Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 存储器件及其制造方法
    存储器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411096504.8
    本公开提供了一种存储器件及其制造方法，该存储器件包括：均沿第一方向以及第二方向延伸并沿第三方向排布的第一半导体主体、第二半导体主体、第三半导体主体，以及沿第三方向延伸的第一导电线；第一半导体主体以及第二半导体主体位于第三半导体主体沿第三方向...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411111115.8
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。一种半导体器件的制备方法包括在衬底上沉积第一绝缘层，并刻蚀形成多个隔断墙；交替生长半导体层和牺牲层，形成堆叠结构；基于所述堆叠结构形成存储单元。本文涉及但不限于半导体器件技术领域，尤其涉及一种半导体器件...
    2026-03-05
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411233386.0
    一种半导体结构及其制造方法，包括一衬底以及多条字线，衬底包括一阵列区、围绕阵列区的周边区以及位于阵列区与周边区之间的虚拟区。阵列区具有多个主动区，且这些主动区之间以隔离结构分隔。虚拟区具有一虚拟图案。字线嵌入于衬底中，且各条字线沿第一方向延...
    2026-03-05
  • 存储器装置与其制造方法
    存储器装置与其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411838590.5
    一种存储器装置的制造方法，包括以下步骤：在基板中形成隔离结构以在基板中定义主动区；在隔离结构与主动区之间形成字元线结构，其中字元线结构包括字元线层及沿着字元线层的侧壁与底部且沿主动区的侧壁延伸的栅极介电层；形成覆盖字元线结构、隔离结构及主动...
    2026-03-05
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510715038.5
    一种半导体存储器装置包括：衬底；第一半导体图案和第二半导体图案，第一半导体图案和第二半导体图案在衬底上在第一水平方向上延伸，并且彼此间隔开，第一半导体图案包括沟道区、源极区和漏极区，沟道区、源极区和漏极区在第一水平方向上布置，并且沟道区介于...
    2026-03-05
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510980794.0
    制造半导体器件的方法可以包括：制备基底，吸附Si基生长抑制剂，以及选择性形成金属氧化物层。基底可以包括包含TiN的生长区和包含Si的非生长区。生长区和非生长区的表面可以被暴露。可以通过向基底供应Si基生长抑制剂，将Si基生长抑制剂吸附在非生...
    2026-03-05
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202511612552.2
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括：多个半导体柱；多个半导体柱沿第一方向和第二方向阵列排布；半导体柱沿第三方向延伸；半导体柱包括第一端部、第二端部和位于第一端部和第二端部之间的中间部；多条字线；字线沿第一方...
    2026-03-05
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202511612715.7
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括：半导体层，包括一体成型的第一端部、第二端部和位于第一端部和第二端部之间的中间部；在第一截面内，中间部的形状为环形；其中，第二端部包括第一延伸部和第二延伸部；第一延伸部沿第...
    2026-03-05
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202511615092.9
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括：半导体层，包括第一端部、第二端部和位于第一端部和第二端部之间的中间部；在与半导体层的延伸方向相交的第一截面内，中间部的形状为环形，且中间部的外侧轮廓的尺寸小于第一端部的外...
    2026-03-05
  • 电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器
    电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器_复旦大学_202511930960.2
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器。该电容器的制备方法，包括：在形成有晶体管和存储节点的衬底上形成停止层和绝缘成型层后进行刻蚀，形成暴露存储节点的支柱孔；沉积第一电极层，形成填充支柱孔的绝缘...
    2026-03-05
  • 非易失性存储器位单元及其制造方法、集成电路
    非易失性存储器位单元及其制造方法、集成电路_半导体元件工业有限责任公司_202411491719.X
    公开了一种非易失性存储器(NVM)位单元及其制造方法、集成电路。NVM位单元包括第一阱区和第二阱区。NVM位单元还包括在第一阱区和第二阱区之间的隔离沟槽。隔离沟槽具有大于第一阱区和第二阱区的阱深度的沟槽深度。NVM位单元还包括形成在第一阱区...
    2026-03-05
  • 半导体结构、形成方法、存储器、操作方法及存储系统
    半导体结构、形成方法、存储器、操作方法及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411111402.9
    本公开提供一种半导体结构、半导体结构形成方法、存储器、存储器操作方法及存储系统，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：包括堆叠结构和连接结构的存储单元阵列，堆叠结构包括堆叠的导电层，其中：存储单元阵列包括至少一个存储块组，存储块组包括至少一...
    2026-03-05
  • 存储器结构及其制造方法
    存储器结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411326632.7
    本发明提供一种存储器结构及其制造方法。上述存储器结构包括衬底、多个栅极堆叠结构、多个间隔件、多个保护层与多个接触件。多个栅极堆叠结构位于衬底上。多个间隔件位于多个栅极堆叠结构的侧壁上。多个保护层覆盖多个栅极堆叠结构与多个间隔件。多个接触件位...
    2026-03-05
  • 半导体器件阵列
    半导体器件阵列_杭州知存算力科技有限公司_202511691539.0
    本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件阵列。该半导体器件阵列，包括：多个支路，多个支路中的每个支路沿半导体器件阵列的行方向延伸，每个支路包括多个并联的半导体器件；多个源线，多个源线沿第一方向延伸与半导体器件的源极相连；多个字线，...
    2026-03-05
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202511535298.0
    本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：衬底；以及积层膜，包含交替设置在所述衬底上方的多层电极层及多层绝缘层。所述装置还具备：第1半导体层，设置在所述积层膜内；以及第2半导体层，在所述积层膜内设置在所述第1半导体...
    2026-03-05
  • 一种基于铁电相Mn2NO2的多铁赛道存储器件及其制备和使用方法
    一种基于铁电相Mn2NO2的多铁赛道存储器件及其制备和使用方法_西北有色金属研究院_202511782803.1
    本发明公开了一种基于铁电相Mn22NO22的多铁赛道存储器件，包括基底、铁电相Mn22NO22纳米片、写入电极、读取电极和信号解释器，本发明还公开了制备该存储器件的方法，将单层铁电相Mn22NO22纳米片后转移至基底之上并进行面内区域划分，...
    2026-03-05
  • 电阻式随机存取存储器与其形成方法
    电阻式随机存取存储器与其形成方法_联华电子股份有限公司_202411257062.0
    本发明提供一种电阻式随机存取存储器以及其形成方法，此电阻式随机存取存储器包括：第一电极；阻值转换层，位于所述第一电极上；第二电极，位于阻值转换层上；以及多个纳米颗粒，位于所述阻值转换层与所述第二电极间。
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510632342.3
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：可变电阻存储层，其中存储层包括磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的固定层、以及设置在自由层和固定层之间的隧道势垒层；以及设置在自由层的侧壁上的...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510632669.0
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种可以改善存储单元的选择器特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括多个存储单元。每个存储单元包括：存储层；以及选择器层，其形成在存储层之上或之下以选择存储层。选择器层包括非晶硅层，该非晶硅层具有...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511128260.1
    公开了一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，半导体器件具有改善的存储单元的选择器特性。半导体器件包括：多个存储单元，其中，存储单元中的每个存储单元包括：存储层；选择器层，该选择器层形成在存储层的上部或下部中，以选择存储层；以及缓冲层...
    2026-03-05
首页 上一页 9 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证