Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 改良型硅控整流器的制备方法、改良型硅控整流器、半导体器件和集成电路
    改良型硅控整流器的制备方法、改良型硅控整流器、半导体器件和集成电路_浙江创芯集成电路有限公司_202511336663.5
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种改良型硅控整流器的制备方法、改良型硅控整流器、半导体器件和集成电路。包括：提供P型基板；在P型基板上的第一注入区域沉积指定迁移率的半导体材料；其中，指定迁移率高于纯硅的迁移率；在第一注入区域注入P型离子形...
    2025-12-30
  • 一种可控硅器件及其制备方法
    一种可控硅器件及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202511268365.7
    本发明提供一种可控硅器件及其制备方法，属于半导体保护器件技术领域，器件包括从下至上依次设置的衬底、第一外延层以及第二外延层；隔离槽，向下延伸至衬底中；第一晶体管和第二晶体管，形成于第一区域的第二外延层中，第一晶体管和第二晶体管的栅极和漏极互...
    2025-12-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510189774.1
    提供了一种半导体装置，包括：下有源区，在第一方向上延伸并包括下沟道图案和在下沟道图案的一侧上的下源极/漏极图案；上有源区，在第二方向上与下沟道图案间隔开，在第一方向上延伸，并包括上沟道图案和在上沟道图案的一侧上的上源极/漏极图案；栅电极，围...
    2025-12-30
  • 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
    一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板_武汉天马微电子有限公司_202511358794.3
    本申请涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该薄膜晶体管包括衬底层、有源层以及栅层；有源层位于衬底层与栅层之间；有源层包括源区、漏区以及沟道区，源区以及漏区分别位于沟道区在第一方向上的两侧；栅层包括沿第二方向设置的M个栅极块，M个栅极块中...
    2025-12-30
  • 一种三维堆叠薄膜晶体管结构及其制备方法
    一种三维堆叠薄膜晶体管结构及其制备方法_浙江大学_202510969918.5
    本发明公开了一种三维堆叠薄膜晶体管结构及其制备方法，结构包括若干层薄膜晶体管和相邻薄膜晶体管之间的三明治结构绝缘隔离层；若干层薄膜晶体管在制备下层薄膜晶体管相邻的上层薄膜晶体管时，通过选用强还原性前驱体采用原子层沉积方法制备上层薄膜晶体管的...
    2025-12-30
  • 用于纳米FET的离子注入
    用于纳米FET的离子注入_台湾积体电路制造股份有限公司_202511251640.4
    本申请涉及用于纳米FET的离子注入。一种纳米FET晶体管，对于该纳米FET晶体管的一个或多个纳米片，该纳米FET晶体管在沟道区域的任一端处包括掺杂沟道结。沟道结通过迭代凹陷和注入工艺形成，该工艺在针对源极/漏极区域制造凹陷时被执行。可以控制...
    2025-12-30
  • 半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备
    半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511132928.X
    本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备；该半导体结构包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管为沿第一方向依次排列设置的垂直场效应晶体管；其中，第一晶体管的第...
    2025-12-30
  • 半导体器件以及制造半导体器件的方法
    半导体器件以及制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510617272.4
    本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：下晶体管，包括下沟道结构和连接到下沟道结构的下源极/漏极结构；以及在下晶体管上方的上晶体管，上晶体管包括上沟道结构和连接到上沟道结构的上源极/漏极结构，其中上沟道结构的一部分在...
    2025-12-30
  • 半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410749517.4
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子技术领域，用于降低金属硅化物层对晶体管性能的影响。半导体器件包括调控层，掺杂元素在调控层靠近基底的一侧的浓度，大于，掺杂元素在调控层远离基底一侧的浓度。调控层靠近基底一侧...
    2025-12-30
  • 高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺
    高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺_北京国联万众半导体科技有限公司_202511354536.8
    本发明公开了一种高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺，涉及电子元器件技术领域。所述芯片包括位于最底层的衬底层，所述衬底层的上表面形成有双梯度多缓冲层，所述双梯度多缓冲层的上表面形成有N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面形成有带有凸台...
