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最新专利技术
  • 一种微沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法
    一种微沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511391497.9
    本发明公开了一种微沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法，其中器件结构包括晶圆衬底、栅极氧化层、多晶硅层、介质层和金属层，晶圆衬底上形成沟槽，沟槽包括栅极沟槽和虚栅沟槽；栅极氧化层覆盖在晶圆衬底表面；多晶硅层填充在沟槽中；介质层覆盖在栅极氧化层...
    2026-01-03
  • 一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法
    一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202511199072.8
    本发明实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制备方法，该方法包括：衬底层、载流子存储层、超结P柱、P型基区、第一栅极、第二栅极、载流子阻挡层、N型发射极区、介质层、P型接触孔掺杂区、发射极、场截止层、P型集电极区、集电极。载流子存储层增...
    2026-01-03
  • 采用辐照提升横向晶体管器件耐压的方法
    采用辐照提升横向晶体管器件耐压的方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511462677.1
    本发明公开了一种采用辐照提升横向晶体管器件耐压的方法，包括：提供一硅片作为衬底；在衬底上形成埋层、基极深阱区；在埋层的两侧分别形成PN结隔离结构，并形成与埋层一端连接的基极深结阱区；在发射区与两侧的集电区之间形成隔离沟槽；在隔离沟槽中填充隔...
    2026-01-03
  • 肖特基二极管及其制备方法
    肖特基二极管及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511604624.9
    一种肖特基二极管及其制备方法，其中，肖特基二极管包括：衬底，具有第一N型漂移区、若干第二N型漂移区和若干P型阱区，第二N型漂移区和P型阱区均在第一方向上与第一N型漂移区邻接，若干第二N型漂移区与若干P型阱区在垂直于第一方向的第二方向上间隔分...
    2026-01-03
  • 肖特基势垒二极管及其制备方法、斜场板终端的制备方法以及电子设备
    肖特基势垒二极管及其制备方法、斜场板终端的制备方法以及电子设备_中国科学院微电子研究所_202511335433.7
    本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法、斜场板终端的制备方法以及电子设备。该肖特基势垒二极管包括：衬底；N型SiC外延层，其形成于衬底的上表面，外延层包括中心的有源区和环绕有源区的终端区；介质层，其形成于终端区的外延层的上表面；阳极电...
    2026-01-03
  • 一种MIM电容器件及其制作方法
    一种MIM电容器件及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511331648.1
    本发明提供一种MIM电容器件及其制作方法，该MIM电容器件包括依次堆叠的第一极板金属层、第一阻挡层、第一缓冲介质层、主介质层、第二缓冲介质层、第二阻挡层及第二极板金属层，所述第一缓冲介质层包括氧化硅层或氮氧化硅层，所述第二缓冲介质层包括氧化...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411654503.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：对覆盖有掩模结构的初始衬底进行刻蚀，形成衬底结构。衬底结构包括位于第一区域的第一底部、第二区域的第一斜坡部和位于第三区域的基础部。第一斜坡部一端与第一底部齐平，沿...
    2026-01-03
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511230407.8
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，第二掩模层中具有第一开孔，第一掩模层中形成有与第一开孔连通的第二开孔，第一开孔的第一投影图形在第二开孔的第二投影图形的范围内。以第二掩模层为掩模对介质层进行刻蚀，在介质层中形成初始接触槽。以...
    2026-01-03
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511181220.3
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在衬底上形成第一导电层，然后在第一导电层上形成掩模层，掩模层的材料包括碳，以掩模层为掩模，对第一导电层进行刻蚀形成多条第一导电线。在对第一导电层进行刻蚀的工艺中，第一导电层相对于掩模层的刻...
    2026-01-03
  • 基于相变材料的存储器电路
    基于相变材料的存储器电路_意法半导体国际公司_202510802320.7
    本公开的各实施例涉及基于相变材料的存储器电路。本说明书涉及一种包括存储器电路的电子器件，该电路包括：衬底，该衬底的内部和顶部上被布置有选择晶体管；互连堆叠；多个存储器元件，该互连堆叠被布置在互连堆叠之上并且被组织成阵列，该阵列形成行和列，每...
