Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 浅沟槽隔离结构及其制造方法
    浅沟槽隔离结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610086885.4
    本申请涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽的侧壁上形成有介质层，所述隔离沟槽的底部暴露；沿垂直射入所述隔离沟槽的方向上，向所述隔离沟槽内照射处理光束，以使所述隔离沟槽周围的所述衬底内形成...
    2026-02-27
  • 基于FCVD工艺的沟槽填充方法
    基于FCVD工艺的沟槽填充方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411099966.5
    本发明提供一种基于FCVD工艺的沟槽填充方法，在对形成的流动膜层进行初步的插氧处理及固化处理形成固化的富氮氧化硅膜层后，对其进行进一步的氧气等离子体处理，使整个膜层中N、H元素的含量得到锐减，达到提高膜质的效果；另外，氧气等离子体还可对膜层...
    2026-02-27
  • 一种TGV通孔的填充方法
    一种TGV通孔的填充方法_苏州森丸电子技术有限公司_202511641602.X
    本发明公开了一种TGV通孔的填充方法，包括以下步骤：在绝缘基板上形成TGV通孔；通过分步溅射与冷却交替进行的方式在TGV通孔内沉积种子层；通过电镀工艺进行TGV填孔；对填孔后的TGV通孔进行平坦化，去除多余金属，形成TGV互联孔；分步溅射与...
    2026-02-27
  • 半导体结构的形成方法及半导体结构
    半导体结构的形成方法及半导体结构_苏州华太电子技术股份有限公司_202511735230.7
    本申请提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。形成方法包括：形成衬底，并在衬底的表面形成第一离子注入区。在衬底上形成第一外延层，并在第一外延层的表面形成第二离子注入区。在第一外延层上形成第二外延层。形成第二接触孔，并使第二接触孔沿第二外延...
    2026-02-27
  • 半导体互连结构的制造方法
    半导体互连结构的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759644.3
    本发明提供一种半导体互连结构的制造方法。该方法包括：提供衬底并在其上形成介电层；在介电层上形成硬掩模层并对其进行图形化，以形成限定金属布线图形的掩模图形；在掩模图形的表面沉积一层抗刻蚀层，该抗刻蚀层的抗刻蚀能力大于硬掩模层的抗刻蚀能力；随后...
    2026-02-27
  • 用于隔离金属互联导线的空气间隙形成方法
    用于隔离金属互联导线的空气间隙形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759668.9
    本发明公开了一种用于隔离金属互联导线的空气间隙形成方法，利用晶圆键合工艺，通过将一片在金属互联层周围的电介质层中已预先刻蚀出沟槽的晶圆与另一形成有电介质层的晶圆合二为一，原本开口的沟槽即被另一晶圆的电介质层封闭，从而形成完整的空气间隙隔离结...
    2026-02-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511523646.2
    半导体结构包括：衬底；介电结构，包括多个介电层；环结构，设置在衬底和介电结构中；以及通孔结构，沿垂直方向纵向延伸并且位于由环结构围绕的区域中。多个介电层包括设置在衬底的前侧上的多个前侧介电层和设置在衬底的背侧上的多个背侧介电层。环结构包括设...
    2026-02-27
  • 半导体结构及半导体器件
    半导体结构及半导体器件_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511735413.9
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及半导体器件。半导体结构包括衬底、外延层、接触孔、第一接触槽以及导电互连层。其中，外延层形成于衬底顶部，且外延层的导电类型与衬底的导电类型相反。接触孔沿外延层的厚度方向贯穿外延层，衬底中与接触孔...
    2026-02-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511417772.X
    本申请公开了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基体、介质层、电阻层以及金属间化合物保护层；基体包括器件区和电阻区；介质层覆盖基体；电阻层设置在介质层中，且电阻层至少位于电阻区所对应的区域；金属间化合物保护层设置在介质层中并覆盖电阻层，...
    2026-02-27
  • 一种Cu互连扩散阻挡层及其制备方法
    一种Cu互连扩散阻挡层及其制备方法_北京科技大学_202511731998.7
    本发明属于金属氮化物涂层的制备方法技术领域，具体涉及一种Cu互连扩散阻挡层及其制备方法，Cu互连扩散阻挡层为TiBN扩散阻挡层，TiBN扩散阻挡层为非晶硼包裹纳米晶结构的TiBN复合膜，纳米晶结构为TiN。本发明提供的一种Cu互连扩散阻挡层...
