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最新专利技术
  • 一种高满阱图像传感器及其工作方法
    一种高满阱图像传感器及其工作方法_南京大学_202511458359.8
    本发明公开了一种高满阱图像传感器及其工作方法，属于图像传感器领域。该高满阱图像传感器包括至少一个图像传感器单元，单个图像传感器单元包括形成在同一衬底上的感光收集区、信号读取区和第一浅槽隔离结构，感光收集区为一浮栅电容器，包括电容器第一级介质...
    2026-02-16
  • CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元
    CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元_天津大学_202511576935.9
    本发明涉及互补金属氧化物半导体图像传感器，为提高电荷转移效率、实现图像传感器中电荷的双向转移，本发明，CMOS图像传感器中具有双向转移功能的像素单元，包括光电二极管、浮动式扩散层FD、氧化物组成的传输栅TG和电极，传输栅与电级相连；其中，载...
    2026-02-16
  • 一种光电探测成像集成芯片及其使用方法
    一种光电探测成像集成芯片及其使用方法_北京大学_202511587693.3
    本发明属于光电探测成像领域，提供了一种光电探测成像集成芯片及其使用方法，芯片包括：基板、发光二极管阵列、第一P型电极层、第一N型电极层、第一绝缘层、第一键合层、电极互连层、雪崩光电二极管阵列、第二P型电极层、第二N型电极层、第二绝缘层、第二...
    2026-02-16
  • 一种电池串供料装置及排版设备
    一种电池串供料装置及排版设备_无锡奥特维科技股份有限公司_202410965566.1
    本申请提供了一种电池串供料装置及排版设备，电池串供料装置包括串接部、串切刀、第一输送线、第一搬运机构、第二搬运机构和上料过渡部。第一输送线用于输送电池串，上料过渡部设置在第一输送线的上方，第一搬运机构设置在第一输送线和上料过渡部之间。第一搬...
    2026-02-16
  • 一种TBC电池及其制备方法
    一种TBC电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410966673.6
    本发明提供了一种TBC电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，TBC电池的制备方法包括获取硅片，并在硅片的第一表面依次沉积隧穿氧化层、第一掩膜层、第二掩膜层及第三掩膜层，去除第一表面的第一预设区域上的隧穿氧化层、第一掩膜层、第二掩膜层及第三掩...
    2026-02-16
  • 一种光伏焊带生产系统
    一种光伏焊带生产系统_宁波环绿智能电器有限公司_202411025370.0
    本申请的目的是提供一种光伏焊带生产系统，包括沿焊带牵引方向部署的退火设备、涂锡设备和绕线设备；其中，所述退火设备，包括退火机架和集成于所述退火机架的多路退火单元，所述多路退火单元中相邻退火单元的相邻中心距离小于或等于相邻距离阈值；所述涂锡设...
    2026-02-16
  • 一种TOPCon半片电池边缘钝化工艺及设备
    一种TOPCon半片电池边缘钝化工艺及设备_江苏龙恒新能源有限公司_202511397254.6
    本发明公开了一种TOPCon半片电池边缘钝化工艺及设备，属于钝化镀膜技术领域。包括钝化镀膜机、送料部和出料部，钝化镀膜机上连接有带有显示屏的控制器，送料部包括：送料架；多组送料辊轮，转动连接在送料架上，送料辊轮上转动连接有打磨轮；送料辊轮上...
    2026-02-16
  • 基于再生硅片模板的GaAs太阳能电池背表面光子结构及制备方法
    基于再生硅片模板的GaAs太阳能电池背表面光子结构及制备方法_华南理工大学_202511406341.3
    本发明属于太阳能电池技术领域，公开了基于再生硅片模板的GaAs太阳能电池背表面光子结构及制备方法。方法：1)将再生硅片通过臭氧氧化处理；在再生硅片的微米级绒面形成氧化层；2)将经过处理的硅片倾斜，然后进行几何约束刻蚀，在硅片的微米级绒面表面...
    2026-02-16
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_浙江晶盛光子科技有限公司_202511432555.8
    本发明涉及一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，其中制备方法包括：在硅基底的P型区域形成第一隧穿层和第一本征非晶硅层，在N型区域形成第二隧穿层和第二本征非晶硅层，在第一本征非晶硅层上沉积P型硅玻璃层，再在第二本征非晶硅层上形成N型硅玻璃层，对...
    2026-02-16
  • 一种延伸波长InGaAs材料表面亮痕表征与控制方法
    一种延伸波长InGaAs材料表面亮痕表征与控制方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511479503.6
    本发明公开了一种延伸波长InGaAs材料表面亮痕表征与控制方法。该方法旨在解决在分子束外延(MBE)生长过程中，延伸波长InGaAs材料(截止波长1.7‑2.6 μm)出现的表面亮痕问题，并提出了一系列综合表征与控制策略。该策略涵盖主要包括...
