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最新专利技术
  • 具有高压、中压和低压晶体管的结构及其制作方法
    具有高压、中压和低压晶体管的结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410958613.X
    本发明公开一种具有高压晶体管、中压晶体管和低压晶体管的结构及其制作方法，其中具有高压、中压和低压晶体管的结构包含一基底，基底包含一高压区、一中压区和一低压区，一高压晶体管设置于高压区，高压晶体管包含一第一栅极介电层埋入于基底，一第一栅极结构...
    2026-01-26
  • 一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法
    一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511882758.7
    本发明公开了一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。其包括在同一硅基衬底上集成增强型GaN MOSFET与耗尽型GaN HEMT，通过金属互联层实现电极连接。制备方法包括外延生长、刻蚀处理、掺杂区制作、金...
    2026-01-26
  • 一种双向开关器件及其制备方法、电子设备
    一种双向开关器件及其制备方法、电子设备_苏州明义微电子技术有限公司_202410915500.1
    本申请公开了一种双向开关器件及其制备方法、电子设备。双向开关器件包括依次设置的衬底和沟道层，以及位于所述沟道层上的两端且分别左右对称的第一源极、第二源极以及第一栅极、第二栅极；还包括设置于所述第一栅极和所述第二栅极之间的所述沟道层上的介质层...
    2026-01-26
  • 一种半导体启动装置及开关电源
    一种半导体启动装置及开关电源_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511799317.0
    本申请提供一种半导体启动装置及开关电源，涉及开关电源技术领域。该半导体启动装置包括集成设置在同一衬底上的二极管、启动绕组和启动晶体管；二极管的阳极连接半导体启动装置的漏极端，二极管的阴极在衬底的内部与启动晶体管的漏极端连接；启动绕组的一端与...
    2026-01-26
  • CMOS器件及其制造方法
    CMOS器件及其制造方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410935481.9
    本发明提供一种CMOS器件及其制造方法，所述CMOS器件的制造方法中，先在第一区域和第二区域上形成第一栅介质层；然后，在第一栅介质层上形成第二栅介质层，第二栅介质层覆盖第一栅介质层，且第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；接着，对第一栅...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511882998.7
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成栅极结构、第二阻挡层与层间介质层，其中栅极结构包括栅介质层、第一虚拟栅极、第一阻挡层与第二虚拟栅极；平坦化层间介质层与第二阻挡层，至暴露出第二虚拟栅极；去除第二虚拟栅...
    2026-01-26
  • 硅电容及其制作方法、电子器件
    硅电容及其制作方法、电子器件_上海朗矽科技有限公司_202511473102.X
    本公开提供了一种硅电容及其制作方法、电子器件，制作方法包括：获获取初始多层薄膜硅电容；基于初始多层薄膜硅电容得到多层深沟槽硅电容，基于多层深沟槽硅电容制作得到目标多层薄膜硅电容；相比于传统的单次只能蚀刻一个电极层和介质层，需形成台阶结构的多...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511322186.7
    方法包括形成晶圆，该晶圆包括衬底、位于衬底上方的牺牲层和位于牺牲层上方的多层堆叠件。该方法还包括对多层堆叠件和牺牲层执行第一蚀刻工艺以形成图案化的多层堆叠件，用底部介电隔离层替换图案化的多层堆叠件中的牺牲层的部分，对图案化的多层堆叠件执行第...
    2026-01-26
  • 具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法
    具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法_英飞凌科技德累斯顿公司_202510588348.5
    具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法。一种方法，包括：在半导体晶片的第一主表面上形成第一氧化物层，第一氧化物层具有400nm或更小的厚度；在第一氧化物层上形成第二层；更改第二层的至少第一部分的蚀刻速率，使得蚀刻速率的水...
    2026-01-26
  • 一种封装结构、封装方法及电子元件
    一种封装结构、封装方法及电子元件_苏州芯时纪微电子有限公司_202511586810.4
    本发明公开了一种封装结构、封装方法及电子元件，涉及半导体技术领域，包括第一芯片、第二芯片、第一电连接部、第二电连接部和重布线层。通过第一芯片与第二芯片的叠加交叉布局，在保证集成度的同时，利用非重叠区域的辐射状分布扩大了布线空间，配合重布线层...
