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最新专利技术
  • 一种墨水染料自动灌装装置
    一种墨水染料自动灌装装置_天津市鸵鸟墨水有限公司_202511876940.1
    本发明涉及一种墨水染料自动灌装装置，涉及墨水灌装的技术领域，其包括设备安装架，所述设备安装架上安装有灌装组件和擦拭组件，所述灌装组件包括泵机、料桶、过滤机、出料管与电子阀门，所述电子阀门的侧表面固定连接有升降板，所述升降板的上表面固定连接有...
    2026-03-26
  • 一种视觉定容机构
    一种视觉定容机构_天星先进材料科技(苏州)有限公司_202511547868.8
    本发明公开了一种视觉定容机构，涉及光谱仪进样液体稀释配比技术领域，包括安装底板和CCD相机，所述安装底板顶部的一端垂直安装有CCD光源，且CCD光源的前侧一端垂直安装有顶升电缸，而顶升电缸的顶部连接安装有容器载具，所述CCD相机水平连接安装...
    2026-03-26
  • 一种粘稠物料灌装方法
    一种粘稠物料灌装方法_长沙医药装备工业技术研究院有限公司_202511968760.6
    本发明公开了一种粘稠物料灌装方法，包括断丝阶段：灌装结束后，灌针停留第一设定时长T11，然后顶针下降截断灌针出口，密封套筒上升与容器分离，同时灌针和顶针上升，上升至容器入口下方的设定位置后停留设定时长T22。灌针先停留第一设定时长，灌针出口...
    2026-03-26
  • 粘稠液体自动罐装机
    粘稠液体自动罐装机_四川同庆南风洗涤用品有限责任公司_202512052464.8
    本发明公开了一种粘稠液体自动罐装机，包括输送带、罐装仓和跟随式罐装机构，输送带横跨罐装仓水平的设置在罐装仓内腔的下部，跟随式罐装机构位于罐装仓内设置在输送带上方，跟随式罐装机构包括水平电动滑轨、滑块、罐装头和存液罐，水平电动滑轨水平的固定在...
    2026-03-26
  • 一种带隙薄膜结构器件及其制备方法
    一种带隙薄膜结构器件及其制备方法_北京量子信息科学研究院_202511692032.7
    本申请公开一种带隙薄膜结构器件及其制备方法，该带隙薄膜结构器件包括：衬底；牺牲层，形成于衬底的第一表面；第一氮化硅层，形成于牺牲层上并与衬底平行，第一氮化硅层具有连续且无台阶的平面，其中，第一氮化硅层包括带隙薄膜区和围绕带隙薄膜区的外周部，...
    2026-03-26
  • 刚柔矩阵数字化可控智能材料及其制备方法
    刚柔矩阵数字化可控智能材料及其制备方法_宁波市盛合智联电机有限公司_202511579772.X
    本发明公开了一种刚柔矩阵数字化可控智能材料，属于新型智能材料技术领域。该刚柔矩阵数字化可控智能材料，为层状叠合结构：(1)上封装层；(2)上电极层，其设有沿第一方向延伸的多个叉指电极；(3)功能层，其包含柔性基质以及分散于其中的多个微胶囊，...
    2026-03-26
  • 密封的键合结构及其形成方法
    密封的键合结构及其形成方法_隔热半导体粘合技术公司_202511660470.5
    本公开的实施例涉及密封的键合结构及其形成方法。公开了一种键合结构。键合结构包括第一元件，该第一元件具有前侧和与前侧相对的背侧。第一元件在第一元件的前侧处具有第一导电焊盘和第一非导电场区。键合结构还包括第二元件，该第二元件具有在第二元件的前侧...
    2026-03-26
  • 一种基于压电叠层结构的MEMS芯片封装结构及其制备方法
    一种基于压电叠层结构的MEMS芯片封装结构及其制备方法_合肥领航微系统集成有限公司_202511857658.9
    本发明公开了一种基于压电叠层结构的MEMS芯片封装结构及其制备方法，包括基底，基底的正面生长上压电层，在上压电层远离基底的表面连接上基板，上基板与上压电层电性互连，在上基板远离上压电层的表面连接上封装板，上基板与上封装板电性互连。本发明通过...
    2026-03-26
  • 一种MEMS红外热电堆传感器及其制备方法
    一种MEMS红外热电堆传感器及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511738110.2
    一种MEMS红外热电堆传感器及其制备方法，其中，由MEMS红外热电堆传感器的制备方法制备出的MEMS红外热电堆传感器包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底内具有在所述第二面形成的空腔；支撑层；热电堆器件层，所述热电堆器件层位...
    2026-03-26
  • 一种MEMS器件
    一种MEMS器件_上海麦锴科技有限公司_202511928526.0
    一种MEMS器件，包括：器件结构以及限位结构；器件结构包括刚性结构、柔性结构以及边框，柔性结构用于带动刚性结构进行偏转，边框用于支撑和驱动柔性结构；限位结构包括上限位结构和下限位结构，上限位结构用于在器件结构朝向第一方向、第三方向以及第四方...
