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最新专利技术
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_铠侠股份有限公司_202510216441.3
    本发明提供一种能够缩小芯片面积的半导体器件及半导体器件的制造方法。实施方式的半导体器件具备：第一芯片，具有形成有第一晶体管的第一基板；以及第二芯片，设置在第一芯片的上方，具有形成有第二晶体管的第二基板。第二基板包含分别贯通第二基板的第一绝缘...
    2026-03-05
  • 一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器
    一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器_苏州集泰信息科技有限公司_202511700249.8
    本发明涉及一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器，属于硅电容器制造技术领域。包括：对选取的绝缘衬底进行碳纳米管的图形化转移，得到第一层碳纳米管结构；通过原子层沉积工艺在第一层碳纳米管结构上沉积第一层氧化铝介质层；在第一层氧化铝介质层表...
    2026-03-05
  • MIM电容制备方法及MIM电容
    MIM电容制备方法及MIM电容_广州增芯科技有限公司_202511940435.9
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种MIM电容制备方法及MIM电容，制备方法包括：提供基底结构，所述基底结构上依次层叠设置有下电极层、介电层、上电极层以及第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成光刻胶层；所述光刻胶层具有用于定义孤岛结构和上...
    2026-03-05
  • 一种低压低钳位低漏电瞬态抑制二极管及制备方法
    一种低压低钳位低漏电瞬态抑制二极管及制备方法_扬州杰利半导体有限公司_202511981367.0
    一种低压低钳位低漏电瞬态抑制二极管及制备方法。涉及二极管技术领域。包括以下步骤：步骤一，选取P型硅衬底；步骤二，初始氧化；在干燥氧气氛围中，通过热氧化法在晶片表面生长一层氧化膜；步骤三，将正面区域用光阻剂保护，通过曝光和显影，定义正面区域的...
    2026-03-05
  • 一种低漏电肖特基二极管及其制备方法
    一种低漏电肖特基二极管及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202610055436.3
    本发明涉及二极管制备技术领域，具体公开了一种低漏电肖特基二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底；设置在所述衬底上的第一N型GaN层；所述第一N型GaN层包括平面层和设置在平面层上的凸台结构；设置在第一N型GaN层上的N型埋层；设置在凸台结构...
    2026-03-05
  • 逆导型绝缘栅双极型晶体管
    逆导型绝缘栅双极型晶体管_重庆大学_202511753341.0
    本申请提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括：沿第一方向依次堆叠的集电极结构、漂移区、载流子存储区、基区、第一导电类型发射区，以及沿第二方向分布的第一沟槽、第二沟槽，第一方向垂直于第二方向；第一沟槽和第二沟槽均从第一导电类型发射区远离基区的...
    2026-03-05
  • 一种横向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法
    一种横向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法_湖南工学院_202410117746.4
    一种横向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法，涉及功率电子器件技术领域，其结构包括衬底、缓冲层、i‑GaN外延层、AlN外延层、SiO22层、位于AlN外延层上方的Mg‑Al‑O层、设置于AlN外延层上的源极和漏极、高温处理后产生的扩...
    2026-03-05
  • 一种纵向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法
    一种纵向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法_湖南工学院_202410117749.8
    一种纵向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法，涉及电力电子器件技术领域，其结构包括衬底、缓冲层、i‑GaN外延层、AlN外延层、GaN外延层、Al22O33氧化层、n‑GaN再生长层、i‑GaN再生长层、n++‑GaN再生长层、氧化层...
    2026-03-05
  • PMOS晶体管及其制作方法
    PMOS晶体管及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085896.8
    本发明涉及一种PMOS晶体管及其制作方法。所述制作方法中，在衬底上形成贯穿第一介质层的第一沟槽后，在第一沟槽侧壁形成第一侧墙以及栅介质层，之后在第一沟槽内填充多晶硅材料层，并刻蚀多晶硅材料层以在第一沟槽顶部形成第二沟槽，剩余的多晶硅材料层形...
    2026-03-05
  • PMOS晶体管及其制造方法
    PMOS晶体管及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085912.3
    本发明涉及一种PMOS晶体管及其制造方法。所述制造方法中，在衬底上的第一沟槽内形成栅介质层和多晶硅栅极以及侧墙，多晶硅栅极具有上宽下窄的结构，可以在满足较小的晶体管特征尺寸的同时，增加栅极上表面面积，有助于减小多晶硅栅极的接触电阻，在多晶硅...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085985.2
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在形成器件隔离结构之后，进一步形成图案化掩膜层和位于器件隔离结构边界顶部的边沟，该图案化掩膜层暴露出有源区的顶面，该边沟暴露出有源区顶角，由此在形成栅氧化层使能使有源区顶角表面和中央区域顶面上的氧化速度...
