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最新专利技术
  • 一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组
    一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组_广州市晶鑫光电科技有限公司_202511567039.6
    本发明公开了一种基于改进型铜基板线路的高密度大电流LED模组，其通过在灯珠底部新增与阳极和阴极无电性连接的第三焊盘，以及在铜基板上与第三焊盘对应的辅助电流通路，将传统的单条“车道”拓宽为多条“车道”，为电流提供了低阻通路显著提升了电流容量、...
    2026-02-13
  • 定位治具及显示模组的制备方法
    定位治具及显示模组的制备方法_惠州市艾比森光电有限公司_202511568735.9
    本发明提供了一种定位治具及显示模组的制备方法，定位治具用于显示模组的制备，该定位治具能够通过其内周侧壁与灯珠的外周侧壁紧配合，并能够其外周侧壁与面罩的罩孔侧壁紧配合，实现面罩位置的校正，以将灯板与面罩的定位误差控制在极小范围，从而精准锁定灯...
    2026-02-13
  • 一种LED封装结构及LED显示屏
    一种LED封装结构及LED显示屏_安徽芯源半导体有限公司_202511583153.8
    本发明公开了一种LED封装结构，包括：硅转接板、重布线层、多个LED芯片和封装胶体；硅转接板设有第一表面和第二表面；硅转接板设有硅通孔；硅通孔贯穿硅转接板；重布线层设于硅转接板的第一表面；重布线层通过焊球与硅通孔电连接；LED芯片设于重布线...
    2026-02-13
  • LED显示器件以及LED显示器件的制造方法
    LED显示器件以及LED显示器件的制造方法_苏州秋水半导体科技有限公司_202310890109.6
    本申请公开了LED显示器件以及LED显示器件的制造方法，该LED显示器件包括驱动基板、第一发光组件和第二发光组件；驱动基板包括多个第一像素供电电极和第二像素供电电极；第一发光组件包括第一发光层组、第一像素界定电极和第二像素界定电极，第一像素...
    2026-02-13
  • 显示装置及其制造方法
    显示装置及其制造方法_乐金显示有限公司_202510894951.6
    根据本说明书的一个实施方式的显示装置可以包括：包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域的基板；位于所述显示区域中的信号线；位于所述非显示区域中的测试焊盘；以及位于所述非显示区域中并且被配置为将所述测试焊盘和所述信号线进行电连接的连接线。所述测...
    2026-02-13
  • 显示面板的静电防护结构及应用其的显示面板和显示装置
    显示面板的静电防护结构及应用其的显示面板和显示装置_深超光电(深圳)有限公司_202511059267.2
    本发明公开一种显示面板的静电防护结构及应用其的显示面板和显示装置。所述显示面板包含基板、像素阵列、多条扫描线、多条数据线以及静电防护结构。静电防护结构设置在至少部分边框区域，并且包含堆叠排列的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层以及第二绝缘层...
    2026-02-13
  • 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
    显示面板、显示面板的制备方法及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202511597911.1
    本发明实施例公开了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。显示面板衬底、发光元件、多个触控电极、多个遮光结构以及滤光层。发光元件位于衬底的一侧。多个触控电极和多个遮光结构，沿衬底的厚度方向，触控电极与遮光结构至少部分交叠，且触控电极与遮...
    2026-02-13
  • 基于给体-受体-弹性体三元杂化网状自组装光敏有源层的全有机可拉伸宽波段光自适应-突触晶体管及其制备方法
    基于给体-受体-弹性体三元杂化网状自组装光敏有源层的全有机可拉伸宽波段光自适应-突触晶体管及其制备方法_中国科学院化学研究所_202411040898.5
    本发明提供一种基于给体‑受体‑弹性体三元杂化网状自组装光敏有源层的全有机可拉伸宽波段光自适应‑突触晶体管及其制备方法。其由底栅顶接触结构的全有机可拉伸光晶体管构筑而成，并通过相关聚合物的共混比例、预聚集形态以及自组装形貌优化杂化光敏有源层。...
    2026-02-13
  • CMOS集成电路及制备方法
    CMOS集成电路及制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511445323.6
    本公开提供了一种CMOS集成电路及其制备方法。该CMOS集成电路包括：N个晶体管层，N≥2，N个晶体管层在CMOS集成电路的垂直方向中设置成上下排布方式，N个晶体管层包括：一个第一晶体管层，位于CMOS集成电路的最下层，第一晶体管层中形成有...
    2026-02-13
  • 基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_杭州纤纳光电科技股份有限公司_202411044638.5
    本发明涉及一种基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，钙钛矿太阳能电池的结构包括由下往上的透明基底、透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和背电极层，在电子传输层及背电极层之间设置有复合空穴阻挡层，复合空穴阻挡层包括有机...
