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最新专利技术
  • 显示设备和电子设备
    显示设备和电子设备_三星显示有限公司_202510902841.X
    本公开涉及显示设备和电子设备。所述显示设备包括：基底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；以及栅极驱动电路，在所述基底的所述非显示区域中，并且所述栅极驱动电路包括多个级，其中，所述多个级中的每一者包括：外围氧化物晶体管和外围硅晶体管...
    2026-01-20
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511653677.X
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括显示区和非显示区，非显示区包括驱动电路，驱动电路包括至少一薄膜晶体管，其薄膜晶体管的有源部沿第一方向延伸，栅极沿第二方向延伸，有源部与栅极交叠设置，且第一方向与第二方向的夹角为θ，0°＜θ＜...
    2026-01-20
  • 显示装置、用于制造其的方法和包括其的电子装置
    显示装置、用于制造其的方法和包括其的电子装置_三星显示有限公司_202510913550.0
    提供了一种显示装置、用于制造其的方法和包括其的电子装置。该显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；第一晶体管，包括设置在所述基底的显示区域上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第一栅电极；以及第一栅极绝缘体，设置在第一半导体层与第一...
    2026-01-20
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_中国科学院微电子研究所_202511543778.1
    本公开提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括：在竖直方向上叠置的下部场效应晶体管和上部场效应晶体管；下部场效应晶体管和上部场效应晶体管各自包括：在竖直方向上彼此间隔开地叠置的多个沟道层；在多个...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511463444.3
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；第一栅极，所述第一栅极位于所述衬底上；第一侧墙，所述第一侧墙位于所述第一栅极的侧壁；第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙远离所述第一栅极的一侧的侧壁。所述第二侧墙位于所述第一侧墙远离所述第一...
    2026-01-20
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511274117.3
    本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制备方法，包括半导体基底；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管沿半导体基底的厚度方向依次设置在半导体基底的上方，第一晶体管和/或第二晶体管为环栅晶体管，环栅晶体管包括位...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510581287.X
    一种半导体装置包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，第一栅极结构包括顺序地堆叠在包含第一区域和第二区域的基底的第一区域上的第一栅极界面图案、第一栅极介电图案和第一栅电极结构，其中，第一栅极介电图案包含第一金属的氧化物或第一...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510418706.8
    一种半导体装置包括：衬底；有源图案，其在衬底上在第一方向上延伸；多个下纳米片，其堆叠在有源图案上并且在竖直方向上彼此间隔开；纳米片隔离层，其包括绝缘材料并且位于多个下纳米片中的最上的纳米片的上表面上；多个上纳米片，其堆叠在纳米片隔离层的上表...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510276740.6
    提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；第一有源图案，包括第一下图案和第一片状图案；第二有源图案，在第一方向上与第一有源图案间隔开并且包括第二下图案和第二片状图案；第一栅电极，设置在第一有源图案上并且在第一方向上伸长；第二栅电极，设...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510257178.2
    公开了半导体装置。所述半导体装置包括：第一有源图案，包括在第一方向上间隔开的第一片，第一方向与基底的表面垂直；第二有源图案，在第一有源图案上并且包括在第一方向上间隔开的第二片；第一源极/漏极图案，在第二方向上连接到第一有源图案；第二源极/漏...
    2026-01-20
  • 半导体器件和形成半导体器件的方法
    半导体器件和形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511498987.9
    本发明描述了半导体器件，包括衬底和位于衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，并且第一栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第一功函层。第一栅极结构还包括位于第一功函层上的覆盖层。半导体器件还包括位于衬底上的第二晶体管，其中第二...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510178293.0
    一种半导体装置可包括：第一基底；第一有源图案，在第一基底上，并且在第一方向上延伸；第一栅电极，在第一有源图案上，并且在不同于第一方向的第二方向上延伸；栅极盖图案，在第一栅电极上；栅极接触件，延伸到栅极盖图案中，并且电连接到第一栅电极；接合层...
    2026-01-20
  • 半导体器件及芯片
    半导体器件及芯片_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511441129.0
    本申请提供一种半导体器件及芯片，涉及集成电路技术领域。该半导体器件包括集成在同一衬底上的采样管、主功率管、第一启动管以及第二启动管；其中，采样管的漏极、主功率管的漏极、第一启动管的漏极、第二启动管的漏极连接；采样管的栅极和主功率管的栅极连接...
    2026-01-20
  • 一种新型功率器件及其应用该器件的电力电子系统
    一种新型功率器件及其应用该器件的电力电子系统_浙江摩珂达半导体有限公司_202510017486.8
    一种新型功率器件，将一个MOSFET通过有源区共用与一个JFET相结合，并且二者通过一个P阱分隔开来从而确保各自能够正常工作，当栅极控制电平先加在MOSFET的栅上，通过在外围电路对JFET的栅极产生一个控制电平以确保MOSFET先导通，J...
    2026-01-20
  • 一种高压JFET集成器件和应用电路
    一种高压JFET集成器件和应用电路_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511373176.6
    本申请提供一种高压JFET集成器件和应用电路，涉及半导体技术领域，包括高压JFET器件以及电阻器件，高压JFET器件包括衬底，衬底内设置有源极区和漏极漂移区，漏极漂移区内设置有漏极有源区，衬底、源极区、漏极漂移区和漏极有源区具有共面的顶面，...
    2026-01-20
  • 一种在双多晶多晶硅发射极双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构
    一种在双多晶多晶硅发射极双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构_重庆中科渝芯电子有限公司_202511345990.7
    本发明公开一种在双多晶多晶硅发射极双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构，结构主要包括侧壁氮化硅、栅氧层、多晶硅栅极、多晶硅发射极、N型重掺杂发射区、P阱重掺杂接触、N阱重掺杂接触、N型源漏区、P型源漏区、ILD介质层、集电极金属...
    2026-01-20
  • 半导体器件及形成半导体器件的方法
    半导体器件及形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511306190.4
    在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件；图案化多层堆叠件和半导体衬底以形成鳍结构，鳍结构包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构，其中伪纳米结构的最底部的伪纳米结构具有第一厚度，其中伪纳米结构的第一伪纳米结构设置在最底部的伪纳米结...
    2026-01-20
  • LDMOS器件及形成方法
    LDMOS器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394188.7
    本发明提供了一种LDMOS器件及形成方法，包括：在flash HV器件区内形成HVPW和HVNW；在所有区表面均形成一层第一氧化层；在5V器件区内形成间隔设置的PW和NW，在LDMOS区形成第一N型漂移区、第二N型漂移区、NW和PW，第一N...
    2026-01-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511340659.6
    本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，为解决相关技术在制造CFET时刻蚀深度增加的问题而设计。包括形成第一环栅晶体管；形成与第一源/漏极相连的第一源/漏极接触部件，形成与第一栅极相连的第一栅极接触部件；形成第二环栅晶体...
    2026-01-20
  • 沟槽MOSFET器件及其制造方法
    沟槽MOSFET器件及其制造方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511708565.X
    本发明涉及一种沟槽MOSFET器件及其制造方法，所述沟槽MOSFET器件还包括由外延或掺杂工艺形成的夹断二极管。所述断二极管代替了现有技术中的肖特基二极管来解决器件开启电压高，反向恢复电荷(Qrr)大的问题。同时，还能在此基础上进一步降低工...
    2026-01-20
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