    2026-03-05
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411157938.4
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要包括先形成一通道结构于一基底上其中该通道结构包含多个第一半导体层以及多个第二半导体层交错堆叠，然后形成一通道延伸部于该通道结构旁，形成一第一栅极结构于该通道结构以及该通道延伸...
    2026-03-05
  • 一种三层非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    一种三层非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法_吉林师范大学_202411404609.5
    本发明涉及一种三层非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管领域。清洗衬底，对衬底进行光刻，采用射频磁控溅射在衬底上室温制备In22O33薄膜，在In22O33薄膜上室温沉积IGZO薄膜，在IGZO薄膜上制备Ga22O33薄膜，作...
    2026-03-05
  • 一种金属层和ITO同层结构的薄膜晶体管的修补方法
    一种金属层和ITO同层结构的薄膜晶体管的修补方法_福建华佳彩有限公司_202511439199.2
    本发明提供一种金属层和ITO同层结构薄膜晶体管的修补方法，薄膜晶体管，自下而上依次包括：玻璃面板、M1金属层、第一绝缘层、M2金属层、第一ITO膜层、第二绝缘层、第二ITO膜层，其中M2金属层和第一ITO层同层，当达到所述第一ITO膜层制程...
    2026-03-05
  • 屏蔽栅场效应晶体管的制作方法及屏蔽栅场效应晶体管
    屏蔽栅场效应晶体管的制作方法及屏蔽栅场效应晶体管_吉林华微电子股份有限公司_202511599494.4
    本申请提供一种屏蔽栅场效应晶体管的制作方法及屏蔽栅场效应晶体管，涉及半导体技术领域。屏蔽栅场效应晶体管的制作方法包括：提供基底，基底包括第一表面和第二表面；在第一表面形成沟槽；在沟槽内形成场氧化层、绝缘隔离层和源极多晶硅层，场氧化层暴露出至...
    2026-03-05
  • 一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法
    一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法_复旦大学_202610050853.9
    本发明公开一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在碳化硅衬底上生长碳化硅外延，注入形成P‑well区；在P‑well区上形成第一阻挡层，注入形成P+区；去除第一阻挡层，形成环绕栅沟槽阵列...
    2026-03-05
  • 低损耗高电子迁移率晶体管射频开关
    低损耗高电子迁移率晶体管射频开关_清华大学_202511424708.4
    本发明公开了一种低损耗高电子迁移率晶体管射频开关，所述低损耗高电子迁移率晶体管射频开关包括：第一半导体层；第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层下方且与所述第一半导体层接触，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成二维电子气；...
    2026-03-05
  • 一种单栅双向导通GaN器件及其制备方法
    一种单栅双向导通GaN器件及其制备方法_智诚尚芯(安徽)半导体有限公司_202511580905.5
    本发明公开了一种单栅双向导通GaN器件及其制备方法，属于氮化镓器件技术领域，包括外延结构层，设于衬底层上，包括依次设置的缓冲层、沟道层和势垒层；p‑GaN栅，设于势垒层表面中部；结终端扩展(JTE)结构，对称式设于p‑GaN栅两侧；栅极，设...
    2026-03-05
  • 半导体结构、半导体器件及制备方法
    半导体结构、半导体器件及制备方法_上海新微半导体有限公司_202511692067.0
    本发明提供一种半导体结构、半导体器件以及制备方法，通过优化帽层结构，在高掺杂的第一帽层上形成低掺杂的第二帽层作为保护层，第二帽层作为保护层，一方面隔离了第一帽层与工艺溶液的接触，另一方面利用其高电阻特性降低了金属边缘的界面电场，从而显著减弱...
    2026-03-05
  • 一种GaN压力传感器制备方法及器件
    一种GaN压力传感器制备方法及器件_深圳争妍微电子有限公司_202511692684.0
    本发明公开了属于GaN压力传感器技术领域，具体为一种GaN压力传感器制备方法及器件，包括衬底，所述衬底上方设置有源极，所述源极上方设置有漏极，所述漏极与源极之间设置有栅极和沟道结构，所述沟道结构包括GaN层和AlGaN势垒层组成，所述源极由...
    2026-03-05
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