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最新专利技术
  • 一种ES复合短纤维材料生产装置
    一种ES复合短纤维材料生产装置_闽瑞实业控股(江苏)有限公司_202511516838.0
    本发明公开了一种ES复合短纤维材料生产装置，涉及纤维生产技术领域；包括转动安装在生产箱上的门体，所述生产箱内转动安装有多个放置筒，且放置筒为上端开口设置，每个所述放置筒内均固定安装有一个网板；所述生产箱与多个放置筒之间安装有公转构件，每个所...
    2026-03-23
  • 一种抗紫外线改性异形锦纶长丝的制备装置
    一种抗紫外线改性异形锦纶长丝的制备装置_南通佳宇莱纤维有限公司_202511733125.X
    本发明涉及化学纤维生产设备技术领域，且公开了一种抗紫外线改性异形锦纶长丝的制备装置，包括加工平台以及设在所述加工平台上的控制台，还包括改性剂预分散组件、软化熔融组件、动态混合组件、喷丝组件以及多辊协同牵伸组件。该抗紫外线改性异形锦纶长丝的制...
    2026-03-23
  • 一种涤锦复合丝纺丝机构
    一种涤锦复合丝纺丝机构_江苏裕鸿化纤科技有限公司_202511575563.8
    本发明公开了一种涤锦复合丝纺丝机构，包括纺丝箱、夹持机构和联电机构，所述纺丝箱的两侧均固定有储料机构，所述定位顶杆下方的中部安装有喷丝机构，所述纺丝箱内的底部活动安装有夹持机构；夹持机构的两侧均设置有联电机构，所述限位套管内的一侧弹性连接有...
    2026-03-23
  • 一种制备具有编织结构纳米纤维膜的静电纺丝设备和方法
    一种制备具有编织结构纳米纤维膜的静电纺丝设备和方法_洛阳理工学院_202511802612.7
    本发明涉及纳米纤维制备技术领域，具体是一种制备具有编织结构纳米纤维膜的静电纺丝设备和方法，所述制备具有编织结构纳米纤维膜的静电纺丝设备包括注射针头、顶端电极、第一辅助电极、第二辅助电极、第一绝缘板、第二绝缘板和转轴。本发明提供的静电纺丝设备...
    2026-03-23
  • 一种多同轴针头的静电纺喷丝装置及同轴静电纺丝设备
    一种多同轴针头的静电纺喷丝装置及同轴静电纺丝设备_佳木斯大学_202511435872.5
    本发明涉及通过静电纺丝生成纤维设备技术领域，具体为一种多同轴针头的静电纺喷丝装置及同轴静电纺丝设备，包括喷丝装置、接丝辊和高压电源，所述喷丝装置包括前板、芯板和后板，前板后侧开设有外丝分液槽，外丝分液槽的前侧壁上等距离分布有外丝出液孔，后板...
    2026-03-23
  • 心脏瓣膜及其模具和纺丝方法
    心脏瓣膜及其模具和纺丝方法_武汉唯柯医疗科技有限公司_202511418146.2
    本申请提供了一种心脏瓣膜及其模具和纺丝方法，基于纺丝液向心脏瓣膜模具上实施纺丝操作，利用纺丝操作制作心脏瓣膜；其中，纺丝操作包括至少两个纺丝阶段，随着纺丝操作的进行，在每个纺丝阶段中逐渐提高纺丝操作中的溶液流速、滚筒转速和接收距离中至少一者...
    2026-03-23
  • 一种连续性强的增压式长丝纺丝装置
    一种连续性强的增压式长丝纺丝装置_福建益明纺织有限公司_202511844973.8
    本发明属于纺丝装置技术领域，具体的说是一种连续性强的增压式长丝纺丝装置，包括支撑架，所述支撑架内腔安装有U型导管，所述U型导管下端安装有出丝盖板，所述U型导管内腔设置有两个第二单向阀，所述U型导管上端内设置有增压组件，解决了现有长丝纺丝装置...
    2026-03-23
  • 一种以差异化浆粕为原料制备粘胶纤维的工艺及系统
    一种以差异化浆粕为原料制备粘胶纤维的工艺及系统_宜宾海丝特纤维有限责任公司_202511654023.9
    本发明公开了一种以差异化浆粕为原料制备粘胶纤维的工艺及系统，属于粘胶纤维生产中原料研究技术领域。本发明通过采用差异化浆粕为原料，将所涉及的各浆粕原料分别投料后，分别依次进行一次浸渍、一次压榨、一次粉碎、一次老成、二次浸渍、二次压榨、二次粉碎...
    2026-03-23
  • 一种防撕拉亚麻的煮漂细化工艺
    一种防撕拉亚麻的煮漂细化工艺_泰兴诺得亚麻纺织有限公司_202511609356.X
    本发明涉及纺织技术领域，具体涉及一种防撕拉亚麻的煮漂细化工艺。本发明通过电场强化离子液体预处理、声化学催化脱胶、光催化‑植物多酚协同漂白及微胶囊自修复整理四步协同，显著提升了亚麻纤维的综合性能。该工艺利用离子液体在电场下的高效渗透与降解作用...