    2026-01-03
  • 三维存储阵列及其制备方法、电子设备
    三维存储阵列及其制备方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410806159.6
    一种三维存储阵列及其制备方法、电子设备。三维存储阵列的制备方法包括形成第一存储单元阵列，其包括形成在竖直方向堆叠的多个晶体管，形成沿竖直方向堆叠的多个存储节点，存储节点和晶体管在水平方向耦合，以及形成和晶体管连接的位线。形成多个存储节点包括...
    2026-01-03
  • 半导体存储器结构及其形成方法
    半导体存储器结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511608011.2
    一种半导体存储器结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底；在基底上形成堆叠初始结构、栅电极层以及覆盖栅电极层侧壁的保护层，栅电极层位于堆叠初始结构上，堆叠初始结构包括依次层叠的电荷隧穿初始层、电荷捕获初始层和电荷阻挡初始层；通过湿法刻...
    2026-01-03
  • SONOS存储器及其制造方法
    SONOS存储器及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511379052.9
    本发明提供一种SONOS存储器及其制造方法。该方法通过在形成SONOS器件及其他CMOS器件的栅极结构后，沉积一层阻氧化保护层，接着再刻蚀形成逻辑CMOS器件的栅极结构，最后进行统一的热氧化工艺。该独特的工艺顺序使得仅逻辑CMOS器件的栅极...
    2026-01-03
  • 闪存器件的制备方法
    闪存器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511383895.6
    本申请提供一种闪存器件的制备方法，通过在形成第一保护层和第二介质层后，刻蚀与外围逻辑区相邻的存储区的一定宽度的第二介质层以形成第一开口，并在第一开口内填充第二保护层，接着在形成第二保护层和第三保护层之后，刻蚀第一开口内侧的第三保护层和第二保...
    2026-01-03
  • 存储器元件与形成存储器元件的方法
    存储器元件与形成存储器元件的方法_南亚科技股份有限公司_202511617014.2
    一种存储器元件包括基材、电容器结构、支撑层以及导电结构。电容器结构于基材上方。电容器结构包括下电极、电容器介电层以及上电极。电容器介电层于下电极上方。上电极于电容器介电层上方。支撑层于基材上方且接触于电容器结构的下电极的外表面。导电结构接触...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511361527.1
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构，包括：衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域外侧；分立的多个下电极，位于第一区域的衬底上；第一支撑层，位于相邻的下电极之间，第一支撑层沿平行于衬底表面的方向延伸到第二区...
    2026-01-03
  • 半导体结构的制作方法以及半导体结构
    半导体结构的制作方法以及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410816523.7
    一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；于衬底上形成由多个第一材料层和多个第二材料层交替堆叠的叠层结构；于叠层结构的第一端形成凹槽，凹槽贯穿叠层结构；执行第一侧蚀，由第一端去除多个第一材料层并保留多个第...
    2026-01-03
  • 半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法
    半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410816506.3
    本公开提供了半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，衬底内设置有沿第一方向、第二方向间隔排布的多个有源柱，有源柱沿第三方向延伸；衬底内设置有暴露有源柱顶面的第一凹槽，第一凹槽沿第一方向、第二...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410758916.7
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体柱、字线结构和第一连接结构。半导体柱沿第一方向延伸，其中多个半导体柱沿与第一方向相交的第二方向排布；字线结构与多个半导体柱的侧面连接；以及第一连接结构包括沿第二...
    2026-01-03
  • 一种自动化SMT贴片机吸附设备
    一种自动化SMT贴片机吸附设备_山西朝惠半导体有限公司_202511736250.6
    本发明涉及电路板制造技术领域，具体涉及一种自动化SMT贴片机吸附设备，包括机架，所述机架的中部开设有贯通的输送开口，输送开口两侧均设置有用于输送原料板的输送架，所述机架的内部位于输送架的上方设置有调节件，所述调节件下方设置有用于吸附原料板的...
    2026-01-03
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