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  • 本发明公开了一种迁移型钢筋锈转化材料及其制备方法。本发明所述迁移型钢筋锈转化材料由纳米锈转化晶种与渗透剂、乳化剂混合搅拌得到;其中纳米锈转化晶种为三层包覆结构,其以纳米材料为晶核,中间层为锈转化组分与纳米材料表面羟基形成的活化产物,最外层包...
  • 本发明涉及一种不锈钢的化学黑化工艺,属于不锈钢技术领域,包括依次进行的前处理、超声辅助黑化,以及绿色后处理;前处理包括生物基脱脂和弱酸性活化;超声辅助黑化为将经前处理的不锈钢置于黑化液中,在超声辅助下进行反应,所述黑化液为无铬无硒体系,包含...
  • 本发明涉及铜箔表面处理技术领域,涉及一种铜箔酸洗无铬抗氧化二合一产品及其应用。包括螯合剂10~30g/L,钼酸盐2~8g/L,抗氧化剂10~40g/L,有机酸1~10g/L,缓蚀剂15~50g/L,表面润湿剂0.03~0.1g/L,余量为水...
  • 本申请属于矿用硬质合金技术领域,具体涉及一种矿用硬质合金齿及其钝化方法,所述钝化方法包括以下步骤:S1、获取第一矿用硬质合金齿和磷酸钠;S2、将所述第一矿用硬质合金齿、纯水和所述磷酸钠加入钝化机中进行钝化后得到矿用硬质合金齿;所述第一矿用硬...
  • 本发明公开了一种航空用铝合金的环保的化学氧化方法,在20℃~30℃温度下,将铝合金零件置于WH‑179氧化溶液中进行氧化处理,且氧化时间为5min~10min,在铝合金表面形成三价铬氧化膜层;然后,冲洗铝合金零件。在室温下,将氧化处理后的铝...
  • 本发明公开了一种化学镀镍的氢化钛颗粒的制备方法,一种基于化学镀镍的氢化钛颗粒的活性钎焊膏的制备方法,以及一种基于镀镍氢化钛颗粒活性钎金属焊膏的AMB陶瓷覆铜板的制备方法,通过在氢化钛表面化学镀镍,不仅可以避免钎料中钛的氧化,而且在钎焊过程中...
  • 本发明公开一种不锈钢管道表面处理方法,依次进行预处理与机械处理、化学处理及表面涂层处理:预处理通过脱脂清洗、喷砂/喷丸粗化及粉尘清除获洁净粗化表面;化学处理经酸洗活化、钝化及控电导率清洗,形成初步防护并保障洁净;表面涂层处理制备无机‑有机杂...
  • 本发明提出一种用于CVD涂层设备的多温区加热温度控制方法,步骤为,根据工艺需求为每个温区设定温度调节目标值并设定操作点;基于设定的操作点和每个温区设定温度调节目标值获取各温区的温度控制曲线,基于温度控制曲线以预调节方式对各温区的温度进行快速...
  • 提供了在命令信号从控制器传输到衬底处理设备时提高控制时间精度以及在处理衬底时提高过程稳定性的方法。使用其形成膜的方法包括将过程控制参数输入到第一控制器中,将过程控制参数从第一控制器下载到第二控制器,以及在衬底上形成膜。
  • 本申请实施例提供一种沉积装置、半导体设备和检测方法,涉及半导体技术领域。该沉积装置包括:沉积腔;设置在沉积腔中的基座;设置在沉积腔中的喷涂装置,喷涂装置位于基座上方;多个传感器,多个传感器的感测端分别朝向基座的不同位置点,且分别朝向喷涂装置...
  • 本申请涉及一种环路热管系统、控温方法及存储介质,该环路热管系统包括:主换热器、存储容器及制冷回路;所述主换热器包括腔体,在所述腔体内设置被制冷剂浸没的所述存储容器;所述制冷回路与所述腔体连通,所述制冷回路上设置有变速泵及次换热器;所述次换热...
  • 本发明提供了一种盘式激光增强原子层沉积反应器与实现方法,原子层沉积反应器本体和激光器;原子层沉积反应器本体包括样品腔,样品腔的顶部安装有样品腔上盖,样品腔上盖的顶部安装有插板阀,插板阀的顶部设置有插板阀真空法兰接口;插板阀真空法兰接口上安装...
  • 本发明公开了一种反应腔室及半导体薄膜沉积设备,反应腔室内具有喷淋板,喷淋板的上方具有加热单元,反应腔室包括腔室本体、上盖板、第一隔热单元以及第二隔热单元,上盖板位于腔室本体的开口处,第一隔热单元覆盖在腔室本体的外侧,第二隔热单元位于上盖板外...
  • 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,公开了一种基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法及应用。该基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法,搭配使用特制的镂空载板结构(镂空载板的缝隙宽度控制在1‑3cm),并优化板式ALD的双面氧化铝膜的沉积工艺(包括...
  • 公开了一种用于在衬底的凹部中沉积氧化物的方法、系统和设备,并且包括:a)在室中提供衬底,衬底包括通向凹部的至少一个开口,b)首先将前体脉冲到室中以优先化学吸附在第一区域中,c)将氧物质脉冲到室中以在与化学吸附的前体接触时在第一区域中形成第一...
  • 提供了一种用于在反应室内分配气体的喷淋头组件。喷淋头组件包括顶板、气体分配板和多个热可控区域。气体分配板联接至顶板。气体分配板还具有面向顶板的顶表面和配置为面向设置在反应室内的衬底的底表面。多个热可控区域被制造在顶板和气体分配板中的至少一个...
  • 本申请公开一种工艺腔室,其包括腔体、基座、顶针和连接件,其中,所述基座和所述顶针均设置于所述腔体内,所述基座设有多个通孔,各所述通孔中一一对应设有所述顶针,所述顶针均包括针体和限位件,所述限位件固定连接于所述针体的外表面;所述连接件固定连接...
  • 本申请提供的工艺配方的处理方法,解决了对于晶圆数量不同的工艺,手动调整工艺参数,降低了出货效率以及增加了数据统一管理的难度的技术问题。本申请通过预先配置参数表,参数表包括目标参数与预设工艺参数的对应关系,当执行当前工艺批次时,根据当前工艺批...
  • 本发明公开了一种原子层沉积设备及沉积方法,其中,原子层沉积设备包括:反应腔;主进气管路,所述主进气管路的第一端连通反应气源,第二端连通反应腔;控压管路,其第一端连通主进气管路,第二端连通气泵;惰性气体管路,其第一端连通惰性气体气源,第二端连...
  • 本发明公开了一种适用于高粘度前驱体的源瓶,涉及半导体薄膜沉积领域,包括:瓶体、瓶盖、进气管以及出气管;瓶盖通过螺栓可拆卸安装在瓶体上的开口处,瓶体内置高粘度前驱体,进气管和出气管分别插接在瓶盖上并伸入瓶体内,通过歧管结构和多个出气口将单股载...
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