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最新专利技术
  • 一种TO-46固晶机及其控制方法
    一种TO-46固晶机及其控制方法_佑光智能半导体科技(深圳)有限公司_202511098178.9
    本申请提供一种TO‑46固晶机及其控制方法，涉及固晶机的技术领域。一种TO‑46固晶机包括机台以及设置于所述机台上的晶片供料装置、晶片移动摆臂装置、点胶装置、料盘承载装置和料盘容纳装置；述料盘承载装置用于承载料盘，所述料盘容纳装置用于容纳料...
    2025-12-03
  • 加热盘的调平装置、方法、工艺腔室及存储介质
    加热盘的调平装置、方法、工艺腔室及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511093835.0
    本发明提供了加热盘的调平装置、方法、工艺腔室、存储介质。所述加热盘的调平装置包括发射探头、感光探头及控制器。所述发射探头向所述加热盘上承载的晶圆的预设中心点发射出倾斜的第一光线。所述感光探头获取所述第一光线经由所述晶圆反射出的第二光线。所述...
    2025-12-03
  • 装载端口装置、前端装载装置、晶圆加工设备及检测方法
    装载端口装置、前端装载装置、晶圆加工设备及检测方法_华海清科(北京)科技有限公司_202510932949.3
    本申请提供一种装载端口装置、前端装载装置、晶圆加工设备及检测方法。装载端口装置包括：主体；自主体水平凸出的装载台，装载台用于放置晶圆盒，晶圆盒构造成用于沿竖直方向间隔叠放晶圆；以及检测机构，其活动安装到主体，并且沿竖直方向可移动以依次检测晶...
    2025-12-03
  • 一种用于晶圆加工的刷洗机械以及使用方法
    一种用于晶圆加工的刷洗机械以及使用方法_广东鸿浩半导体设备有限公司_202510926833.9
    本发明公布了一种用于晶圆加工的刷洗机械以及使用方法，该刷洗机械包括晶圆本体、刷洗框、插座、驱动装置和喷淋装置，插座的左侧沿其长度方向均匀设有刷辊，刷辊上密布有刷毛，相邻两个刷辊之间开设有插槽，驱动装置包括驱动件和驱动电机，喷淋装置包括喷淋仓...
    2025-12-03
  • 一种半导体产品快速剥离胶带装置及胶带剥离方法
    一种半导体产品快速剥离胶带装置及胶带剥离方法_杭州先导热电科技有限公司_202510870108.4
    本发明公开了一种半导体产品快速剥离胶带装置及胶带剥离方法，旨在提供一种不仅能够有效提高半导体产品剥离胶带的作业效率，而且能够有效改善人工手动剥离胶带过程中存在的半导体产品背部黏胶与半导体产品结构形变等问题的一种半导体产品快速剥离胶带装置及胶...
    2025-12-03
  • 基板处理装置
    基板处理装置_细美事有限公司_202510604530.5
    本发明涉及用于处理基板的装置。该装置包括用于排出液体处理腔室的处理空间中的气体的排出单元。排出单元包括：排出管道，其连接到液体处理腔室并且具有从处理空间排出的气体通过其流动的排出管道；清洁溶液供应单元，其设置在排出管道中并将清洁溶液供应到流...
    2025-12-03
  • 用于处理基板的装置
    用于处理基板的装置_细美事有限公司_202510604015.7
    本发明公开了一种处理基板的基板处理装置和基板处理方法。一种用于处理基板的装置，该装置包括：壳体，该壳体具有在其中放置基板的处理空间；流体供应单元，该流体供应单元用于将干燥流体供应到处理空间；以及排出单元，该排出单元用于使排出流体从处理空间排...
    2025-12-03
  • 衬底处理设备和衬底处理方法
    衬底处理设备和衬底处理方法_细美事有限公司_202510603412.2
    提供了一种用于处理衬底的设备。所述设备包括：第一主体；第二主体，所述第二主体与所述第一主体组合以限定处理空间；提升单元，所述提升单元用于在打开位置和关闭位置之间移动所述第二主体；以及第一衬底支撑件和第二衬底支撑件，所述第一衬底支撑件安装在所...
    2025-12-03
  • 衬底处理设备和衬底处理方法
    衬底处理设备和衬底处理方法_细美事有限公司_202510603396.7
    公开了一种处理衬底的衬底处理设备和衬底处理方法。所述衬底处理设备包括：壳体，其用于提供处理空间以处理衬底；支撑单元，其位于所述处理空间中并用于支撑所述衬底；喷嘴，其用于向支撑在所述支撑单元上的所述衬底供应处理溶液；以及加热单元，其用于加热支...
    2025-12-03
  • 用于反应空间压力测量的方法和装置
    用于反应空间压力测量的方法和装置_ASMIP私人控股有限公司_202510579019.4
    本技术的各种实施例可以提供一种系统，该系统具有反应器，该反应器具有反应空间和配置成测量反应空间内部的压力的压力监测系统。压力监测系统可以包括两个或更多个压力传感器，其中每个压力传感器可以与两个阀隔离，一个阀布置在压力传感器的上游，另一个阀布...
