检测法的要求进行布置测试点；记录每个测试点的不同种类位错的个数进行统计，最终确定基片的位错总数和观测视场位错数量峰值；进行基片筛选与评级。本发明采用的改进型米...
    2026-03-25
  • 一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构
    一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构_山东国镓晶谷半导体科技有限公司_202511544613.6
    本发明公开了一种导模法氧化镓单晶生长的测温及观察结构，属于氧化镓制备技术领域，包括主炉体、提拉组件、反射组件、监测组件、冷却组件和电控组件，反射组件通过活动框架随籽晶同步升降，反射阵列始终位于晶体对侧，实现晶体背面连续反射成像，保证每个反射...
    2026-03-25
  • 单晶炉集控系统及方法
    单晶炉集控系统及方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511626238.X
    一种单晶炉集控系统，包括：集控服务器，及与集控服务器通信连接的本地工控机服务器；集控服务器，包括：数据存储模块、数据获取模块及数据处理模块。一种单晶炉集控方法，包括以下步骤：S0、获取监测点当前数据；S1、将监测点当前数据与第一判断标准进行...
    2026-03-25
  • 单晶炉用冷却水稳压控制装置及冷却水循环系统
    单晶炉用冷却水稳压控制装置及冷却水循环系统_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511533711.X
    该发明提供一种单晶炉用冷却水稳压控制装置，包括稳压调节阀、控制器和流量传感器，稳压调节阀和流量传感器依次安装在连接单晶炉的进水管上，控制器分别与稳压调节阀和流量传感器电性连接，控制器接收流量传感器的信号，获取该进水管中的当前水流量值，并根据...
    2026-03-25
  • 降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法
    降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511515002.9
    本发明提供降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法，涉及大尺寸直拉单晶技术领域，在拉晶过程中，通过在放肩后期降低坩埚转速及降低加热功率降低幅度，以预先形成一个设定的空位型点缺陷区域，然后在等径前期增加坩埚转速及增加加热功率降低幅度；以在放肩后期从“...
    2026-03-25
  • 一种调节单晶热场高度的方法及执行系统
    一种调节单晶热场高度的方法及执行系统_包头美科硅能源有限公司_202511846586.8
    本发明提供的一种调节单晶热场高度的方法及执行系统，涉及单晶硅制造技术领域。该调节单晶热场高度的方法通过在炉底铺设软毡，并利用由母垫块和子垫块组成的垫块组合单元支撑中下保温筒，将热场温度梯度需求转化为具体的机械支撑高度，安装时通过增减子垫块数...
    2026-03-25
  • 一种单晶硅棒及其制备方法、硅片
    一种单晶硅棒及其制备方法、硅片_内蒙古中环领先半导体材料有限公司_202511891907.6
    本申请实施例公开了一种单晶硅棒及其制备方法、硅片，属于半导体领域。该制备方法包括：将待添加的掺杂剂放入硅管盒；将硅管盒投入硅原料进行单晶硅棒的拉制。本申请的技术效果在于：通过在投料时，将掺杂剂放入硅管盒中，减少掺杂剂投放的损失，进而改善单晶...
    2026-03-25
  • N型单晶硅掺锑量确定方法、电子设备、系统和程序产品
    N型单晶硅掺锑量确定方法、电子设备、系统和程序产品_双良硅材料(包头)有限公司_202511504744.1
    本发明公开了一种N型单晶硅掺锑量确定方法，对于同一炉台执行以下操作：获取当前段最后一桶料筒加料完成时间，该时间记为第一时间；响应于炉台发生第一次断线且不添加硅料，获取第一次断线发生时间，该时间记为第二时间；将第二时间与第一时间的时间间隔记为...
    2026-03-25
  • 一种N型单晶硅片的制备方法
    一种N型单晶硅片的制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511504793.5
    本发明涉及单晶硅技术领域，尤其是涉及一种N型单晶硅片的制备方法。本发明提供的一种N型单晶硅片的制备方法，包括以下步骤：S1、将拉制P型硅的硅原料、磷硅母合金和锗元素添加剂依次进行化料、熔接、引晶、缩颈、放肩、等径和收尾，得到N型单晶硅棒；S...
    2026-03-25
  • 一种湿法冶金尾渣中痕量锗的定向凝固提纯及晶体生长方法
    一种湿法冶金尾渣中痕量锗的定向凝固提纯及晶体生长方法_泸溪蓝天高科有限责任公司_202511763251.X
    本发明涉及单晶生长技术领域，公开一种湿法冶金尾渣中痕量锗的定向凝固提纯及晶体生长方法，包括：形成悬浮的液态锗熔区；在供给尾渣粉末原料的同时，引入受控微量氧化气氛将导电杂质转化为非导电氧化物；利用感应加热的电磁力学差异分离非导电杂质与非导电氧...
