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  • 本发明的实施例提供了一种用于形成TSV结构的方法。在一些实施例中,缓冲结构与TSV区中的伪器件相邻形成。通过在TSV区中引入与伪器件的端部栅结构相邻的缓冲结构,可以消除残留的金属材料,从而避免在TSV结构的制造中产生电弧。本申请的实施例还涉...
  • 本申请涉及一种半导体结构及半导体器件。一种半导体结构,其包括:掺杂的衬底;掺杂的衬底包括N型掺杂衬底和/或P型掺杂衬底;在衬底上形成有介质层;在介质层上形成有焊盘结构,所述衬底位于所述焊盘结构正下方的区域内无掺杂阱。本申请减小了焊盘的输入电...
  • 本发明提供一种半导体装置,能够小型化。半导体装置具有:源极区域及漏极区域,其设置于半导体基板的主面;栅极绝缘膜,其在上述源极区域与上述漏极区域之间设置在上述主面上;栅极电极,其设置在上述栅极绝缘膜上;以及漏极配线,其与上述漏极区域电连接,上...
  • 本发明公开了一种节能散热型V形波纹微流道及散热器,节能散热型V形波纹微流道包括V形波纹微流道和翅片,V形波纹微流道为截面为V形的波纹形状通道,V形波纹微流道的路径为沿第一预设方向周期性排列的正弦波纹;翅片由两个半翅片组成,两个半翅片沿第二预...
  • 本发明公开了一种芯片浸没冷却系统及其制作方法,包括:冷却单元、芯片单元和换热单元,冷却单元包括外壳、冷却槽和冷却介质,芯片单元包括基板和与基板电性连接的第一芯片,基板与外壳密封连接,第一芯片表面设有一层保护层,第一芯片设置于外壳内,保护层直...
  • 本发明公开了一种堆叠芯片冷却用立体分层双面微通道结构,属于散热领域。本发明从下到上依次设置底层、中间层、顶层,底层包括设置在顶面的进口通道、出口通道,以及底层内部的分流口和汇流口、进口流道和出口流道、蛛网型散热微通道,中间层是与底层流道通过...
  • 本发明公开了一种芯片散热器,用于与芯片基板连接,所述芯片基板上安装有芯片,包括散热基座、散热翅片和气流组件。散热基座上具有第一散热区和设于第一散热区内部呈环形的第二散热区;散热翅片设于第一散热区,且第一散热区内围绕第二散热区边缘环绕布设有多...
  • 本发明涉及半导体散热结构技术领域,具体提供了一种基于金刚石薄膜的半导体表面散热结构,包括散热底板,散热底板与半导体芯片连接,散热底板上设置有金刚石薄膜,金刚石薄膜贴合在半导体表面,可快速吸收芯片产生的热量并传递至散热框架,解决传统金属导热板...
  • 本公开提供一种封装结构及其形成方法,所述封装结构包括基板、设置在基板上的晶片,所述晶片具有远离基板的晶背表面、设置在基板上方的散热器,所述散热器具有朝向晶片的表面、设置在晶片与散热器之间的热界面材料、以及设置在热界面材料的至少一侧且与热界面...
  • 本发明公开一种基于通孔阵列支撑的宏观空腔散热结构及其制备方法,基于通孔阵列支撑的宏观空腔散热结构包括至少两个垂直堆叠的组件,连接所述组件的通孔阵列,通孔阵列同时提供电学连接和机械支撑,形成于通孔阵列上的空腔,其中,空腔是通过将所述通孔阵列内...
  • 本发明涉及一种集成于芯片顶盖的一体化散热装置,包括由上至下布置的散热顶盖、分流板、散热冷板和核心裸板,其中,核心裸板上安装有芯片内核,散热顶盖上开设有用于冷却工质流入流出的一对工质流动口,工质流动口与散热器接头相连接,散热顶盖朝向分流板的一...
  • 本发明公开了一种两段式圆柱‑流线型圆柱针翅的微通道散热器结构,涉及散热器技术领域。目的在于克服传统微通道散热器在高热流密度电子器件中散热能力不足、综合性能有限等问题。该结构包括:微通道,所述微通道内设有两段式圆柱‑流线型圆柱针翅;所述针翅固...
  • 本申请提供了一种芯片散热结构及其设计方法、芯片封装结构,芯片散热结构,包括:裸片,包括基底以及设置在所述基底一侧表面的有源器件层;仿生微流道,设置在所述基底上,并通过导流冷却液对所述有源器件层进行冷却,且所述仿生微流道呈血管网络状。此结构不...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,提供了一种均热板、散热盖和封装结构,包括:壳体,所述壳体具有真空内腔,所述壳体的内表面设有第一毛细层,所述壳体包括相对设置的第一底板和第二底板;支撑柱,所述支撑柱设于所述壳体的真空内腔内且两端分别连接第一底板和...
  • 本公开提供一种封装结构及封装方法。所述封装结构包括基板、设置在基板上且具有远离基板的晶背表面的晶片,设置在基板上方且具有朝向晶背表面的表面的散热器,以及设置在晶片与散热器之间的热界面材料,其中晶片和散热器之间不存在有机接着剂。
  • 公开了一种功率器件模块,包括:散热构件,包括主体,所述主体包括顶面和邻近所述顶面设置在主体中的冷却回路;和电路板组件,邻近所述散热构件的主体的顶面设置,且包括电路板和功率器件,所述功率器件包括第一发热元件,所述第一发热元件安装在所述电路板上...
  • 本发明涉及SiP功率模块技术领域,且公开了一种中大功率储能电源用SiCMOSFET和二极管单片集成SiP功率模块。包括芯片,所述芯片由单片集成的SiCMOSFET单元和二极管构成,所述芯片的后表面设置有模块封装板,所述芯片的前表面设置有衬底...
  • 本发明属于复合材料技术领域,公开了一种基于碳增强金属基复合材料垫块的压接型功率半导体模块封装架构,该架构包括:压接型功率半导体模块中,芯片上下极板需要通过垫块引出,进而实现与外部电路的电气连接。本发明将碳增强金属基复合材料替换传统的钼材料作...
  • 本发明涉及一种封装器件及其制造方法。所述封装器件包括:第一封装结构,包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面,第一封装结构包括堆叠体,堆叠体包括垂直互联线、互联芯片以及沿第一方向依次堆叠于互联芯片的表面上的多个功能芯片,垂直互联线电连接互...
  • 本发明的目的是提供一种减少端子倾斜或位置偏移的半导体装置。本发明的半导体装置包括半导体芯片(20)、第一端子、壳体(30)以及第二端子。半导体芯片(20)包括第一电极和第二电极。第一端子电连接到半导体芯片(20)的第一电极。壳体(30)容纳...
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