    2026-02-13
  • 一种小分子有机太阳能电池器件及基于外电场调控界面电子耦合优化其性能的方法
    一种小分子有机太阳能电池器件及基于外电场调控界面电子耦合优化其性能的方法_辽宁大学_202511612675.6
    本发明公开一种小分子有机太阳能电池器件及基于外电场调控界面电子耦合优化其性能的方法。小分子有机太阳能电池器件，包括活性层、电极和外电场施加装置；其中活性层由供体材料MTDATA和受体材料TmPyPB组成。通过在外电场强度范围为‑10×10‑...
    2026-02-13
  • 一种基于复合导电薄膜的光传感器
    一种基于复合导电薄膜的光传感器_安徽机电职业技术学院_202511619878.8
    本发明公开了一种基于复合导电薄膜的光传感器，属于光传感器技术领域，该传感器包括柔性基底、复合导电薄膜与封装层，复合导电薄膜集成电极与光活性层功能，由透明导电网络和光敏复合层结合而成；透明导电网络局部嵌入柔性基底且表面覆盖无机氧化物保护层，光...
    2026-02-13
  • 一种钙钛矿电池组件及其制备方法
    一种钙钛矿电池组件及其制备方法_国网甘肃省电力公司电力科学研究院_202511809537.7
    为克服现有钙钛矿电池存在紫外线诱导的稳定性问题，本发明提供了一种钙钛矿电池组件，包括依次层叠的透明导电层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属背电极层，所述钙钛矿吸光层包括ABX33型晶体以及包覆于所述ABX33型晶体表面的萘并吡喃类...
    2026-02-13
  • 一种光伏器件及其制备方法、光伏电池组件
    一种光伏器件及其制备方法、光伏电池组件_合肥京东方光能科技有限公司_202411004323.8
    本申请提供一种光伏器件及其制备方法、光伏电池组件，涉及光伏器件技术领域，所述光伏器件包括：基板；依次层叠设置在所述基板一侧的第一电极层、第一功能层、光电转换层以及第二功能层，所述第二功能层靠近所述基板设置；所述光伏器件包括第一开口，所述第一...
    2026-02-13
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511692165.4
    本申请涉及光伏发电技术领域，公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率和使用寿命。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的基底、第一载流子传输层、钙钛矿吸光层以及第二载流子传输层，所述钙钛矿吸光层由包含钙钛矿材料前驱...
    2026-02-13
  • 一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法_九江市柔烁光电科技有限公司_202511975561.8
    本发明提供一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述柔性钙钛矿太阳能电池包括增韧层和钙钛矿吸光层；所述增韧层的制备原料包括α‑硫辛酸；所述钙钛矿吸光层的制备原料包括钙钛矿前驱体材料和添加剂；所述添加剂包括α‑硫辛酸和其他含二硫键的小分子化合...
    2026-02-13
  • 基于铁电钙钛矿非简并双光子吸收的光电探测器及系统
    基于铁电钙钛矿非简并双光子吸收的光电探测器及系统_深圳大学_202511647373.2
    本发明涉及光电探测技术领域，具体涉及基于铁电钙钛矿非简并双光子吸收的光电探测器及系统。所述光电探测器，包括：基底层；位于所述基底层上的金属电极层；位于所述基底层上的光吸收层，由铁电钙钛矿薄膜构成；保护层，由六分氮化硼薄膜构成；所述金属电极层...
    2026-02-13
  • 修复层、钙钛矿太阳能电池、叠层电池和光伏组件
    修复层、钙钛矿太阳能电池、叠层电池和光伏组件_协鑫集成科技股份有限公司_202511460769.6
    本申请公开了修复层、钙钛矿太阳能电池、叠层电池和光伏组件。所述修复层包括聚合物基体和分散在所述聚合物基体中的复合体，所述聚合物基体含有羟基、伯胺基、仲胺基、动态硼酸酯键、二硫键、狄尔斯‑阿尔德环、亚胺键、超分子聚合物中的一种或多种，所述复合...
    2026-02-13
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511549562.6
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及钙钛矿太阳电池及制备方法、光伏组件。本申请公开了一种钙钛矿太阳电池，该钙钛矿太阳电池包括：电子传输层；设置在电子传输层上的第一氧化锡层，其氧空位含量为1.0×101919/cm33~1.0×102020/cm...
    2026-02-13
  • 一种提高顶衬结构薄膜太阳电池及其制备方法
    一种提高顶衬结构薄膜太阳电池及其制备方法_东莞理工学院_202511592777.6
    本发明公开了一种提高顶衬结构薄膜太阳电池及其制备方法，所述方法采用二硫化钼(MoS22)作为电子传输层替代传统的有毒硫化镉(CdS)缓冲层，并计通过调节Sb22(S, Se)33吸收层中的S/Se化学量比，优化MoS22/Sb22(S, S...
    2026-02-13
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