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最新专利技术
  • 一种线束端子自动化压接装置
    一种线束端子自动化压接装置_合肥钜恒科技有限公司_202610103164.X
    本发明涉及线束加工技术领域，公开了一种线束端子自动化压接装置，包括底座，所述底座的上表面固接有底板；所述底座的上表面位于底板的外侧固接有U型座，所述U型座的上表面固接有伸缩缸，所述伸缩缸的伸缩端固接有升降板，所述升降板的下表面从左往右均匀设...
    2026-04-28
  • 一种射频连接器接触芯的自动定向插装设备
    一种射频连接器接触芯的自动定向插装设备_昆山市美田精密工业有限公司_202511997121.2
    本发明涉及射频连接器插装技术领域，具体公布了一种射频连接器接触芯的自动定向插装设备，其包括，工作台、支撑板、承载板，支撑板竖直设置于工作台上，承载板水平设置于支撑板的一侧，承载板上设置有放置座、导轨，导轨上滑动匹配设置有滑移座一、滑移座二，...
    2026-04-28
  • 一种多脚位连接器的装配执行机构
    一种多脚位连接器的装配执行机构_芜湖雅葆轩电子科技股份有限公司_202610086616.8
    本发明涉及电路板制造技术领域，具体涉及一种多脚位连接器的装配执行机构，包括插件、退料套、轴筒、芯轴、第一气缸和第二气缸；第一气缸连接轴筒，轴筒连接退料套，以独立驱动退料套移动；第二气缸连接芯轴，芯轴连接插件，以独立驱动插件移动；且插件滑动在...
    2026-04-28
  • 用于自动剥离并拼接或焊接的机器人电线夹持解决方案
    用于自动剥离并拼接或焊接的机器人电线夹持解决方案_安波福技术股份公司_202511567917.4
    一种自动拼接或焊接设备，包括：线材保持器(200)，其适于保持处于预剥离状态的以给定的纵向对准和平行延伸进行插塞的线材部段(300)；以及与线材保持器分离的自动拼接或焊接机，机器人臂配备有机器人夹持器，用于夹持线材保持器中的预剥离的线材部段...
    2026-04-28
  • 一种线束组装设备
    一种线束组装设备_芜湖侨云友星电气工业有限公司_202511944123.5
    本发明公开了一种线束组装设备，涉及线束加工技术领域，该设备包括基座，所述基座上端后侧设置有安装板，所述安装板上端设置有C型块，所述C型块内部设置有用于对多组线束导线进行缠绕组装的缠绕结构，所述C型块一侧设置有用于对线束导线外表面进行清洁的清...
    2026-04-28
  • 一种用于双光路激光器的水平对齐调节方法及其装置
    一种用于双光路激光器的水平对齐调节方法及其装置_武汉华臻志创科技有限公司_202411321010.5
    本发明公布了一种用于双光路激光器的水平调节方法，包括以下步骤：S1.安装调试一种用于双光路激光器的水平调节装置，S2.激光器发出左光束和右光束；S3.检测左光束和右光束像点获取图像采集信息，左右侧图像检测部件的图像采集信息通过图像采集卡获取...
    2026-04-28
  • 一种用于便携式激光毁伤装置的散热芯体及散热方法
    一种用于便携式激光毁伤装置的散热芯体及散热方法_中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所_202511754443.4
    本发明涉及便携式激光设备散热技术领域，公开了一种用于便携式激光毁伤装置的散热芯体及散热方法，包括，壳体内部划分为高功率腔体和低功率腔体，散热芯体包括上基板和下基板，上基板可拆卸连接于下基板上，上基板贴合于高功率腔体的外壁，上基板朝向下基板的...
    2026-04-28
  • 一种消耗式高能激光散热器及散热方法
    一种消耗式高能激光散热器及散热方法_中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所_202511754448.7
    本发明涉及高能激光设备散热技术领域，公开了一种消耗式高能激光散热器及散热方法，包括散热器壳体，所述散热器壳体内间隔设有若干个散热翅片，若干个所述散热翅片之间连接有换热管，所述换热器壳体上开设有第一散热孔和第二散热孔，所述第一散热孔上沿水平方...
    2026-04-28
  • 薄片激光器及其应用的治疗机
    薄片激光器及其应用的治疗机_上海瑞柯恩医疗技术股份有限公司_202512024064.6
    本申请属于激光器领域，提供了一种薄片激光器及其应用的治疗机，包括：薄片介质，具有相对的第一表面和第二表面；泵浦源，位于第一表面所在的一侧；高反射镜和输出耦合镜，位于第二表面所在的一侧，高反射镜和输出耦合镜之间形成谐振腔，泵浦源适于向薄片介质...
    2026-04-28
  • 一种基于泵浦回收的放大器系统及放大方法
    一种基于泵浦回收的放大器系统及放大方法_武汉邮电科学研究院有限公司_202511868230.4
    本申请涉及一种基于泵浦回收的放大器系统，包括：泵浦激光单元，用于产生泵浦光；泵浦光分配单元，其输入端与所述泵浦激光单元连接，用于接收所述泵浦光并将其分配至多个并行光路；多芯增益光纤单元，用于对信号光提供光学增益；信号反射单元，其设置在所述多...