    2025-12-30
  • 钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备
    钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备_北京奕斯伟计算技术股份有限公司_202511278625.9
    本申请公开了钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备，属于电路技术领域。钳位场效应晶体管包括沿第一方向并排布置的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，场效应晶体管均包括衬底以及位于衬底的一侧且延第一方向分布的源极、栅极和漏极，源极和漏...
    2025-12-30
  • 一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法
    一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511667258.1
    本发明公开了一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括通过金属互连结构实现电学连接的GaN HEMT器件和GaN MOSFET器件；所述GaN MOSFET器件制备在GaN HEMT器件的...
    2025-12-30
  • 一种基于SiC JFET与N极性GaN HEMT垂直混合射频晶体管
    一种基于SiC JFET与N极性GaN HEMT垂直混合射频晶体管_苏州镓港半导体有限公司_202511379598.4
    本发明属于微纳米加工技术领域，具体涉及一种基于SiC JFET与N极性GaN HEMT垂直混合射频晶体管，包括SiC衬底，还包括键合层以及分别位于键合层两面的SiC基衬底和Si基衬底；SiC基衬底包括沿SiC衬底垂直方向依次设置的SiC n...
    2025-12-30
  • 一种氮化镓P型沟道场效应晶体管
    一种氮化镓P型沟道场效应晶体管_广东工业大学_202511184321.6
    本发明提出了一种氮化镓P型沟道场效应晶体管，涉及晶体管制造技术领域；本发明的第一晶体管结构和第二晶体管结构级联，且通过形成欧姆接触，第二晶体管结构的二维空穴气电流能够作为第一晶体管结构的栅极漏电流来控制第一晶体管结构的开启和关断，实现可类比...
    2025-12-30
  • 一种集成电容采样的功率半导体器件和电源控制电路
    一种集成电容采样的功率半导体器件和电源控制电路_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511347921.X
    本申请提供了一种集成电容采样的功率半导体器件和电源控制电路，涉及半导体领域，该功率半导体器件包括：集成在同一衬底上的采样管和主功率管；采样管的栅极和主功率管的栅极相连接用于连接控制芯片中的驱动模块的驱动端，采样管的源极用于连接控制芯片中的驱...
    2025-12-30
  • 一种集成MPS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法
    一种集成MPS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法_深圳市汇芯通信技术有限公司_202511138246.X
    本发明公开了一种集成MPS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法；所述器件结构包括Si C衬底以及设于S i C衬底正面的N型Si C漂移层、A l N成核层、外延结构、肖特基金属层和欧姆金属层和设于Si C衬底背面的背面电极；N型Si...
    2025-12-30
  • 基于高密度强键能氧化物/GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法及其应用
    基于高密度强键能氧化物/GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法及其应用_浙江大学_202511222259.5
    本发明公开了一种基于高密度强键能氧化物/GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法及其应用，属于半导体与集成电路领域。该方法在“基于GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法”的基础上，于GeOx层上方增设以AlOx为代表的高密度强键能氧化物层，形...
    2025-12-30
  • 用于集成电路先进节点SiGe沟道场效应晶体管的栅氧过渡层制备方法
    用于集成电路先进节点SiGe沟道场效应晶体管的栅氧过渡层制备方法_浙江大学_202511222258.0
    本发明公开了一种用于集成电路先进节点SiGe沟道场效应晶体管的栅氧过渡层制备方法，属于半导体器件制备技术领域。该方法针对SiGe沟道栅氧沉积前的热氧化步骤，采用激光热氧化退火替代常规快速热氧化退火，通过调节激光束斑、波长及纳秒级脉冲参数，实...
    2025-12-30
  • 一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件
    一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件_杭州富芯半导体有限公司_202511700937.4
    本申请公开了一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件，该方法包括：提供导电型半导体衬底；执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中设定区域注入导电型离子，并执行热退火，形成缓冲层；在所述形成有缓冲层的半导体衬底上形成外延层；在所述形成有外...
    2025-12-30
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511699262.6
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，在第一区和第二区的衬底上均形成有栅极结构，在衬底上依次形成应力层、多晶硅层和图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出所述第二区；以图形化的光刻胶层...
    2025-12-30
首页 上一页 9 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证