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  • 提供壳体与基座板的粘接性提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具有电路基板、基座板、壳体和凹部。电路基板搭载有半导体元件。基座板通过支撑面对电路基板进行支撑。壳体在支撑面的法线方向上通过粘接区域而粘接于基座板。壳体将电路基板包围。基座板具有...
  • 本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装载板结构,包括载板主体,载板主体采用电绝缘材料制成,载板主体上设有用于容纳电子元件的镂空区,镂空区周围布置有用于与电子元件引脚连接的引脚,载板主体上设有蚀刻区,蚀刻区内填充有非导电材料,非导电材料与芯片...
  • 本发明涉及一种超薄芯片埋置基板及其制作方法。本发明包括封装基板,封装基板具有至少一个自其上表面向内凹设的开口腔体;超薄芯片,设置于开口腔体内,超薄芯片的有源面朝向封装基板的上表面,并与封装基板的上表面形成共平面结构;塑封材料,填充于超薄芯片...
  • 本发明公开一种电子装置,包括至少一第一电子单元、一模封层以及一电路结构。模封层围绕第一电子单元。电路结构设置在模封层的一侧且电连接到第一电子单元。电路结构包括一第一部分和一第二部分,在电子装置的一法线方向上,第二部分设置在第一部分与第一电子...
  • 本申请涉及一种聚酰亚胺裸片衬底。在实例中,一种半导体封装(100)包括半导体裸片(106),所述半导体裸片具有包含电路系统的装置侧和与所述装置侧相对的非装置侧。所述半导体封装包括通过粘合剂层(104)耦合到所述半导体裸片的所述非装置侧的聚酰...
  • 一种半导体封装,包括:半导体基板,具有正面和与半导体基板正面相对的背面;多个接触垫,附接至半导体基板正面;第一厚金属层,具有正面和与第一厚金属层正面相对的背面,第一厚金属层的正面通过一种子层附接至半导体基板的背面;以及第二厚金属层,具有正面...
  • 本申请提供了一种用于形成电子器件的方法和设备。所述方法包括:提供衬底;经由焊膏将至少一个电子元件放置在所述衬底上;向所述衬底和所述焊膏提供惰性气氛,其中,所述惰性气氛与空气气氛相比具有更小的氧气分压;以及在所述惰性气氛内通过加热工艺对所述焊...
  • 本发明提供一种用于在基座(10)上烧结一个或多个结构的系统和方法。所述系统包括至少一个烧结单元(50),被配置成烧结基座(10)上的结构。更具体地,烧结单元(50)将对基座(10)上的结构施加力并提供热量以使结构烧结,其中,板(521)被设...
  • 一种半导体封装件包括:基体芯片;多个存储器芯片,设置在基体芯片上;密封构件,设置在基体芯片上,并且靠近所述多个存储器芯片的侧表面;以及多个连接端子,设置在基体芯片的与所述多个存储器芯片相对的底表面上,其中,基体芯片的底表面包括第一区域和设置...
  • 本公开涉及一种多层电子装置封装。一种电子装置(100)包含裸片(110)、接地裸片附接衬垫(104)和电力供应裸片附接衬垫(106)。线接合件(112)将接地网从所述裸片(110)连接到所述接地裸片附接衬垫(104)。额外线接合件(112)...
  • 一种半导体器件具有衬底。衬底设置在石英载体上。电部件设置在与石英载体相对的衬底上方。环氧树脂‑焊锡膏凸块设置在衬底和电部件之间。环氧树脂‑焊锡膏凸块包括环氧树脂和设置在环氧树脂中的焊料粉末。激光能量通过石英载体施加到衬底的表面。激光能量被转...
  • 本发明公开了键合银丝弧形轨迹精确控制方法及系统,涉及引线键合工艺控制技术领域,包括,对键合前的银丝进行扫描,获取晶界移动系数、局部应力和剪切模量,通过X射线衍射分析计算晶格滑移概率,生成预调参数指令集;根据预调参数指令集中的压力调整量和弧高...
  • 一种加强金丝键合质量可靠性的键合方法,属于半导体厚膜混合集成电路封装技术领域。所述键合方法为:(1)先在厚膜金导带上预植金球,加大键合点与金导带的接触面积以及键合强度;(2)在月牙上进行安全球键合,将月牙紧紧夹在两个金球中间,形成汉堡包球键...
  • 本发明公开了一种功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法与应用,涉及功率半导体连接技术领域,其中,功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法包括:提供金属烧结材料、金属片和隔离材料,金属片的尺寸与所述功率半导体芯片晶圆上的功率半导体芯片顶部电极的尺寸...
  • 本发明涉及一种铜丝焊线保护方法,包含步骤:S1、在键合劈刀上套装焊线保护装置;S2、伸出铜导线,焊线保护装置向键合劈刀中心喷出保护气体,在铜导线周围形成保护气体氛围;S3、对铜导线头部打火使其熔化成球状;S4、键合劈刀移动至芯片焊点位置上方...
  • 本发明公开一种预制式铜柱互连阵列模块的制备方法,涉及半导体封装领域。该预制式铜柱互连阵列模块的制备方法,包括以下步骤:铜柱预制、模块组装、编带贴装与回流焊以及底座移除。该预制式铜柱互连阵列模块的制备方法,采用预制实体铜柱以及植柱机高精度阵列...
  • 本发明提出一种用于辅助陶瓷柱栅阵列封装植柱的装置及其制造方法,涉及微电子封装制造与装配领域,以解决现有植柱装置树脂件高温易变形、金属件与陶瓷热膨胀不匹配易生应力翘曲、焊柱定位精度与垂直度不足、多规格芯片通用性差,难以兼顾高温稳定性与微米级定...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,提供一种SiC衬底功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉。SiC衬底功率芯片封装焊接方法包括:SiC衬底功率半导体工件及治具进入等离子清洗区,执行等离子清洗步骤;SiC衬底功率半导体工件及治具进入甲酸清洗区,执行甲...
  • 本发明提供了一种表贴类扁平封装外壳引线无损整形夹具,属于扁平类封装外壳引线整形技术领域,包括:基座以及翻转压盖,基座设置有用于放置封装外壳的容置槽;翻转压盖包括翻转外壳、滑动压块以及调整转盘;翻转外壳通过第一转轴转动安装于基座上,翻转外壳内...
  • 本发明涉及半导体封装与电子制造技术领域,尤其涉及一种芯片引线键合动态定位方法,包括:对芯片焊盘及其周围区域进行多物理场信息采集,包括声学、阻抗、偏振光和热扩散模态,并基于采集的多模态信息构建焊盘深层结构基准点;依据所述基准点建立焊盘非线性漂...
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