    2026-04-28
  • 一种微腔增强的有机分子单光子源及制备方法
    一种微腔增强的有机分子单光子源及制备方法_天府绛溪实验室_202511856420.4
    本发明公开了一种微腔增强的有机分子单光子源及制备方法，涉及集成光子学和量子信息技术领域，解决现有的单光子源存在收集效率低、自发辐射速率有限、分子与光场的耦合效率不高等技术问题；包括：第一衬底；光学微腔，设在第一衬底上；有机分子发光材料，设在...
    2026-04-28
  • 一种多路分光装置及方法
    一种多路分光装置及方法_海目星激光科技集团股份有限公司_202511689314.1
    本发明涉及一种多路分光装置及方法，所述多路分光装置包括激光器，用于输出线偏振激光；偏振调控组件，绕光轴可转动的设置于所述激光器的出光光路上，通过转动调节所述线偏振激光的偏振态；偏振分光组件，其光路输入端与所述偏振调控组件的光路输出端对齐，基...
    2026-04-28
  • 一种主被动调Q激光器及高重复频率单光子激光雷达
    一种主被动调Q激光器及高重复频率单光子激光雷达_北京环境特性研究所_202511840574.4
    本发明涉及激光雷达技术领域，特别涉及一种主被动调Q激光器及高重复频率单光子激光雷达。本发明实施例提供一种主被动调Q激光器，包括半导体泵浦激光器、输出尾纤和光学谐振腔；所述半导体泵浦激光器用于发射激光，激光通过所述输出尾纤进入所述光学谐振腔，...
    2026-04-28
  • 一种RGB混色激光光源的温度控制系统及方法
    一种RGB混色激光光源的温度控制系统及方法_上海航空电器有限公司_202411335909.2
    本发明公开一种RGB混色激光光源的温度控制系统及方法。所述RGB混色激光光源的温度控制系统包括：RGB激光器、温度传感器、温度信号处理单元、PID控制器、TEC和TEC驱动电路。所述PID控制器用于根据来自所述温度信号处理单元的温度信号结合...
    2026-04-28
  • 用于多波长发射模块的散热装置以及散热系统
    用于多波长发射模块的散热装置以及散热系统_中国科学院半导体研究所_202511968048.6
    本公开提供一种用于多波长发射模块的散热装置以及散热系统，涉及光电集成模块散热的技术领域，该用于多波长发射模块的散热装置包括：半导体制冷器，半导体制冷器的相对的两侧被构造成响应于外部直流电流的激励分别形成冷面和热面，冷面与多波长发射模块的热源...
    2026-04-28
  • 一种EML COC器件及其制造方法
    一种EML COC器件及其制造方法_武汉联特科技股份有限公司_202610194438.0
    本发明公开了一种EML COC器件及其制造方法，该EML COC器件包括载体基板和EML激光器芯片，所述载体基板的上表面设有高频正极走线、高频负极走线、参考GND走线、激光器正极焊盘以及第一电阻辅助盘和第二电阻辅助盘，所述第一电阻辅助盘通过...
    2026-04-28
  • 一种激光器及其制作方法
    一种激光器及其制作方法_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511937940.8
    本发明提供一种激光器及其制作方法，涉及激光器技术领域。激光器包括顺次设置的衬底、第一反射层、有源层、电流限制层和第二反射层，所述电流限制层定义出发光孔；所述激光器还包括位于所述第二反射层远离所述衬底一侧的透明导电层、导电接触层和至少一层钝化...
    2026-04-28
  • 一种修复半导体激光器芯片腔面上的ZnSe钝化膜斑点微缺陷的方法
    一种修复半导体激光器芯片腔面上的ZnSe钝化膜斑点微缺陷的方法_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202512011483.6
    本发明属于半导体激光器制造技术领域，具体涉及一种修复半导体激光器芯片腔面上的ZnSe钝化膜斑点微缺陷的方法，其核心步骤包括：将带有斑点缺陷的ZnSe钝化膜芯片固定于干燥洁净的高温承载托板并置于加热炉；通入惰性气体置换炉内空气；在持续惰性气氛...
    2026-04-28
  • 一种PtAu-TiAu-PtAu多层膜电极及其制备方法
    一种PtAu-TiAu-PtAu多层膜电极及其制备方法_湖北光安伦芯片有限公司_202511652083.7
    本发明提供了一种PtAu‑TiAu‑PtAu多层膜电极及其制备方法，该方法包括如下步骤：S1、在晶圆的电极光刻图形区生长PtAu底层；S2、在S1中晶圆的表面整面生长TiAu种子层；S3、在S2中晶圆的电极光刻图形区生长PtAu表层；S4、...
    2026-04-28
  • 一种高功率单横模的边发射半导体激光器及制备方法
    一种高功率单横模的边发射半导体激光器及制备方法_浙江华辰芯光技术有限公司_202512001054.0
    本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种高功率单横模的边发射半导体激光器及制备方法。包括芯片结构，芯片结构包括外延层、欧姆接触层和P面电极，芯片结构包括前腔面和后腔面，P面电极上设有去除镀金层的限制结构，限制结构对称分布于欧姆接触层...
    2026-04-28
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