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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411228651.6
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；垂直所述衬底方向延伸的字线；存储单元包括晶体管，晶体管包括环绕所述字线的半导体层，多个晶体管的多个半导体层在所述字线的侧壁沿垂直于衬底方向...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制作方法及存储器系统
    半导体器件及其制作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411231961.3
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制作方法及存储器系统，所述半导体器件包括：晶体管阵列，包括多个半导体主体；导电接触结构，所述导电接触结构位于所述半导体主体沿第一方向的一端，与所述半导体主体耦合；所述第一方向为所述半导体主体的延伸方向；所...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411237668.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括至少一列存储单元；多条垂直延伸的位线；多条水平延伸的字线；字线环绕一列晶体管的半导体层，半导体层沿所述第一方向延伸；所述半导...
    2026-03-20
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411244125.9
    本申请实施例提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子领域，用于提升存储阵列的电学性能。存储阵列中的晶体管为双栅晶体管，通过在沟道结构外侧设置第一字线(第一栅极)，并在沟道结构内侧设置第二字线(第二栅极)，使得沟道结构受第一字...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411248523.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括至少一列沿平行于衬底的第二方向分布的多个存储单元；多条位线，所述位线贯穿不同层的所述存储单元沿着垂直所述衬底方向延伸；同层同列...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202411259826.X
    本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括以下步骤：形成堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向交替层叠的多层第一介质层和多层第二介质层；刻蚀堆叠结构形成多个字线孔；基于字线孔横向刻蚀各第一介质层，以于第一介质层内形成晶体管容...
    2026-03-20
  • 动态随机存取存储器装置及其制造方法
    动态随机存取存储器装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411413293.6
    本申请提供一种动态随机存取存储器装置及其制造方法，包括基底、位线、虚置位线、虚置绝缘结构和盖层。基底包含阵列区、周边区以及位于阵列区与周边区之间的虚置区。位线位于阵列区中的基底上方。虚置位线位于虚置区中的基底上方。虚置绝缘结构位于虚置位线之...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411466786.6
    本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一字元线及第一接触结构。第一字元线在基板上沿着第一方向延伸，其中第一字元线包括第一尾端部分、第二尾端部分及第一中间部分。第一中间部分在第一尾端部分与第二尾端部分之间，其中第一尾端部分的顶面及第...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411474151.0
    本发明公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括基底、多条字线、绝缘层以及导电接触件。基底包括胞元区以及与胞元区邻接的拾取区。字线在第一方向上排列且各自在不同于第一方向的第二方向上延伸，其中各字线埋设在基底中且横跨胞元区和拾取区，并...
    2026-03-20
  • 动态随机存取存储器结构及其制造方法
    动态随机存取存储器结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411488336.7
    本发明公开一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，其中动态随机存取存储器结构基底、元件隔离结构、埋入式字线、位线以及多个存储节点接触窗。元件隔离结构位于基底中，并在基底内定义出多个主动区。埋入式字线位于基底中，并与主动区以及元件隔离结构交叉...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411509616.1
    本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、字元线及介电层。字元线嵌入基板中，字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层，其中高功函数层的功函数大于低功函数层的功函数。介电层在基板与字元线之间，介电层包括第一部分及第二部分。第一部分...
    2026-03-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510028173.2
    本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：含有硅的第1电极；与上述第1电极的上表面相接的第2电极；设置在上述第2电极的上方的第3电极；半导体，与上述第2电极的上表面相接，并在从上述第2电极朝向上述第3电...
    2026-03-20
  • 存储器装置及其制造方法
    存储器装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510126418.5
    本发明提供一种存储器装置及其制造方法，所述方法包括提供基板，基板的阵列区具有中心区及围绕中心区的边界区，且基板包含通过隔离结构分隔的第一主动区及第二主动区。所述方法包含依序形成位线接触件及位线结构于基板的第一主动区上方，顺应地形成介电衬层于...
    2026-03-20
  • 包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法
    包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510268628.8
    提供一种包含漏电防止层的半导体装置及其制造方法。半导体装置包含一基底、一位元线和一字元线。该基底包含一主动区。该字元线嵌入该基底内且沿着一第一方向延伸。该位元线设置于该基底上且沿着与该第一方向不同的一第二方向延伸。该主动区包含具有一第一掺质...
    2026-03-20
  • 具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法
    具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510268637.7
    本公开提供一种具有凹陷导电插塞和凹陷通道层的存储器元件及其制备方法。存储器元件，包括一电容器，设置在一半导体基底上；以及一导电插塞，位在该电容器上方。该导电插塞具有一第一个凹陷上表面。该存储器元件亦包括一通道层，设置在该导电插塞上方。该通道...
    2026-03-20
  • 接触结构、包括接触结构的半导体装置及半导体装置的制造方法
    接触结构、包括接触结构的半导体装置及半导体装置的制造方法_南亚科技股份有限公司_202510289912.3
    本申请提供一种接触结构、一种包含接触结构的半导体装置，以及一种半导体装置的制造方法。该接触结构包含一本体部，以及自该本体部向下延伸的一延伸部，且该延伸部包括一沟槽。将该沟槽凹陷进入该延伸部的一底面，将该沟槽朝该本体部凹陷，并暴露出该本体部。
    2026-03-20
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510843375.2
    一种半导体存储器件，包括：背栅电极，在衬底上，其包括第一导电图案；第一栅电极，在背栅电极上，其包括第二导电图案；以及在背栅电极和第一栅电极之间的第一半导体图案，其中第一导电图案和第二导电图案包括彼此不同的各自的材料和/或具有彼此不同的各自的...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510921683.2
    本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括高集成度的存储单元，制造半导体器件的方法可包括：在衬底上形成第一模堆叠和第一键合层；在牺牲衬底上形成第二模堆叠和第二键合层；翻转牺牲衬底并键合第一键合层和第二键合层；去除牺牲衬底；以及在第一...
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的电子系统
    半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的电子系统_三星电子株式会社_202510966123.9
    提供了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的电子系统。所述半导体存储器装置包括：基底；模制结构，包括虚设图案、多个模制绝缘层以及多个栅电极，虚设图案在基底的部分区域上，所述多个模制绝缘层以及所述多个栅电极在虚设图案之上在基底上在第一方向上...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511040452.7
    本公开的实施例涉及一种包括高集成存储单元的半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件可以包括：垂直堆叠的多个纳米片；第一导线，其共同耦接到纳米片的第一边缘，该第一导线垂直定向；多个数据储存元件，每个数据储存元件耦接到纳米片的第二边缘...
    2026-03-20
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