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最新专利技术
  • 屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法
    屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法_无锡锡产微芯半导体有限公司_202511809125.3
    本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种屏蔽栅功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：半导体基板；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列分布的SGT元胞，且...
    2026-03-19
  • MOS器件和MOS器件的制备方法
    MOS器件和MOS器件的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511810815.0
    本申请提供了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，MOS器件包括衬底、外延层、JFET区、栅极结构、源极结构以及漏极结构，外延层位于衬底的一侧；JFET区位于外延层内；栅极结构位于JFET区远离衬底的一侧，栅极结构在衬底上的正投影和JFET...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511810998.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧；多个源区结构位于外延层中，源区结构背离衬底的一侧表面位于外延层背离衬底的一侧表面中；栅极结构，位于外延层中，源区结构位于栅极结构在第一方向...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件结构及其制备方法
    一种半导体器件结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511871363.7
    本申请公开了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，通过分两步外延生长的方式，在衬底一侧先形成第一外延层，以在厚度相对较薄、初始为N型的第一外延层中形成P型柱区，使得第一外延层背离衬底一侧的至少部分形成电场调制区，电场调制区...
    2026-03-19
  • 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置
    薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511046430.1
    本发明涉及薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的另一实施例寻求提供一种薄膜晶体管，其包括：有源层；以及与有源层重叠的栅电极，其中有源层包括：沟道部分；设置在沟道部分的一侧的第一导电部分；以及设置在沟道部分的另...
    2026-03-19
  • 一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管
    一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管_上海阿珀特信息科技有限公司_202511851871.9
    本发明公开了一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管，旨在解决TFT在有限面积内驱动电流不足的问题。通过将晶体管的半导体沟道构图为一种预设的二维微结构，如分形、多孔或锯齿结构，使沟道的总边缘长度(P)与宏观宽度(W)之比(P/W)远大于常规设计...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411722812.7
    本发明的实施方式涉及半导体装置。一实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有单元区域和包围单元区域的末端区域；第一绝缘膜，设置在半导体层上；以及半绝缘膜，设置在第一绝缘膜上。半导体层包含：第一导电型的第一半导体部，设置在单元区域及末端区域；以...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_碇基半导体股份有限公司_202510409719.9
    一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及多个第一P型氮化镓岛状物。主动层包含主动区。源极电极、漏极电极以及栅极电极设置于主动层的主动区上且延伸于第一方向。第一P型氮化镓岛状物设置在主动区上、漏极电极下方。漏极电极在主动区上...
    2026-03-19
  • 半导体基体、半导体器件及其制备方法
    半导体基体、半导体器件及其制备方法_比亚迪股份有限公司_202511588473.2
    本申请提供一种半导体基体、半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体基体包括衬底和掩膜，衬底具有多个元胞区域；掩膜覆盖衬底，掩膜开设有多个注入窗口，注入窗口与元胞区域对应；注入窗口的开口面积与对应的元胞区域面积之比为开口面积占比，...
    2026-03-19
  • 一种提高动态雪崩鲁棒性的功率器件及制备方法
    一种提高动态雪崩鲁棒性的功率器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511923383.4
    本发明公开了一种提高动态雪崩鲁棒性的功率器件及制备方法，涉及功率半器件技术领域，所述功率器件包括半导体基板、制备于半导体基板中心区的有源区以及环绕包围有源区的终端区；终端区包括制备于半导体基板内的第二导电类型的终端保护环、设置于半导体基板上...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411878717.6
    实施方式涉及半导体装置。根据实施方式，半导体装置具备：基板，具有第一面；半导体层，设置在所述基板的所述第一面上；多个场板电极，设置在所述半导体层内，在与所述第一面平行的面内位于三角形的顶点；以及栅极电极，在与所述第一面平行的面内，位于所述多...
