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  • 本公开提供了一种基于薄膜铌酸锂的片上差分平衡探测器芯片及其制备方法,该芯片包括:薄膜铌酸锂层;键合层,设置于薄膜铌酸锂层的上表面;探测器外延层,设于键合层的上表面的预定区域,预定区域的面积小于键合层的面积。该芯片通过在薄膜铌酸锂层上键合探测...
  • 本申请涉及光伏领域,提供一种背接触太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件,至少可以提高背接触太阳能电池的光电转换效率。背接触太阳能电池,包括:基底,基底具有第一面以及第二面,第一面上包括交替排布的第一区以及第二区;隧穿介质层、第一掺杂半...
  • 本申请关于一种光伏电池片及光伏组件,涉及光伏技术领域。光伏电池片包括硅基底和第一边缘钝化层,硅基底设置有无源区和有源区,有源区和无源区之间存在沿光伏电池片厚度方向的间隔距离,第一边缘钝化层包括相连的第一钝化部和第二钝化部,第一钝化部沉积于硅...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅衬底以及掺杂层、含氧钝化层、含氢钝化层、氮化铝层和减反射层。硅衬底具有受光面。掺杂层、含氧钝化层、含氢钝化层、氮化铝层和减反射层沿背离硅衬底的方向依次层...
  • 本发明提供硅基外延探测器及其制备方法,能有效提升外延层晶体的拉伸应力,使晶体的直接带隙收窄,从而能将晶体的吸收边拓宽至C+L波段,将探测器的探测波段从C波段拓宽至C+L波段。所述硅基外延探测器包括:SOI衬底,该SOI衬底包括底硅层、埋氧化...
  • 本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及制备方法。该背接触异质结太阳能电池可包括:硅基体,其中,硅基体的第一主表面排列有第一功能区、隔离区及第二功能区;在第一功能区和隔离区的第一载流子收集层;在第一载流子收集层上第一导电层;在第二功能区上且延...
  • 本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及制备方法。背接触异质结太阳能电池包括:硅基体,硅基体第一主表面排列有第一功能区、阻断第一功能区与第二功能区的隔离区及第二功能区;第一载流子收集层,设置在第一功能区上;绝缘层,覆盖第一载流子收集层;第二载...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池、太阳能电池的制备方法以及光伏组件,这种太阳能电池包括:基底,包括相对的第一表面和第二表面,第二表面包括交替设置的第一区域和第二区域;位于第一区域的隧穿层、第一掺杂导电层、第一透明导电层以及第一电...
  • 本申请涉及光伏技术领域,提供一种光伏电池、叠层电池和光伏组件,至少有利于提高栅线质量同时降低银浆耗量。光伏电池,包括:电池本体;栅线,栅线包括第一部分和第二部分,第一部分包括第一种子部和传输层,多个第一种子部沿栅线的长度方向上间隔排列,第一...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种太阳能电池组件及光伏系统,电池组件包括:电池串,包括边缘电池串;边缘汇流件,边缘汇流件与边缘电池串设于电池组件第二方向的同一侧边缘,边缘汇流件沿第二方向延伸设置;边缘汇流焊带,用于电性连接边缘电池串...
  • 本申请提出一种电极栅线及其制备方法与导电浆料,其中,电极栅线包括种子层与叠加于所述种子层上层的贱金属层,贱金属层的导电相中贱金属占比大于68%,种子层包括主栅与种子层细栅,贱金属层包括与所述种子层细栅一一对应电连接的贱金属层细栅,种子层细栅...
  • 本发明涉及光伏技术领域,特别涉及一种太阳能电池以及光伏组件。太阳能电池中,钝化层设置在掺杂导电层远离半导体基底的一侧;减反层设置在钝化层远离半导体基底的一侧,减反层具有远离半导体基底的上表面;多个集电电极设置在减反层上,每个集电电极沿第一方...
  • 本发明涉及光伏电池技术领域,具体公开了一种带边缘电极的IBC电池及制备方法,包括至少两片IBC电池片,在IBC电池片背面P区和N处分别欧姆接触有P区电极栅线和N区电极栅线,P区电极栅线和N区电极栅线均延伸到IBC电池片侧面,在IBC电池片侧...
  • 本发明提供了一种透明光电薄膜及其制备方法和应用,所述透明光电薄膜为相互层叠的宽禁带半导体层与铜基卤化物层形成的具有异质结构的复合层,所述宽禁带半导体层的带隙Egg≥3eV,所述铜基卤化物层包括CsmmCunnXm+nm+n : RE,其中,...
  • 本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及太阳电池及制备方法、光伏组件。该太阳电池包括:硅基底;P型掺杂层,P型掺杂层设置在硅基底的受光面,P型掺杂层包括第一P型掺杂子层和位于第一P型掺杂子层之外的第二P型掺杂子层;第一P型掺杂子层掺有第一掺杂原子,...
  • 太阳能电池、太阳能电池的制备方法及光伏组件,属于光伏技术领域,太阳能电池包括基底和第一掺杂导电层,沿厚度方向,基底具有第一表面,第一表面具有金字塔结构,沿基底的厚度方向,金字塔结构包括依次设置的塔尖部、塔中部和塔底部,第一掺杂导电层形成于第...
  • 本发明公开了一种可提高光电耦合器稳定性的封装方法,属于光电耦合器封装技术领域。首先在陶瓷底座引脚孔内用紫外激光刻蚀倒四棱台形微坑阵列,形成均匀应力分布和几何互锁结构,提升机械锚定效应。接着通过磁控溅射沉积多层复合负热膨胀薄膜,实现热位移协同...
  • 本申请涉及光伏板焊接技术领域,尤其为一种汇流带焊接机的工件移动组件,包括安装架、对汇流带进行吸取移动的吸取装置和防止汇流带掉落的防脱装置,所述安装架一侧固定连接有升降装置,所述升降装置一侧安装有安装板,所述安装板前侧底部固定连接有滑道,所述...
  • 本发明适用于太阳能电池技术领域,提供了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法,该制备方法包括:在硅片的背面依次沉积隧穿氧化硅层、磷掺杂多晶硅层以及掩膜层,在硅片的背面划分交替布置的金属化区域和非金属化区域;对非金属化区域进行激光刻蚀,去除位...
  • 本发明涉及半导体技术领域,且公开了一种太阳能电池硅片碱抛慢提拉装置,包括碱抛池和电机,所述电机的输出轴上设置有丝杠,所述丝杠上活动设置有硅片放置板,所述硅片放置板上设置有倾斜杆,所述倾斜杆顶端安装有弧形板,所述弧形板靠近硅片的一侧设置有橡胶...
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