    2026-01-26
  • 功率模块及功率变换装置
    功率模块及功率变换装置_华为数字能源技术有限公司_202511325531.2
    本申请实施例提供一种功率模块及功率变换装置，功率模块包括封装在功率模块内的驱动芯片、功率芯片、第一基板和第二基板，驱动芯片与功率芯片电连接；驱动芯片和功率芯片在工作时的发热量不一样，功率芯片的发热量要大于驱动芯片的发热量，功率芯片具有更高的...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510870994.0
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有上表面的布线衬底、安装在布线衬底上的半导体芯片以及经由多个粘合层固定在布线衬底上的加强环。上表面是四边形形状，并且可以绘制第一中心线和第二中心线以及第一对角线和第二对角线。加强环具有四个延...
    2026-01-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511471500.8
    半导体装置，具备：两个半导体元件，具有在作为板厚方向的Z方向上相互对置的一面及背面，在一面配置有集电极电极，在背面配置有发射极电极，两个半导体元件在与Z方向垂直的X方向上排列配置；两个热沉，以在Z方向上夹着两个半导体元件的方式配置；以及封固...
    2026-01-26
  • 一种具备温度补偿的精密电阻结构
    一种具备温度补偿的精密电阻结构_安徽元旭电子科技发展有限公司_202511440392.8
    本发明公开一种具备温度补偿的精密电阻结构，包括电阻器、IC控制芯片、MOS器件；电阻器中包括两个端部电极及连接两个端部电极的第一功能层作为电流检测单元；还包括两个底部电极及连接两个底部电极的第二功能层为温度检测单元；通电时电流检测单元会产生...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511852997.8
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层、保护层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述保护层和所述介质层，以暴露所述衬底内的核心区；对所暴露的所述衬底进行活化处理，于所述核心区内的所述衬底的表面...
    2026-01-26
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511296690.4
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括步骤：提供一硅衬底，硅衬底上形成有间隔设置的栅极结构，刻蚀硅衬底，以在相邻两个栅极结构之间形成凹槽，通过预处理气体对凹槽的内壁进行预处理，以清洁凹槽的内壁并在凹槽的内壁上形成过...
    2026-01-26
  • 一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管
    一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管_松山湖材料实验室_202511225908.7
    本申请涉及微电子工艺技术领域。具体涉及一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管。介电薄膜制造方法，包括以下步骤：提供生长基底和介电薄膜原材料；原子级台阶化基底；将生长基底进行退火处理，使生长基底表面形成沿晶面方向连续延展、规则排列...
    2026-01-26
  • 一种钼材料层的刻蚀方法及半导体工艺设备
    一种钼材料层的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410917883.6
    本申请公开了一种钼材料层的刻蚀方法及半导体工艺设备，钼材料层形成截止层上，刻蚀方法包括：氯基气体刻蚀：采用氯基气体对钼材料层进行刻蚀，以形成第一深度的沟槽，第一深度小于钼材料层的厚度；氟基气体刻蚀：采用氟基气体沿沟槽对钼材料层进行刻蚀，直至...
    2026-01-26
  • MOS器件及其制造方法
    MOS器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410895173.8
    本发明涉及一种MOS器件及其制造方法。所述MOS器件包括堆叠于衬底上的至少两个介质层，其叠层对应于衬底上的MOS形成区贯穿设置有栅极沟槽，其中，沿远离衬底的方向，所述栅极沟槽在各介质层中的横截面面积逐层扩大，栅介质层和金属栅极依次堆叠设置并...
    2026-01-26
  • 一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法
    一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202511870285.9
    本申请公开了一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法。超级结结构包括第一P区，位于P区中间区域，第一P区中填充有高介电常数介质材料和其他氧化物的组合，高介电常数介质材料的分子构型中四面体结构对八面体结构的比例超过常规值，其中四面体结构含...
    2026-01-26
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