    2025-12-03
  • 液处理装置、液处理方法和存储介质
    液处理装置、液处理方法和存储介质_东京毅力科创株式会社_202510562581.6
    本发明提供在对基片进行液处理时，防止因处理液的温度变化而产生不良情况的液处理装置、液处理方法和存储介质。液处理装置包括：向基片吐出从处理液供给源供给的处理液的喷嘴；将处理液供给源与喷嘴连接的第一流路；第二流路，一端与第一流路中的第一连接部连...
    2025-12-03
  • 基片处理装置和在线圈的周围设置铁氧体屏蔽部的方法
    基片处理装置和在线圈的周围设置铁氧体屏蔽部的方法_东京毅力科创株式会社_202510561855.X
    本发明提供一种基片处理装置，在不损害非接触供电的效率的情况下有效地防止磁通泄漏。基片处理装置包括：保持基片的旋转台；旋转驱动部，使旋转台绕旋转轴线旋转；至少1个电加热器，设置于旋转台；至少1个受电线圈，其设置于旋转台，与电加热器电连接；至少...
    2025-12-03
  • 热处理装置和热处理方法
    热处理装置和热处理方法_东京毅力科创株式会社_202510550852.6
    本发明提供一种热处理装置和热处理方法，能够使在基板形成膜时因泡引起的缺陷减少。本公开的热处理装置具备：载置部，形成于基板的膜固化前的该基板被载置于该载置部；以及加热部，其以低于所述膜中包含的溶剂的沸点的温度将载置于所述载置部的所述基板进行加...
    2025-12-03
  • 接合装置
    接合装置_株式会社新川_202510529337.X
    本发明实现接合的可靠性提高。接合装置(1)包括：搬送机构(20)，对基板(SB)进行搬送；接合工具(43)，将电子零件(CH)接合在基板(SB)；以及抗氧化路径(100)，具有沿着搬送机构(20)延伸并包围搬送机构(20)的壁部(110)，...
    2025-12-03
  • 接合装置
    接合装置_株式会社新川_202510527783.7
    本发明实现接合的可靠性提高。接合装置(1)包括：搬送机构(20)，对基板(SB)进行搬送；接合工具(43)，将电子零件(CH)接合在基板(SB)；以及抗氧化路径(100)，具有沿着搬送机构(20)延伸并包围搬送机构(20)的壁部(110)，...
    2025-12-03
  • 晶圆的检测装置及晶圆的检测方法
    晶圆的检测装置及晶圆的检测方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511096636.5
    本发明提供了一种晶圆的检测装置及晶圆的检测方法，所述装置包括：检测台、多个驱动传感器、控制器和notch定位感应器；所述多个驱动传感器设置在所述检测台上，所述多个驱动传感器用于承载晶圆且生成所述晶圆的多个检测区域所对应的多个重力检测数据；所...
    2025-12-03
  • 一种晶圆缺陷的工艺段确定方法及装置
    一种晶圆缺陷的工艺段确定方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511095534.1
    本发明提供了一种晶圆缺陷的工艺段确定方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括在对第一批次晶圆集中每个晶圆依次进行预设测试的过程中，实时获取每个晶圆的预设测试结果，得到第一批次晶圆集的第一检测结果，第一检测结果包括至少L个晶圆的预设测试...
    2025-12-03
  • 晶圆缺陷检测方法、计算机设备及超声设备
    晶圆缺陷检测方法、计算机设备及超声设备_广州增芯科技有限公司_202511093747.0
    本申请提供一种晶圆缺陷检测方法、计算机设备及超声设备，涉及芯片检测技术领域。该晶圆缺陷检测方法包括：控制目标超声设备向键合晶圆依次发射多个超声波信号，其中，目标超声设备的超声探头上设置有：多个换能器单元；多个换能器单元包括：至少两个不同探测...
    2025-12-03
  • 宽禁带半导体晶圆衬底及高温性能对外延薄膜影响表征方法
    宽禁带半导体晶圆衬底及高温性能对外延薄膜影响表征方法_中国计量大学_202511067717.2
    本发明公开一种宽禁带半导体晶圆衬底及高温性能对外延薄膜影响表征方法，包括：制备不同质量的宽禁带半导体晶圆衬底并生长外延薄膜；在不同的温度下利用多光谱增强椭偏仪在外延薄膜的同一个位置分别测量拉曼光谱、白光干涉光谱和椭偏光谱；根据拉曼光谱和白光...
    2025-12-03
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996404.9
    形成半导体器件的方法包括：在互连结构上方形成导电焊盘，并且导电焊盘电耦接至互连结构，其中互连结构设置在衬底上方并且电耦接至形成在衬底上的电子组件；在导电焊盘和互连结构上方形成钝化层；以及在钝化层上方形成牺牲测试结构，并且牺牲测试结构电耦接至...
    2025-12-03
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