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  • 本发明提供了一种超高密度三维堆叠封装结构,所述超高密度三维堆叠封装结构包括基板、堆叠结构和堆叠芯片。本发明通过设置有底层基板,在基板上方连接有由多个堆叠硅片组成的堆叠结构。在同一层相邻两个堆叠硅片之间采用高精度腔体刻蚀技术加工出用于安装芯片...
  • 本发明公开了基于2.5D封装的超算芯片异构封装结构及封装方法,其中超算芯片异构封装结构包括基板和硅中介层,硅中介层包括上RDL布线层一、下RDL布线层一和位于上RDL布线层一与下RDL布线层一之间的中间层, 在硅中介层的上表面上焊接有ASI...
  • 本发明公开了一种功率模块封装结构。本发明中所述芯片在每个金属焊盘的边缘处与芯片基板连接部分设置非线性电导材料涂层,金属焊盘的边缘处与芯片基板连接部分即为金属焊盘、芯片基板与绝缘灌封材料三者相交接处,也就是三相点处。通过非线性电导材料涂层的设...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种封装基板、封装结构及其形成方法。所述封装基板包括:基板本体,包括相对分布的顶面和底面;顶部焊垫,位于所述基板本体的顶面上;底部焊垫,位于所述基板本体的底面上,所述底部焊垫包括朝向所述基板本体的正面和...
  • 一种半导体封装包括:基板;半导体裸片,其安装在所述基板上;天线块,其安装在所述基板上并且在所述半导体裸片的第一侧,其中所述天线块具有的高度大于所述半导体裸片的高度;互连结构,其安装在所述基板上并且在所述半导体裸片的第二侧,其中所述第一侧与所...
  • 本技术涉及用于半导体装置的热管理系统及方法。在实施例中,一种半导体装置包括中介层,所述中介层包括第一侧及第二侧。所述第一侧与所述第二侧相对。所述装置进一步包括耦合到所述第一侧的第一电路及耦合到所述第二侧的第二电路。所述装置进一步包括耦合到所...
  • 半导体装置具备基板(50、60)、半导体元件(40)及树脂成形体(30)。基板(50、60)的绝缘基材(51、61)具有从形成图案的表面金属体(52、62)露出的露出面(511、611)。半导体装置具备脆弱层(101),该脆弱层层叠于露出面...
  • 本发明公开了一种多项目晶圆中芯片封装结构、封装方法及芯片成品,应用于半导体封装领域,多项目晶圆的正表面与键合载体键合连接;键合载体表面设置有围堰结构,围堰结构包括第一围堰部和第二围堰部;多项目晶圆的背表面设置有切割道;键合载体表面设置有多个...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,且公开了一种高散热率芯片封装结构,包括基板、绝缘导热胶和塑封盖,塑封盖固定连接在基板的顶部,塑封盖用于密封安装芯片;流道层,流道层包括开设在基板内部的环形腔,环形腔环绕在容置槽的外侧,环形腔和容置槽相互独立;散热...
  • 本发明提供能准确地检测凹槽部的位置的半导体晶圆。半导体晶圆形成有半导体芯片,该半导体晶圆包括:凹槽部,该凹槽部设置于半导体晶圆的边缘部;以及遮光部,该遮光部在半导体晶圆所包含的表面中与形成半导体芯片的表面平行的表面上,设置于凹槽部的外周、或...
  • 本申请实施例提供了一种半导体结构及半导体结构的制造方法,该半导体结构包括:基底;该基底包括衬底和形成于衬底表面的导电线路层;其中,导电线路层包括至少两条间隔分布的导电线路;形成于导电线路层远离衬底一侧的绝缘层;其中,绝缘层内形成有与导电线路...
  • 本发明提出一种形成半大马士革金属互联的钴电沉积工艺及其结构,该工艺包括:在SiCN/SiCO复合低k介质层中刻蚀通孔,并经NH3等离子体活化以引入表面氮活性位点;采用原子层沉积技术在通孔内表面制备钴种子层,再以硫酸盐电解液体系施加脉冲电流,...
  • 本发明提供一种改善晶圆应力破片的方法,该方法包括:在形成有器件结构的半导体衬底上,先沉积一层具有拉伸应力的第一接触刻蚀停止层,再于其上沉积一层具有压缩应力的第二接触刻蚀停止层。本发明通过采用拉伸应力与压缩应力相结合的双层接触刻蚀停止层结构,...
  • 本发明公开了一种用于可拉伸电子系统层间电连接的构造方法,涉及柔性电子学技术领域。本发明主要针对三维可拉伸电子系统层间互连稳定性的问题,基于通孔的金属化工艺,提出了一种构造垂直互连通路的有效方案。通过机械打孔以及化学镀铜工艺在刚性岛区域形成高...
  • 本发明提供一种半导体工艺方法,涉及半导体制造领域。该方法包括:提供膜层结构;纵向刻蚀第一氧化硅膜层和第二氧化硅膜层,并横向刻蚀侧墙膜层部分厚度,偏置功率为脉冲模式;刻蚀碳膜层,并保留侧墙膜层;以侧墙膜层为掩膜,刻蚀氮氧化硅膜层。该方法在刻蚀...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,该工艺旨在形成连接顶层铝金属线的可靠钨塞结构,以替代传统铝凸点连接。该工艺包括:在钝化层上沉积粘附层;刻蚀贯穿粘附层、钝化层及层间介质层的高深宽比通孔至铝线;沉积阻挡层;采用两次钨沉积和一次中间回刻步骤填...
  • 一种半导体的光退火方法,包括步骤:提供半导体,其中半导体具有第一表面及第二表面;形成接触金属层于半导体的第二表面;以及以高功率照射光源照射接触金属层,以使接触金属层中的多个扩散离子扩散至半导体,进而使接触金属层一侧的部分半导体形成接触金属扩...
  • 本发明公开了一种用于晶圆传输设备的晶圆支架装置及其使用方法,其属于半导体制造技术领域,所述用于晶圆传输设备的晶圆支架装置包括基座,所述基座上表面开设有圆形的凹槽,所述凹槽的内壁上设有中心点关于凹槽圆心对称的第一支架和第二支架,所述第一支架和...
  • 本申请涉及清洗设备技术领域,公开了一种半导体加工用自提式清洗设备,用以解决部分被清理下的杂质被固定机构挡住,导致杂质堆积在固定机构与晶圆接触位置的问题。通过在清理过程中,解除对第二固定机构的限位,在离心力的作用下,离心块挤压伸缩囊Ⅰ,使伸缩...
  • 本申请公开了一种芯片顶出切换装置,涉及芯片封装设备的技术领域,其包括基座;至少两个顶针,顶针包括针筒和顶芯,顶芯与针筒滑动配合;顶针支架,至少设有两个顶针载台,顶针载台用于放置顶针;活动支架,活动设置于基座,并固定设置有用于卡接针筒的顶针安...
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