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最新专利技术
  • 一种封装协同设计的毫米波CMOS功率放大器
    一种封装协同设计的毫米波CMOS功率放大器_东南大学_202511626873.8
    本发明公开了一种封装协同设计的毫米波CMOS功率放大器，基板上设置有若干个放大器单元，每个放大器单元包括：第一放大组件，第二放大组件，用于接收毫米波射频信号并向后级提供经增益放大的信号。本发明提供的一种封装协同设计的毫米波CMOS功率放大器...
    2026-03-06
  • 功率放大器引脚兼容电路以及射频前端装置
    功率放大器引脚兼容电路以及射频前端装置_上海移远通信技术股份有限公司_202511655550.1
    本申请提供一种功率放大器引脚兼容电路以及射频前端装置，属于射频通信技术领域。其中，通用引脚兼容模块包括多条射频信号线，各射频信号线上预留有可贴片位置，通用引脚兼容模块的第一输入端接入高频段射频信号，通用引脚兼容模块的第二输入端接入中频段射频...
    2026-03-06
  • 一种音频功率放大电路、芯片及电子设备
    一种音频功率放大电路、芯片及电子设备_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511682632.5
    本申请提供一种音频功率放大电路、芯片及电子设备，该电路包括：电池电压检测电路、升压电路、频率检测电路及保护电路，升压电路包括电感；电池电压检测电路，用于对电池的输出电压进行检测，得到电池电压；升压电路，用于对电池的输出电压进行升压，得到供电...
    2026-03-06
  • 一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件
    一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件_合肥芯谷微电子股份有限公司_202610038502.6
    本发明提供一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件，涉及谐波抑制放大器技术领域，本发明通过引入多级功率放大器的级联设计，结合内匹配技术和高介电陶瓷及钼铜载片的创新应用，成功解决了增益提升、谐波抑制以及热管理等问题。该方案实现了小型化...
    2026-03-06
  • D类放大器的共模电压校正方法以及使用其的D类放大器
    D类放大器的共模电压校正方法以及使用其的D类放大器_新唐科技股份有限公司_202411339213.7
    本申请的较佳实施例关于一种D类放大器的共模电压校正方法以及使用其的D类放大器。此D类放大器的共模电压校正方法包括：提供一D类放大器，其中，此D类放大器的前级驱动电路与后级驱动电路使用不同的操作电压；在D类放大器的前级驱动电路的输入端与D类放...
    2026-03-06
  • 差动信号产生电路
    差动信号产生电路_新唐科技股份有限公司_202411644500.9
    本发明提供一种差动信号产生电路，包括一PMOS晶体管对、一电流调节电路、一第一电流控制电路、一NMOS晶体管对以及一第二电流控制电路。PMOS晶体管对提供第一电流至电流调节电路。第一电流控制电路并联PMOS晶体管对。当PMOS晶体管对不导通...
    2026-03-06
  • 接收前端放大器、信号放大方法及网络设备
    接收前端放大器、信号放大方法及网络设备_深圳市中兴微电子技术有限公司_202610038507.9
    本发明实施例提供了一种接收前端放大器、信号放大方法及网络设备。该接收前端放大器，包括：一个电流模式逻辑单元，用于根据接收前端放大器本地产生的参考电压，将第一单端输入信号转化为差分信号；一个负电容单元，用于扩展所述差分信号的带宽；一个转换单元...
    2026-03-06
  • 一种高精度增益控制电路
    一种高精度增益控制电路_江淮前沿技术协同创新中心_202511749557.X
    本发明属于集成电路设计技术领域，提供了一种高精度增益控制电路，包括可调衰减网络及分别设置于其输入、输出端且结构相同的两个可变增益放大器；可变增益放大器包括依次级联的第一可调耦合衰减匹配网络、可变增益晶体管网络和第二可调耦合衰减匹配网络；所述...
    2026-03-06
  • MEMS微机械谐振器的制备方法及MEMS微机械谐振器
    MEMS微机械谐振器的制备方法及MEMS微机械谐振器_广州增芯科技有限公司_202511688588.9
    本发明提供了一种MEMS微机械谐振器的制备方法及MEMS微机械谐振器，该方法通过在第一衬底表面形成图形化的氧化层，并在图形化的氧化层以及暴露的第一衬底表面形成金刚石层，然后在第一衬底中形成释放槽，通过释放槽将氧化层去除形成MEMS微机械谐振...
    2026-03-06
  • 异质集成滤波器制备方法及异质集成滤波器
    异质集成滤波器制备方法及异质集成滤波器_安徽安努奇科技有限公司_202511726228.3
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种异质集成滤波器制备方法及异质集成滤波器，方法包括：在基层衬底上沉积第一下电极以及第二下电极，第一下电极覆盖基层衬底上设置的凹陷结构；第二下电极的厚度大于第一下电极的厚度；在基层衬底上沉积压电层，压电层覆...
