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  • 本发明涉及芯片制造的技术领域,提供了一种车规级芯片制造方法和芯片封装结构,包括:S1:提供芯板、功率模块和散热铜块;在所述芯板上制备第三布线层和第四布线层以形成第一半成品板;在所述第一半成品板上加工第一通孔和第二通孔;将所述功率模块安装到所...
  • 本发明提供一种具有微凸块的基板构造,包含基板、多个凸块下金属层及多个锥体微凸块,各该凸块下金属层的导接凹部设置于该基板的保护层的开口中且电性连接该开口中的焊垫,各该锥体微凸块具有位于该导接凹部中的跟部及凸出于该导接凹部的接触部,各该锥体微凸...
  • 本发明属于电子装配领域,提供一种引线元器件动态波去金工艺方法,包括预处理、加热锡料、引线元器件插装、喷涂助焊剂、预热、动态波去金处理、过程监控与参数调整、后处理的完整方法流程。所发明工艺方法可通过将动态波应用于引线元器件的去金过程中,可使引...
  • 本发明提供了一种端子焊接用焊片包裹装置及方法,包括:底座,所述底座上开有直滑槽;侧压块,所述侧压块的数量为两个,两个侧压块沿直滑槽长度方向可移动地连接于直滑槽内侧,两个侧压块之间形成与端子连接头相对应的夹持槽,侧压块用于压紧U形焊片的垂直部...
  • 本申请公开一种半导体结构和封装芯片,半导体结构包括封装基板、至少一个第一存储颗粒和至少一个中间层,其中,封装基板的第一表面上设置有第一焊盘;每一第一存储颗粒的第一表面的中心区域设置有第二焊盘,且每一第一存储颗粒的第一表面设置有至少一个第一中...
  • 本发明提供一种改善外延层套刻偏移的方法、一种超级结器件及其制作方法。所述改善外延层套刻偏移的方法中,多个外延层中的至少两个作为对准层,对准层中制作有用于光刻对准的标记图形,标记图形为位于对准层中的沟槽,其中,位于下方的对准层的标记图形对位于...
  • 一种测试结构、测试结构的测试方法,其中测试结构包括:至少2个测试阵列单元,每个测试阵列单元中具有不同数量的晶体管;所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接;每个测试阵列单元中的晶体管的漏极电连接。通过设置多个测试阵列单元,且将所有...
  • 本发明涉及一种薄膜电阻的制造方法及薄膜电阻结构。所述方法包括:在晶圆的第一主面形成第一金属层;形成与所述第一金属层接触的掩蔽层;在所述第一主面形成电阻材料层并进行图案化,图案化后的电阻材料层包括薄膜电阻,且所述薄膜电阻通过所述掩蔽层与所述第...
  • 本发明提供一种含能器件结构及其制备方法,该结构包括基座、热激发含能层、加热电极和含能材料层;热激发含能层设置于基座;加热电极设置于热激发含能层;含能材料层分别设置于热激发含能层和加热电极;其中,热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和填充于微...
  • 本发明提供了一种多孔铝基吸液芯及其制造方法和应用。该多孔铝基吸液芯包括导热基板和吸液芯结构,吸液芯结构设于导热基板上;吸液芯结构包括微孔基体、宏观通道和纳米表面层;微孔基体的材质为铝合金,相邻的孔隙相互连通形成连续的毛细网络;宏观通道呈周期...
  • 本发明提供一种技术,能兼顾确保用于安装冷却器的螺钉和半导体模块的水平端子之间的绝缘性、与半导体单元的小型化。半导体单元包括:半导体模块(1),其具有半导体装置、以及与半导体装置电连接并从侧面向水平方向突出的水平端子(7);基板(3),其上表...
  • 本申请实施例公开了一种光电共封装结构及方法,光电共封装结构包括:光芯片、虚拟芯片、电芯片和微流泵。光芯片、虚拟芯片和电芯片,沿垂直方向依次堆叠。虚拟芯片的顶面与电芯片的底面键合,虚拟芯片的底面与光芯片的顶面键合;其中,虚拟芯片包括:第一微流...
  • 本发明属于MEMS散热技术领域,提供了一种圆形蛛网式微通道散热器,包括镂空环形散热器隔板、环形上底板、圆形下底板、侧壁圆形出水口、中心圆形进水口和若干与圆形下盖板相连接的蛛网状铜柱微型阵列。蛛网状铜柱阵列首先将微通道区进行分区,冷却介质可以...
  • 本发明提供一种具有散热系统的多芯片封装结构,属于封装散热技术领域。封装结构包括基板、芯片组件和散热组件。芯片组件包括第一、第二、第三芯片,第一、第二芯片堆叠布置,第一、第二芯片沿水平方向堆叠,第一芯片位于第二芯片远离第三芯片的一侧,第一、第...
  • 本发明公开了一种用于集成电路的高效循环散热装置及使用方法,涉及集成电路散热技术领域,包括液冷板,所述液冷板上分别固定安装有冷却液入口与冷却液出口,还包括行走清洁机构:其设置在液冷板上,且其在液冷板的长度方向上运动;风冷组件:其安装在行走机构...
  • 本发明涉及电子技术领域,尤其是一种基于微流道结构的散热封装外壳、封装结构、及其制造方法。所述基于微流道结构的散热封装外壳包括:封装主体,其内部设置有用于安装电子器件的一个或多个电子器件安装腔;微流道网络,其设置在封装主体内处于电子器件安装腔...
  • 本申请涉及一种集成金刚石改善肖特基二极管高温特性的结构及其制备方法,半导体材料采用Si、SiC、GaAs、GaN或Ga2O3,给定一种材料和最大允许的反向漏电流,肖特基接触表面的最大电场强度主要取决于肖特基势垒的高度和温度,电场调制技术和热...
  • 本申请提供了一种芯片散热结构及其制备方法,芯片散热结构包括:基板;第一芯片和第二芯片,设置于基板的同一侧,第一芯片的有源面与第二芯片的有源面均朝向基板设置;第一芯片背离基板的一侧表面开设有第一散热通道,第二芯片背离基板的一侧表面开设有第二散...
  • 本申请提供了一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备,解决了现有技术中芯片封装结构散热能力较差的问题。其中,芯片封装结构包括:芯片,包括依次叠置的基底、电路层和多个芯片引脚,电路层包括叠置的多个导电层和至少一个绝缘层,绝缘层位于相邻导电层之间...
  • 本申请公开了一种芯片封装及其形成方法,该封装包括塑封体,散热基板,绝缘基板,第一芯片和第二芯片,其中塑封体具有上表面和下表面,散热基板具有第一表面和第二表面,其中散热基板的第一表面从塑封体的上表面或者下表面暴露。绝缘基板具有第三表面和第四表...
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