    2026-03-19
  • 斜场板结构及其制造方法和半导体器件
    斜场板结构及其制造方法和半导体器件_成都新紫光半导体科技有限公司_202411260375.1
    本公开涉及一种斜场板结构及其制造方法和半导体器件，斜场板结构的制造方法包括：提供基板，并在基板上形成栅极结构；在基板和栅极结构上方沉积第一压印层；通过压印模具在栅极结构侧向的第一压印层形成倾斜凹槽；在第一压印层表面和倾斜凹槽内沉积场板层；去...
    2026-03-19
  • 一种铝掺杂氧化物薄膜及其制备方法
    一种铝掺杂氧化物薄膜及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511864403.5
    本发明公开一种铝掺杂氧化物薄膜及其制备方法，涉及纳米薄膜材料制备技术领域，用于解决现有技术中高介电常数材料在高温退火后易晶化导致漏电流增大、界面特性劣化以及等离子体工艺引入结构损伤的问题。包括：在预设工艺温度下，对金属前驱体进行交替脉冲输送...
    2026-03-19
  • 具有凹陷的栅极的半导体装置及其制造方法
    具有凹陷的栅极的半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510289902.X
    本申请提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含基底，包含第一周边区和第二周边区；多个凹陷的栅极，分别包含位于第一周边区内且包含U形剖面轮廓的凹陷的栅极介电层，位于凹陷的栅极介电层上且包含谷形剖面轮廓从而形成第一谷的凹陷的栅极底导电层，顺应...
    2026-03-19
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511727707.7
    本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该器件的第一介质层覆盖衬底的第一表面的部分区域；栅极结构覆盖第一介质层；第一侧墙覆盖在栅极结构的两侧且位于第一介质层上；第二侧墙覆盖第一侧墙和第一介质层的两侧，并与衬底的第一表面接触。第一介质层...
    2026-03-19
  • 功率模块及具有其的电力装置
    功率模块及具有其的电力装置_北京怀柔实验室_202610164730.8
    本发明提供了一种功率模块及具有其的电力装置，其中，功率模块包括：半桥组件，第一导电板设置在基板上，第一芯片具有第一电极部和第二电极部，第二芯片具有第三电极部和第四电极部，第一芯片设置在第一导电板上，第一电极部与第一导电板连接；直流正极端子包...
    2026-03-19
  • 无源电子器件
    无源电子器件_意法半导体国际公司_202511196012.0
    本公开涉及无源电子器件。本公开涉及一种包括堆叠的集成无源电子器件，该堆叠从支撑件的顶面开始依次是绝缘层、金属层和由电绝缘材料制成的钝化层，钝化层涂覆金属层的顶面和侧部，其中在金属层与钝化层之间的金属层的顶部边缘上形成由与钝化层的材料不同的另...
    2026-03-19
  • 半导体装置中的去耦电容器和其形成方法
    半导体装置中的去耦电容器和其形成方法_德州仪器公司_202511226927.1
    本公开涉及半导体装置中的去耦电容器和其形成方法。所述半导体装置包含安置在衬底上方并具有第一导电类型的埋入式半导体层(110)、安置在所述埋入式半导体层上方并具有相反的第二导电类型的外延层(112)、延伸穿过所述外延层、所述埋入式半导体层并进...
    2026-03-19
  • 融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法
    融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511585995.7
    本发明提供一种融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法，属于集成电路微纳电子器件技术领域，融合忆阻器的新型场效应晶体管包括：衬底；栅电极，位于衬底上；栅介质层，位于栅电极上；漏电极，位于栅介质层上；沟道层，位于漏电极上；源电极和第一忆阻电极...
    2026-03-19
  • 一种集成沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法
    一种集成沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法_重庆伟特森电子科技有限公司_202511868308.2
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种集成沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法，结构包括碳化硅MOSFET元胞结构，MOSFET元胞结构包括碳化硅半导体薄膜、MOSFET结构及至少一个二极管集成结构；碳化硅半导体薄膜自下而上依次包括碳化硅衬底、碳化...
    2026-03-19
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