    2026-03-23
  • 一种磷化铟籽晶的高精度制备方法
    一种磷化铟籽晶的高精度制备方法_中砥半导体技术(江苏)有限公司_202511523244.2
    本发明提供了一种磷化铟籽晶的高精度制备方法，该方法包括以下步骤：对磷化铟单晶锭进行晶向校准，然后使用空心钻头进行垂直钻孔形成圆柱形粗坯，将圆柱形粗坯进行酸洗预处理后抛光，将抛光后籽晶浸入涂覆液中生成致密抗氧化层，随后超声清洗、精密检测合格所...
    2026-03-23
  • 一种光伏硅片扩散炉
    一种光伏硅片扩散炉_上海柯帆达材料科技有限公司_202511492661.5
    本发明属于光伏发电技术领域，且公开了一种光伏硅片扩散炉，包括底座，还包括：处理组件，所述处理组件设置于所述底座的顶部；注气组件，所述注气组件设置于所述处理组件的内部，用于向处理组件内注入反应气体。本发明通过分散管位于相邻两个硅片之间的中部，...
    2026-03-23
  • 一种丙二酸氟硼酸镁非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种丙二酸氟硼酸镁非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511599545.3
    本发明涉及一种丙二酸氟硼酸镁非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的分子式为MgB22C99O1414F44H1212，分子量为466.02g/mol，单斜晶系，空间群PP211，晶胞参数为a=6.992(3) Å b=15.572(5) ...
    2026-03-23
  • 一种红外非线性光学晶体及其制备方法和用途
    一种红外非线性光学晶体及其制备方法和用途_扬州大学_202511487566.6
    一种红外非线性光学晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体技术领域，所述晶体的化学式为Na44Ag22Ga1212S2121，结晶于正交晶系，空间群为Cmc211。本发明通过向硫镓银体系中引入碱金属钠，成功合成了一种结构全新的化合物。该晶...
    2026-03-23
  • 一种消除Ⅲ族氮化物晶体的反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件
    一种消除Ⅲ族氮化物晶体的反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件_苏州纳维科技有限公司_202511715963.4
    本发明公开一种消除Ⅲ族氮化物晶体中反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件，该方法包括：提供待修复Ⅲ族氮化物晶体；待修复Ⅲ族氮化物晶体包括至少一个反转畴以及设置于反转畴周围的晶体基体，待修复Ⅲ族氮化物晶体具有相对设置的第一表面与第二表面，反...
    2026-03-23
  • 一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置
    一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511730528.9
    本发明涉及SiC晶体的制备技术领域，且公开了一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置，包括制晶炉装置，所述制晶炉装置包括：制晶炉外壳和，所述制晶炉外壳包括：红外测温仪、制晶炉管、进气口、排气口、充气泵和制晶炉盖，所述制晶炉管包括第一电机...
    2026-03-23
  • 一种8英寸SiC单晶快速生长方法
    一种8英寸SiC单晶快速生长方法_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511730503.9
    本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种8英寸SiC单晶快速生长方法，旨在解决传统物理气相传输法在大尺寸SiC单晶生长中存在的速率低、温场均匀性差、晶体质量不稳定及成本高昂的问题。该方法通过缩短气相传输距离至20‑60mm，重新设计生长温场...
    2026-03-23
  • 一种减小粘接应力的碳化硅籽晶粘接方法
    一种减小粘接应力的碳化硅籽晶粘接方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511647061.1
    本申请涉及碳化硅单晶制备的技术领域，提供一种减小粘接应力的碳化硅籽晶粘接方法，其包括对原料进行表面预处理，在籽晶托上通过涂覆粘接剂、贴合片形石墨纸、微孔化处理、固化等步骤形成复合过渡层，将籽晶粘接于复合过渡层上，再将石墨屏蔽环套设并粘接于籽...
    2026-03-23
  • 增强石英销倒影分辨率的方法、石英销以及直拉法单晶生长系统
    增强石英销倒影分辨率的方法、石英销以及直拉法单晶生长系统_上海新昇半导体科技有限公司_202511493051.7
    本发明提供一种增强石英销倒影分辨率的方法、石英销以及直拉法单晶生长系统，使用紫外激光器对石英销的目标区域进行表面粗糙化处理，以增加所述目标区域在高温环境下的辐射亮度，从而当直拉法单晶生长系统采用该石英销进行液距测量，该石英销在硅熔液中的倒影...
    2026-03-23
  • 一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法
    一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511396996.7
    本发明涉及一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有晶体键合方法存在的对预键合面抛光质量要求高、键合界面折射率突变以及键合面积受限等技术问题，本发明选择纯氟化物基质晶体或稀土掺杂氟化物晶体中的一种作为...
    2026-03-23
  • 降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法
    降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法_中南钻石有限公司_202511548136.0
    本发明公开了降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法，具体按照如下步骤实施：步骤1，选择多个尺寸大于10mm×10mm的金刚石单晶衬底；步骤2，利用激光切割对步骤1中的金刚石单晶衬底进行加工，在靠近边缘的位置处切割出多个方形孔或者一个...
    2026-03-23
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