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最新专利技术
  • 半导体结构单元及其形成方法、半导体结构
    半导体结构单元及其形成方法、半导体结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410252040.9
    一种半导体结构单元及其形成方法、半导体结构，半导体结构单元包括：衬底，包括第一区和第二区；位于衬底上的若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，第一栅极结构位于相邻的第二栅极结构之间；位于第一区第一栅极结构上和第二栅极结构上的若干第一金属层，第一...
    2025-09-21
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410253724.0
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极层；在所述栅极层上形成第一掩膜层；利用所述第一掩膜层对所述栅极层进行刻蚀，形成栅极；对所述衬底进行离子掺杂，以在所述栅极两侧形成源/漏区；去除所述第一掩膜层；形成覆盖...
    2025-09-21
  • 半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统
    半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410249679.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决低电压晶体管背栅漏电的问题。所述半导体器件包括衬底、第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层、第一晶体管和第二晶体管。第一绝缘层设置于衬底一侧，包括第一部分...
    2025-09-21
  • 薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法
    薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法_深超光电(深圳)有限公司_202410253958.5
    本发明涉及一种薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一金属层以及覆盖于第一金属层上的绝缘层；在绝缘层上形成非晶态半导体薄膜；对非晶态半导体薄膜进行热处理，以使非晶态半导体薄膜转换...
    2025-09-21
  • 薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法
    薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法_深超光电(深圳)有限公司_202410252139.9
    本发明公开一种薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一金属层以及覆盖于第一金属层上的绝缘层；在绝缘层上形成非晶态半导体薄膜；对非晶态半导体薄膜进行离子注入，以将3A族离子注入非晶...
    2025-09-21
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_世界先进积体电路股份有限公司_202410247015.1
    提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括碳化硅基板、外延层、第一电极、分离栅极结构以及源极接触。碳化硅基板具有第一、第二以及第三区，且具有第一导电类型。外延层设置于碳化硅基板的顶面上。外延层具有第一导电类型。第一电极设置于第一区的外延层中...
    2025-09-21
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_世界先进积体电路股份有限公司_202410247012.8
    本发明提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括碳化硅基板、外延层、阱区、栅极结构、第一绝缘柱、一对第一介电间隔物以及接触部件。碳化硅基板具有第一区以及第二区，且具有第一导电类型。外延层设置于碳化硅基板上且具有第一导电类型。阱区位于外延层中...
    2025-09-21
  • 一种注塑成型含前或后端盖的定子组件及其工艺
    一种注塑成型含前或后端盖的定子组件及其工艺_泰格运控(江苏)技术有限公司_202410246291.6
    本发明适用于电机制造技术领域，提供了一种注塑成型含前或后端盖的定子组件及其工艺，包括集成前端盖或集成后端盖，所述集成前端盖或集成后端盖内设有定子铁芯和定子绕组，所述集成前端盖或集成后端盖采用可塑性材质成型；其中，所述定子绕组置于所述定子铁芯...
    2025-09-21
  • 一种O3型钠离子电池镍锰基层状氧化物正极材料、制备方法和用途
    一种O3型钠离子电池镍锰基层状氧化物正极材料、制备方法和用途_北京工业大学_202410251143.3
    一种O3型钠离子电池镍锰基层状氧化物正极材料、制备方法和用途属于电极材料领域。化学通式表示为：Nax(NiyMn1‑y)1‑βMβ...
    2025-09-21
  • 一种多芯片的封装结构、光模块和光通信系统
    一种多芯片的封装结构、光模块和光通信系统_华为技术有限公司_202410254054.4
    本申请提供了，一种多芯片的封装结构、光模块和光通信系统，包括：基板，基板的顶面配置有多个芯片，多个芯片包括至少一个电芯片和光芯片；其中，基板的顶面包括第一区域和第二区域，第一区域与基板的底面的距离大于第二区域与基板的底面的距离，第一区域用于...
    2025-09-21
  • 一种利用空气腔增强氧化镓外延质量的制备方法
    一种利用空气腔增强氧化镓外延质量的制备方法_中国计量大学_202410247833.1
    本发明提供了一种利用空气腔增强氧化镓外延质量的制备方法，该方法通过降低位错密度来提高薄膜质量。在具体实施过程中，我们采用光刻技术在衬底上形成具有特定图案的光刻胶，随后对带有光刻胶图案的衬底进行热回流处理。接着，在热回流后的衬底上进行非晶态或...