    2026-02-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511532669.X
    方法包括：形成下部源极/漏极区域；形成第一接触蚀刻停止层并且在第一接触蚀刻停止层上方形成第一层间电介质；在第一层间电介质上方形成上部源极/漏极区域；以及形成第二接触蚀刻停止层并且在第二接触蚀刻停止层上方形成第二层间电介质。上部源极/漏极区域...
    2026-02-27
  • 鳍片散热器及其制造方法
    鳍片散热器及其制造方法_重庆奕能科技有限公司_202511587185.5
    本申请公开了一种鳍片散热器及其制造方法，方法包括在散热基板的第一表面形成掩膜层，所述第一表面包括焊接区，所述掩膜层遮蔽所述焊接区；经由所述掩膜层在所述散热基板的第一表面上形成第一散热膜；将多个鳍片的第一表面固定于载物台，并在所述鳍片的侧表面...
    2026-02-27
  • 一种散热结构和功率变换装置
    一种散热结构和功率变换装置_阳光电源股份有限公司_202411117922.0
    本申请公开了一种散热结构和功率变换装置，散热结构包括：基板，包括第一侧板、第二侧板和围合板面；基板沿其轴线方向分为蒸发端和冷凝端，蒸发端和冷凝端具有连通的流通通道，流通通道内设有相变介质，第一侧板、第二侧板和围合板面围合出所述流通通道；其中...
    2026-02-27
  • SiC填料、复合材料及半导体装置
    SiC填料、复合材料及半导体装置_株式会社电装_202510798933.8
    含有SiC填料(12)的复合材料(10)具有在由金属或合成树脂形成的连续相(11)中分散有SiC填料的结构。SiC填料由截面视图中的正圆度小于0.206的树状晶体形成。含有该SiC填料的复合材料可以用于与半导体元件接合的板状或层状的接合体。
    2026-02-27
  • 双面散热功率器件
    双面散热功率器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511760894.9
    本发明涉及双面散热功率器件，双面散热功率器件包括：第一AMB板，第一AMB板包括从上至下依次设置的第一上铜层、第一绝缘层和第一下铜层；第二AMB板，设置于第一AMB板下端，第二AMB板包括从上至下依次设置的第二上铜层、第二绝缘层和第二下铜层...
    2026-02-27
  • 半导体封装结构和电子设备
    半导体封装结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511865034.1
    本公开涉及一种半导体封装结构和电子设备，该半导体封装结构包括基板、芯片以及封堵结构，芯片设于基板上；封堵结构连接于芯片，且封堵结构与芯片之间形成有用于供冷却介质流过以和芯片进行热交换的冷却腔，封堵结构具有连通于冷却腔的进口和出口；其中，芯片...
    2026-02-27
  • 一种微通道散热器及其局部优化方法
    一种微通道散热器及其局部优化方法_西北工业大学_202610070297.1
    本发明提供一种微通道散热器及其局部优化方法，微通道散热器包括多个沿第一方向层叠设置的散热单元，散热单元包括关于第一平面对称的第一侧微通道结构和第二侧微通道结构，第一侧微通道结构包括在第二平面的投影交叉的第一通道和第二通道，第二侧微通道结构包...
    2026-02-27
  • 一种晶圆级薄膜应力调控方法、模块及装置
    一种晶圆级薄膜应力调控方法、模块及装置_博康(嘉兴)半导体科技有限公司_202511624450.2
    本申请涉及一种晶圆级薄膜应力调控方法、模块及装置。所述方法包括：根据设定参数和结构构建应力调控模块，并将构建好的应力调控模块集成于半导体器件的设定位置；其中，应力调控模块包括一应力调控层，该应力调控层采用金属/介质复合叠层结构；在晶圆制作过...
    2026-02-27
  • 一种芯片封装结构和射频模组
    一种芯片封装结构和射频模组_上海安其威微电子科技有限公司_202610069714.0
    本申请提供了一种芯片封装结构和射频模组，该芯片封装结构包括：基板，基板的上表面包括接地端；具有射频模块的芯片，倒装设置于基板上并与基板电连接，包括在基板上依次层叠的互连层和衬底，互连层包括多层层叠的导电层、导电层间的导电插塞；多个第一接地通...
    2026-02-27
  • 封装结构与其形成方法
    封装结构与其形成方法_常忆科技股份有限公司_202411098696.6
    一种封装结构的形成方法，其包含以下步骤：设置一晶片粘着层于一晶圆；降低晶片粘着层的部分连接性，其中降低晶片粘着层对应晶圆的多个切割道的一部分区域的连接性；分离晶圆的多个晶片，其中依据晶圆的切割道分离晶片；以及设置各晶片于一导线架，其中晶片粘...
    2026-02-27
首页 上一页 9 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证