    2026-03-25
  • 一种手表防爆曲面蓝宝石玻璃的制备方法
    一种手表防爆曲面蓝宝石玻璃的制备方法_东莞市昱峰光学科技有限公司_202510999905.2
    本发明涉及蓝宝石制备技术领域，尤其为一种手表防爆曲面蓝宝石玻璃的制备方法，包括以下步骤：步骤一，原料预处理；步骤二，长晶炉准备；步骤三，熔融与晶体生长；步骤四，冷却与后处理；步骤五，切割加工；本发明中，通过采用的原料预处理，长晶炉准备，熔融...
    2026-03-25
  • 一种高通量CVT气相输运沉积合成生长制备晶体材料的装置
    一种高通量CVT气相输运沉积合成生长制备晶体材料的装置_武汉是维光电科技有限公司_202511346393.6
    本发明公开了一种高通量CVT气相输运沉积合成生长制备晶体材料的装置，包括：带有密封管的生长加热炉，所述密封管一端设有带有阀门的泵管接口，用于密封管内部真空化或填充指定气体；磁耦合直线导入器，通过螺纹安装接口设置在密封管另一端，用于驱动带有生...
    2026-03-25
  • 一种获取高质量铯铜碘单晶的近平衡态生长方法
    一种获取高质量铯铜碘单晶的近平衡态生长方法_中山大学_202511566569.9
    本发明属于光电子材料制备与应用技术领域，具体涉及一种获取高质量铯铜碘单晶的近平衡态生长方法。本发明首先测量Cs33Cu22I55在混合有次磷酸的氢碘酸溶液体系中的溶解曲线和亚稳曲线，并据此配制籽晶环境溶液和生长溶液，控制籽晶环境溶液与籽晶生...
    2026-03-25
  • 一种富锂锰基单晶正极材料及其制备方法和应用
    一种富锂锰基单晶正极材料及其制备方法和应用_山东创能新材料有限公司_202511773108.9
    本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种富锂锰基单晶正极材料及其制备方法和应用。本发明通过分步水热反应得到富锂锰基前驱体，将其与锂源和添加剂混合进行第一烧结，得到的富锂锰基正极材料和包覆剂混合进行第二烧结，得到包覆后的富锂锰基正极材料；进...
    2026-03-25
  • 一种在常压高温下生长大尺寸同位素六方氮化硼的制备方法及其在中子探测中的应用
    一种在常压高温下生长大尺寸同位素六方氮化硼的制备方法及其在中子探测中的应用_西安电子科技大学_202511489530.1
    本发明公开了一种在常压高温下生长大尺寸同位素六方氮化硼的制备方法及其在中子探测中的应用，方法包括：将镍粉、铬粉和硼粉混合均匀，得到硼与镍铬合金的混合物；随后在保护气气流下进行脱氧处理；再降低体系压力后，通入保护气和反应性保护气的混合气体至常...
    2026-03-25
  • 基于液态金属工具阴极的内流道抛光机构及抛光方法
    基于液态金属工具阴极的内流道抛光机构及抛光方法_苏州大学_202511805220.6
    本发明公开了一种基于液态金属工具阴极的内流道抛光机构及抛光方法，包括第一可编程交直流电源、第二可编程交直流电源、导电软管、液态金属液滴和内流道工件；液态金属液滴位于内流道工件的内流道内，且内流道填充电解液，内流道两端分别通过密封连接的电极连...
    2026-03-25
  • 金属工件表面抛光自动化处理装置、方法及应用
    金属工件表面抛光自动化处理装置、方法及应用_苏州奥芮济医疗科技有限公司_202511817351.6
    本发明公开了金属工件表面抛光自动化处理装置、方法及应用。本发明采用自动化传输装置自动化转移工件，实现了各工序之间的自动化衔接，实现了纯镁工件等金属工件的自动化环保电化学抛光工艺，与现有技术相比，本发明全程仅使用水作为清洗介质，无需使用有毒有...
    2026-03-25
  • 一种增材成形受限空间的干式电解振动抛磨方法
    一种增材成形受限空间的干式电解振动抛磨方法_太原理工大学_202511941175.7
    本发明属于零件表面光整加工技术领域，旨在解决目前干式电解抛光存在介质流动性差、离子传质能力低、电化学反应动力不足的问题。提供一种增材成形受限空间的干式电解振动抛磨方法，包括以下步骤：选择离子树脂颗粒和滚抛磨块的颗粒尺寸；将滚抛磨块和离子树脂...
    2026-03-25
  • 一种电解液组合物、一种重轨钢用非金属夹杂物的电化学原位腐刻方法及应用
    一种电解液组合物、一种重轨钢用非金属夹杂物的电化学原位腐刻方法及应用_攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司_202511531187.2
    本发明提供了一种电解液组合物、一种重轨钢用非金属夹杂物的电化学原位腐刻方法及应用。所述电解液组合物包括：1.6~2.3份氯化锂，10~13.5份乙酰丙酮，45~84份甲醇，以及2~43份试剂A；所述试剂A为乙二胺四乙酸和柠檬酸钠的混合水溶液...
    2026-03-25
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