    2025-09-21
  • 问答处理的方法、装置、电子设备、介质及程序产品
    问答处理的方法、装置、电子设备、介质及程序产品_杭州阿里云飞天信息技术有限公司_202410251112.8
    本发明实施例提供了问答处理的方法、装置、电子设备、介质及程序产品，所述方法包括：获取用户输入的问题文本，并生成所述问题文本对应的第二向量；采用所述第二向量，在预先构建的向量库中进行向量匹配，得到目标第一向量，并确定所述目标第一向量对应的目标...
    2025-09-21
  • 一种基于生成式人工智能技术的电厂设计专题报告生成方法及其系统
    一种基于生成式人工智能技术的电厂设计专题报告生成方法及其系统_中国电力工程顾问集团华东电力设计院有限公司_202410247985.1
    本发明提供了一种基于生成式人工智能技术的电厂设计专题报告生成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)数据采集与处理；(2)自然语言处理与信息提取；(3)生成式人工智能模型训练；(4)报告生成与内容组织；(5)报告输出与定制化；(6)质量评估与...
    2025-09-21
  • 问答方法、装置、计算机设备和存储介质
    问答方法、装置、计算机设备和存储介质_北京金山云网络技术有限公司_202410251413.0
    本申请涉及一种问答方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：在目标提问内容的答复场景为非预设场景时，通过从缓存中查询目标提问内容对应的目标答复内容并反馈给目标账号，以减少预设大语言模型的使用频次，从而降低预设大语言模型的使用代价，以解...
    2025-09-21
  • 用于机动车驱动电池的单体接触系统的熔断器
    用于机动车驱动电池的单体接触系统的熔断器_宝马股份公司_202480009032.X
    本发明涉及一种用于机动车驱动电池的单体接触系统的熔断器，所述熔断器可这样设置在驱动电池的电池单体区域中且这样确定尺寸，使得在电池单体热失控时电池单体的反应热与在此在电池单体端子区域中出现的相关短路电流的欧姆损耗以及与在此在熔断器上出现的短路...
    2025-09-21
  • 二次电池
    二次电池_三星SDI株式会社_202480002956.7
    一种二次电池包括：电极组件，包括第一电极板、第二电极板和隔膜；壳体，被配置以容纳电极组件；以及盖组件，联接到壳体的开放的上侧。支撑结构设置并固定到电极组件的下端，并且支撑结构被支撑以与壳体的下底表面接触。
    2025-09-21
  • 显示面板及电子设备
    显示面板及电子设备_云谷(固安)科技有限公司_202410256732.0
    本申请实施例提供的一种显示面板及电子设备，涉及显示技术领域，所述显示面板包括阵列基板；层叠于所述阵列基板一侧的光取出层和多个发光子像素；所述光取出层在所述阵列基板上的正投影与所述发光子像素在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠，所述光取出层包...
    2025-09-21
  • 一种QLED器件及其应用
    一种QLED器件及其应用_云谷(固安)科技有限公司_202410257185.8
    本发明提供一种QLED器件及其应用。所述QLED器件包括发光层，所述发光层包括依次层叠设置的第一发光层、激子阻挡层和第二发光层；所述第一发光层的材料包括第一主体基质和染料；所述染料包括蓝光染料和/或黄光染料。本发明中通过对QLED器件发光层...
    2025-09-21
  • 显示单元、显示面板和显示模组
    显示单元、显示面板和显示模组_京东方科技集团股份有限公司_202410253807.X
    本公开提供一种显示单元、显示面板和显示模组，属于显示技术领域。显示面板包括阵列分布的显示单元，显示单元包括依次层叠设置的发光单元、第一光学单元和第二光学单元；发光单元用于提供激发光；第一光学单元对来自发光单元侧的激发光呈现增透特性；第二光学...
    2025-09-21
  • 铁电存储器及其制备方法、电子设备
    铁电存储器及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410260069.1
    本申请提供一种种铁电存储器及其制备方法、电子设备。该铁电存储器包括：衬底和形成在衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括铁电电容；铁电电容包括堆叠的第一电极和第二电极，和铁电层；铁电层包括氧化铪、氧化锆中的至少一种材料以及掺杂元素；掺杂元素的...
    2025-09-21
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