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  • 本发明之半导体封装件包含:底座基板;中介基板,设置在该底座基板上;复数第一导电块,夹设在该底座基板与该中介基板之间,并电性连接到该底座基板与该中介基板;第一芯片,设置在该中介基板上;以及复数第二导电块,夹设在该中介基板与该第一芯片之间,并电...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是一种提高芯片散热、减薄产品厚度的封装结构和方法,包括基板、芯片、焊线、透光板、包封胶体和焊球。本发明的一种提高芯片散热、减薄产品厚度的封装结构和方法通过基板镂空设计,使芯片背面直接暴露于外部,显著提升了芯...
  • 一种芯片封装结构,其特征在于,包括:衬底,衬底的上表面设置有槽体,并且衬底的上表面和下表面之间设置有多个第一导通孔,其中,第一导通孔中填充有导电材料,形成第一导电柱;多个第一芯片,多个第一芯片的有源面朝向槽体的开口方向,并沿基本垂直的方向堆...
  • 本申请提供一种芯片载板及其制作方法、芯片封装结构,该芯片载板包括基板和多层重布线层,基板包括相对设置的第一表面和第二表面,基板上设置有多个导电孔,导电孔自第一表面向第二表面的方向凹陷,导电孔填充有导电结构;多层重布线层位于基板的第一表面,至...
  • 本发明公开一种复合式板材封装结构,其包含一第一陶瓷板、埋置于所述第一陶瓷板的多个导通柱、形成于所述第一陶瓷板外板面的多个接合垫、形成于所述第一陶瓷板内板面的多个布局线路、形成于所述内板面的一感光型光阻墙、接合于所述感光型光阻墙的一感光型光阻...
  • 本发明提供一种半导体封装结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一半导体基底,半导体基底上表面设有至少一连接结构,连接结构至少包括金属焊垫;于连接结构上表面形成有机保护层,有机保护层中形成有底部显露出金属焊垫的部分上表面的开口部;将形成有有机保...
  • 本公开涉及扇出型晶圆级芯片尺度封装中的半导体装置及相关联的方法。依据本公开的各种实施例,提供了一种扇出型晶圆级芯片尺度封装,其包括:半导体管芯,具有顶侧、相反的底侧和四个周边侧,顶侧具有有源层;模制化合物,围绕半导体管芯的周边侧;再分布层,...
  • 本申请涉及集成电路封装领域,特别是涉及铜微球的制备方法、键合材料。铜微球的制备方法包括:制备包括铜颗粒以及光固化剂的铜源分散液;向容器中依次填充第一承载液、第二承载液以及第三承载液,制备铜源承载相,其中,第一承载液的粘度大于第二承载液的粘度...
  • 本发明公开了一种高密度、小间距BGA封装板的精细化焊盘处理方法,涉及半导体加工技术领域,该方法通过罗列所有BGA焊盘可能存在的物理状态,然后根据不同的物理状态执行不同的补偿、切削和阻焊开窗策略,通过系统化综合考虑,一方面,确保最终成形的焊盘...
  • 本发明公开了一种半导体集成电路芯片焊接的方法,涉及半导体焊接工艺技术领域,包括,采集氧化层厚度数据和基板微观形貌数据,输入预训练的卷积神经网络,生成氧化状态编码矩阵;通过梯度配比算法计算聚乙二醇和葡聚糖双水相溶液的最优浓度比例,对最优浓度比...
  • 本发明涉及键合设备位移补偿技术领域,尤其涉及一种高速引线键合设备运动平台位移误差动态补偿方法及装置,包括:对运动平台的状态参数进行实时采集,获取多维度实时监测数据;基于多维度实时监测数据,通过并行执行的多个预设辨识算法分别独立估计平台实时特...
  • 本发明涉及半导体封装的技术领域,尤其涉及一种用于高速引线键合设备的芯片定位系统,包含有定位传输机构;所述定位传输机构的两端分别设置有上料输送机构和卸料输送机构;所述定位传输机构设置为可升降式;所述定位传输机构的中间设置有预热键合台;所述定位...
  • 本申请公开了一种芯片封装结构及其制备方法,包括:电路板、沉积于电路板上的第一阻焊层、多个第一芯片以及设置于第一阻焊层上的第二阻焊层。其中第一阻焊层包括用于暴露电路板的多个第一区域,第一芯片的设置位置与第一区域对应;以及第二阻焊层布设于第一芯...
  • 本公开提供一种功率模块及功率模块制备方法,涉及半导体技术领域。功率模块包括于上下方向依次分布的塑封模块、焊料结构和散热件;焊料结构包括第一焊料结构和第二焊料结构,第一焊料结构支撑于散热件,且第一焊料结构远离散热件的第一端面与塑封模块的绝缘板...
  • 本申请实施例提供一种电子器件、电子器件的制作方法、电路板、封装模组、封装模组的制作方法、及电子设备。电子器件包括器件主体以及设于器件主体的周侧的多个管脚,其中,每个管脚包括第一部分和第二部分,第一部分位于器件主体的底面,第二部分位于器件主体...
  • 本申请公开一种半导体结构及其制备方法、芯片、集成电路和电子设备,该半导体结构的制备方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成高介电介质层;在所述高介电介质层远离所述衬底的一侧形成保护金属层;对所述保护金属层进行氧化处理形成保护层;在所述保护层远离...
  • 本发明公开了一种基于隐性围坝的芯片存算封装方法,包括:提供电路载板;在电路载板上安装存储裸芯,并使电路载板与存储裸芯通过电连接件电连接,以形成与电路载板电连接的存储芯片单元;在电路载板上围绕存储芯片单元进行围坝胶点胶,并对围坝胶固化以形成第...
  • 本申请涉及一种扇出型封装方法及扇出型封装结构。该扇出型封装方法包括:于临时载板的一侧形成支撑导电柱。于相邻支撑导电柱之间的区域自下而上堆叠多个存储器单元,形成堆叠存储结构;堆叠存储结构靠近支撑导电柱的端部呈阶梯结构。于阶梯结构的多个台阶面上...
  • 本发明公开了一种避免在板级封装边缘形成铜瘤的方法,包括:采用聚酰亚胺材料通过曝光和过显影方式在聚酰亚胺绝缘层顶部边缘处形成有向上凸起的具有侧蚀或底切的一圈环,电镀夹具置于环内侧的聚酰亚胺绝缘层顶部进行电镀。本发明中通过向上凸起的环的设置,使...
  • 本申请公开了一种封装件及其制造方法,封装件的制造方法包括:提供基础框架;在基础框架的通孔中嵌入第一芯片,并在通孔内填充绝缘材料以形成第二绝缘材料层;在基础框架和第二绝缘材料层的上侧形成第一互连结构层,在基础框架和第二绝缘材料层的下侧形成第二...
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