    2026-02-16
  • 一种电池片及其印刷工艺、印刷产线和光伏组件
    一种电池片及其印刷工艺、印刷产线和光伏组件_东方日升新能源股份有限公司_202511495942.6
    本申请属于太阳能电池技术领域，提供一种电池片及其印刷工艺、印刷产线和光伏组件。电池片印刷工艺包括：提供电池片；对所述电池片进行印刷，包括：采用第一印刷方法对所述电池片进行印刷，生成第一栅线；采用第二印刷方法对所述电池片进行印刷，生成第二栅线...
    2026-02-16
  • 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511553528.6
    本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括：在硅基体第一主表面第二掺杂区和隔离区形成保护层；在第一掺杂区形成包含第一掺杂原子的发射极，在发射极外侧形成第一掺杂硅玻璃层，保护层形成掺杂保护...
    2026-02-16
  • 一种硅异质结电池、制备方法及光伏组件
    一种硅异质结电池、制备方法及光伏组件_华能沾化新能源有限公司_202511572702.1
    本发明提供的一种硅异质结电池、制备方法及光伏组件，包括以下步骤：在真空条件下，将预处理后的衬底进行加热，得到加热后的衬底；在加热后的衬底的正面采用化学沉积法依次生长本征非晶硅钝化层、n型掺杂的氢化微晶硅氧、透明氧化物导电膜和金属电极；在加热...
    2026-02-16
  • 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511602320.9
    本申请实施例涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。太阳能电池的制备方法，包括：提供基底；所述基底具有相背设置的第一表面和第二表面；在所述基底的第一表面和第二表面中的至少一侧形成钝化层；在常温条件下，采用第一波长的光束进行第一光处理；所述...
    2026-02-16
  • 一种太阳能电池片及其制备方法、叠层电池及光伏组件
    一种太阳能电池片及其制备方法、叠层电池及光伏组件_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511605261.0
    本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种太阳能电池片及其制备方法和该电池片组装成的光伏组件；该方法包括以下步骤：缺陷点激光预钝化：采用激光冷处理技术对太阳能电池片切片的切割面的缺陷点进行预钝化，形成超薄氧化层；常规钝化：采用ALD技术对所述切...
    2026-02-16
  • 一种太阳能电池组件用并联的单腔层压机
    一种太阳能电池组件用并联的单腔层压机_江苏长荣绿能科技有限公司_202511617631.2
    本发明属于太阳能电池片技术领域，具体为一种太阳能电池组件用并联的单腔层压机，包括传输平台，传输平台放置于地面，传输平台设置为两组，两组传输平台之间设有单腔机构，单腔机构设置为若干组，若干组单腔机构可并联放置，单腔机构的内壁四周安装有位置调节...
    2026-02-16
  • 一种太阳能硅片油墨封边系统
    一种太阳能硅片油墨封边系统_佛山千隽能源科技有限公司_202511618924.2
    本申请涉及太阳能硅片封边技术领域，具体提供了一种太阳能硅片油墨封边系统，其包括：抓取组件；取液盘；浸涂盘；油墨暂存结构，设置在浸涂盘上方，具有与太阳能硅片侧边匹配的油墨暂存凹槽，其与浸涂盘之间设有第一压缩弹簧；升降组件，与浸涂盘连接；控制器...
    2026-02-16
  • 一种TOPCon-0BB组件焊带-导电胶同步固化连接系统
    一种TOPCon-0BB组件焊带-导电胶同步固化连接系统_唐山海泰新能科技股份有限公司_202511636678.3
    本发明属于光伏组件固化连接技术领域，具体公开提供的一种TOPCon‑0BB组件焊带‑导电胶同步固化连接系统，本发明通过分阶段的梯度升温工艺，避免了一次性高温焊接工艺对热敏感的TOPCon电池所造成的巨大热冲击和内部应力，提升了组件的机械可靠...
    2026-02-16
  • 一种基于梯度退火的TOPCon太阳能电池及其制备方法
    一种基于梯度退火的TOPCon太阳能电池及其制备方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511647975.8
    本发明公开了一种基于梯度退火的TOPCon太阳能电池及其制备方法，涉及电池生产技术领域，包括对已形成隧穿氧化层的硅基衬底执行三阶段梯度退火工艺，包括：在H22与N22混合氛围中，将硅基衬底加热至400~450℃，填补隧穿氧化层中的悬键；采用...
    2026-02-16
  • 铜栅线制作方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池
    铜栅线制作方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池_通威太阳能(成都)有限公司_202511696023.5
    本发明公开了一种铜栅线制作方法、太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。先在硅片的表面涂布氧化锌乳胶并烘干以形成胶膜层，再在胶膜层上激光打印出预设栅线图形并曝光以形成感光部，然后对感光部进行化学沉铜以形成铜栅线。本发明提...
    2026-02-16
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