    2026-03-26
  • 金属微流控芯片表面疏水改性的方法及其芯片
    金属微流控芯片表面疏水改性的方法及其芯片_北京保利微芯科技有限公司_202511787276.3
    本发明公开金属微流控芯片表面疏水改性的方法及其芯片，所述方法先采用脉冲电铸使金属微流控芯片表面粗糙化，然后采用八氟环丁烷等离子体处理使金属表面疏水化。本发明方法得到改性后的金属表面水接触角达110°以上，加速老化实验验证疏水效果均匀一致、长...
    2026-03-26
  • 一种钒系固态储氢材料及其制备方法
    一种钒系固态储氢材料及其制备方法_江苏兴邦能源科技有限公司_202511730744.3
    本发明公开了一种钒系固态储氢材料及其制备方法，其制备原料按质量百分比计包括：Ti 5‑14%、Cr 3.5‑9%、Ni 1.5‑4%、Mn 2‑8%、金属化改性碳纳米管6‑14%、剩余为V；所述金属化改性碳纳米管通过以下步骤制备得到：S1、...
    2026-03-26
  • 一种甲醇稳定制氢工艺方法及其应用
    一种甲醇稳定制氢工艺方法及其应用_实友化工(扬州)有限公司_202511725863.X
    本发明涉及氢气工业制备领域，具体涉及一种甲醇稳定制氢工艺方法及其应用。本发明提供一种甲醇稳定制氢工艺方法及其应用，通过构建原料配置、反应调控和净化提纯的全流程参数协同体系，实现了氢气产量、纯度、寿命、稳定性、环保性的同步提升，且各效果相互促...
    2026-03-26
  • 一种稀土氢化物纳米颗粒的溶剂热法制备工艺
    一种稀土氢化物纳米颗粒的溶剂热法制备工艺_山西瑞科新材料股份有限公司_202610088439.7
    本发明公开了一种稀土氢化物纳米颗粒的溶剂热法制备工艺，其以稀土金属盐、氢化锂和石墨烯为原料，将其加入含有有机溶剂的高压反应釜中混合均匀，在惰性气氛条件下搅拌加热至100‑120℃，保温反应1.5‑2.5 h，待反应结束后冷却至室温，过滤收集...
    2026-03-26
  • 一种用于制氧机的制氧方法及系统
    一种用于制氧机的制氧方法及系统_杭州盛博净化设备有限公司_202511607380.X
    本发明涉及制氧机技术领域，公开了一种用于制氧机的制氧方法及系统，该方法包括：获取多模态数据并生成故障诊断标签；基于该标签重构数字孪生体并预测机器劣化速率；结合机器与用户的预测结果，动态调整一个含机器损耗、能耗与用户偏差的多目标代价函数权重，...
    2026-03-26
  • 一种全酸性固定床双氧水生产工艺
    一种全酸性固定床双氧水生产工艺_安徽华尔泰化工股份有限公司_202610098685.0
    本发明涉及双氧水制造技术领域，具体公开一种全酸性固定床双氧水生产工艺。该工艺包括：配制含复合蒽醌和酸性稳定剂的全酸性工作液；在工作液主循环中，于全酸性条件下进行固定床氢化反应，使用专用催化剂；随后进行氧化与逆流萃取，直接得到双氧水产品；萃余...
    2026-03-26
  • 一种高稳定性过硼酸钙及其合成方法和应用
    一种高稳定性过硼酸钙及其合成方法和应用_浙江洁华新材料股份有限公司_202511822485.7
    本发明公开了一种高稳定性过硼酸钙及其合成方法和应用，首先将可溶性钙盐和硼砂溶于水中，加热搅拌形成混合溶液A，然后将过氧化氢溶液与稳定剂混合，并用碱性调节剂调节pH值至8.0‑10.0，得到溶液B；再在搅拌和恒温条件下，将得到的溶液B缓慢滴加...
    2026-03-26
  • 一种基于N型BiSbSe3多晶的新型热电材料及其制备方法
    一种基于N型BiSbSe3多晶的新型热电材料及其制备方法_太原科技大学_202511883511.7
    本发明公开了一种基于N型BiSbSe33多晶的新型热电材料及其制备方法，属于热电材料制备技术领域，热电材料为S固溶与卤素掺杂的N型BiSbSe33多晶，所述热电材料的化学通式为BiSbSe3‑x‑y3‑x‑ySxxMyy，其中M为Br、Cl...
    2026-03-26
  • 一种Mo掺杂FeSe2电极材料的制备及其钠离子电池应用
    一种Mo掺杂FeSe2电极材料的制备及其钠离子电池应用_宁波大学_202511760180.8
    本发明提供了一种Mo掺杂FeSe22电极材料的制备方法及其作为钠离子电池阳极的应用，包括以下步骤：混合FeCl33·6H22O、对苯二甲酸和N，N‑二甲基甲酰胺，装入反应釜中高温加热，得到MIL‑88B金属有机框架前驱体；然后将MIL‑88...
    2026-03-26
  • 氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用
    氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用_甬江实验室_202610088584.5
    本申请涉及一种氮化硅镁粉体、其分步气压自蔓延制备方法及应用，属于高性能陶瓷粉体材料技术领域。该方法将镁粉、氮化硅粉和无机盐粉混合均匀后，置于自蔓延反应体系中，先在低压氩气氛围下进行多点点火，再切换至高压氮气条件下完成反应，得到氮化硅镁复合粉...
    2026-03-26
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