    2026-03-06
  • 一种基于卡尔曼滤波与自适应PID的晶振驯服系统
    一种基于卡尔曼滤波与自适应PID的晶振驯服系统_成都金诺信高科技有限公司_202511619720.0
    本发明公开了一种基于卡尔曼滤波与自适应PID的晶振驯服系统，涉及时频设备技术领域，包括：用于生成本地时间频率信号的晶振时频模块、用于接收外部参考时间频率信号的参考模块、用于测量本地时间频率信号与参考时间频率信号的相位偏差的误差测量模块、用于...
    2026-03-06
  • 一种小电流测量滤波装置及方法
    一种小电流测量滤波装置及方法_核工业西南物理研究院_202511651372.5
    本申请公开了一种小电流测量滤波装置及方法，装置包括用于测量回路电流的霍尔传感器、用于转换电流信号为电压信号的信号转换模块，以及定时选择滤波模块。该定时选择滤波模块的输入端连接信号转换模块，并内置有含滤波电路的滤波支路和不含滤波的直通支路；所...
    2026-03-06
  • 一种检测兆声换能器动态支路电流的阻抗匹配电路
    一种检测兆声换能器动态支路电流的阻抗匹配电路_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511740623.7
    本发明提供一种检测兆声换能器动态支路电流的阻抗匹配电路，包括：构建检测兆声换能器动态支路电流的阻抗匹配电路，包括半桥驱动电路、LC阻抗匹配网络以及兆声换能器等效电路模型；所述兆声换能器等效电路模型与所述的LC阻抗匹配电路连接，形成惠更斯电桥...
    2026-03-06
  • 具有高品质因数的压电驱动硅基微机电谐振器
    具有高品质因数的压电驱动硅基微机电谐振器_广州乐仪投资有限公司_202411074949.6
    本发明具有高品质因数的压电驱动硅基微机电谐振器，包括具有空腔的衬底硅层以及设置在所述衬底硅层上覆盖所述空腔的振动膜层，所述振动膜层从下至上依次包括底电极层、压电层和顶电极层，所述底电极层从下至上依次包括器件硅层、介质层和第一金属层，所述介质...
    2026-03-06
  • 一种体声波谐振器及其制备方法
    一种体声波谐振器及其制备方法_武汉敏声新技术有限公司_202511649140.6
    本申请公开一种体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该体声波谐振器，包括衬底，衬底上表面内凹形成空腔，衬底上依次设置有第一底电极、第二底电极、压电层以及上电极层，其中，第一底电极、第二底电极、压电层以及空腔在衬底上投影重叠的区域为有...
    2026-03-06
  • 一种高品质因数的金属类拱形石英谐振器及其制备方法
    一种高品质因数的金属类拱形石英谐振器及其制备方法_西安电子科技大学_202511610944.5
    本发明提供一种高品质因数的金属类拱形石英谐振器及其制备方法，涉及传感器技术领域。金属类拱形石英谐振器的结构由下至上依次为下金属电极层、下黏附层、石英基板、上黏附层、上金属电极层及金属类拱形结构；各层与金属类拱形结构的几何中心法线重合。金属类...
    2026-03-06
  • 一种单换能器-双波段AOTF器件的设计方法
    一种单换能器-双波段AOTF器件的设计方法_北京航空航天大学_202511691765.9
    声光可调谐滤波器(Acousto‑Optic Tunable Filter ‑AOTF)是一种电控可调谐的光谱分光器件。在复杂任务中单一波段信息往往不足以支撑决策，因此本发明提出了一种单换能器‑双波段声光可调谐滤波器设计方法，通过双波段波矢...
    2026-03-06
  • 一种声光可调谐滤波器内部声模式分布的分析方法
    一种声光可调谐滤波器内部声模式分布的分析方法_北京航空航天大学_202511694830.3
    声光可调谐滤波器(Acousto‑Optic Tunable Filter ‑AOTF)是一种电控可调谐光谱分光元件，其内部的声场分布影响着AOTF器件的衍射性能。现有的AOTF器件内声场分布主要认为声场只包含沿特定方向传播的具有单一波长的...
    2026-03-06
  • 一种高性能温度补偿声表面波滤波器及其制作方法
    一种高性能温度补偿声表面波滤波器及其制作方法_重庆胜普电子有限公司_202511621996.2
    本发明涉及电子元器件制备工艺领域，具体涉及一种高性能温度补偿声表面波滤波器及其制作方法，包括压电衬底；叉指换能器，所述叉指换能器位于所述压电衬底的一侧；过渡层，所述过渡层位于叉指换能器远离压电衬底的一侧，所述过渡层覆盖所述叉指换能器，阻挡叉...
    2026-03-06
  • 一种抑制声表面波滤波器杂波的发射叉指换能器结构
    一种抑制声表面波滤波器杂波的发射叉指换能器结构_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511818313.2
    本发明公开了一种抑制声表面波滤波器杂波的发射叉指换能器结构，在两根汇流条之间形成IDT图形，IDT图形由正电极对、负电极对交叉排列构成，每个电极对至少由2根相同极性的电极组成；每个电极包含相对设置的真指和假指，任一电极对内的所有真指和所有假...
    2026-03-06
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