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最新专利技术
  • 逻辑运算元件、逻辑器件、NOT逻辑器件、可切换NOT逻辑器件、XOR逻辑器件、AND逻辑器件、OR逻辑器件以及半加器
    逻辑运算元件、逻辑器件、NOT逻辑器件、可切换NOT逻辑器件、XOR逻辑器件、AND逻辑器件、OR逻辑器件以及半加器_国立研究开发法人科学技术振兴机构_202480044057.3
    逻辑运算元件(1A)具有供电子自旋波传播的一维细线构造(10)、以及沿着一维细线构造(10)的一部分的栅极电极(20A)。逻辑运算元件(1A)的逻辑输入是在一维细线构造(10)中传播之前的电子自旋波的相位状态。逻辑运算元件(1A)的逻辑输出...
    2026-01-31
  • 具有集成的第一类型子晶胞和第二类型子晶胞的半导体器件
    具有集成的第一类型子晶胞和第二类型子晶胞的半导体器件_华为数字能源技术有限公司_202380099532.2
    本发明涉及一种半导体器件(100)，包括：管芯层(110)，包括顶表面和与所述顶表面相对的底表面；所述管芯层(110)形成横跨所述管芯层(110)的所述顶表面并排布置的多个单位晶胞(120)，其中，每个单位晶胞(120)包括集成在所述单位晶...
    2026-01-31
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480043170.X
    本发明提供一种在电位彼此不同的端子隔着绝缘层配置的情况下能够确保端子间的绝缘性的半导体装置。半导体装置具备：第一端子(5)；第二端子(3)，其局部与第一端子(5)相对，在不与第一端子(5)相对的另一局部设置有第一开口部(34a、34b)；以...
    2026-01-31
  • 具有垂直堆叠的管芯和电压转换器的封装架构
    具有垂直堆叠的管芯和电压转换器的封装架构_英特尔公司_202480042784.6
    微电子组件的实施例可以包括第一集成电路(IC)管芯和第二IC管芯，第一IC管芯具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、与第一表面和第二表面正交的第三表面，第一IC管芯包括衬底和金属化堆叠体，金属化堆叠体具有平行于第一表面和第二表面的界面，衬...
    2026-01-31
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480041524.7
    提供一种半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，第一晶体管包括第一栅极、隔着第一晶体管的沟道形成区域与第一栅极相对的第二栅极、第一源极及第一漏极，第二晶体管包括第三栅极、第二源极及第二漏极，第三晶体管包括第四栅极、第...
    2026-01-31
  • 氮化物半导体装置及其制造方法
    氮化物半导体装置及其制造方法_新唐科技日本株式会社_202480041996.2
    一种氮化物半导体装置(1)，具备有源元件(10)与无源元件(20)，具备：在平面视图中被区分为有源区(101)与无源区(102)的氮化物半导体层(120)；以及在所述无源区(102)与所述氮化物半导体层(120)相接触的金属层(150)。所...
    2026-01-31
  • III-N双栅器件
    III-N双栅器件_蒙德无线公司_202380099417.5
    III‑N双栅器件和制造III‑N双栅器件的方法。示例半导体器件包括III‑N背势垒、在III‑N背势垒之上的III‑N沟道层、以及在III‑N沟道层中的二维电子气(2DEG)沟道。该半导体器件包括源极触点和漏极触点，并且在源极触点和漏极触...
    2026-01-31
  • 阵列基板及其制作方法、显示面板
    阵列基板及其制作方法、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202480000913.5
    本公开提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板包括：衬底和第一多晶硅薄膜晶体管。第一多晶硅薄膜晶体管位于衬底之上。第一多晶硅薄膜晶体管的沟道内包括多个晶粒。第一多晶硅薄膜晶体管的沟道内，晶粒沿第一方向的长度大于沿第二方向的长度；第...
    2026-01-31
  • 具有玻璃基板的不对称光伏模块
    具有玻璃基板的不对称光伏模块_康宁股份有限公司_202480041607.6
    本文中提供光伏模块的各种方面，包含：外部玻璃层；内部玻璃层；PV结构，其安置在所述外部玻璃层上；以及具有定制厚度和定制弹性模数的聚合封装物，其安置在所述PV结构上方以及所述内部玻璃层与所述外部玻璃层之间，其中外部玻璃层比所述内部玻璃层薄至少...
    2026-01-31
  • 半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法
    半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法_同和电子科技有限公司_202480043824.9
    本发明提供兼顾静电容量和暗电流的值并且击穿电压大的半导体受光元件及半导体受光元件的制造方法。本发明的半导体受光元件的特征在于具有：n型InP基板、n型InP基板上的缓冲层、缓冲层上的n型InGaAs光吸收层、以及n型InGaAs光吸收层上的...
    2026-01-31
  • 摄像装置
    摄像装置_索尼半导体解决方案公司_202480042188.8
    [问题]提供一种能够实现合适的子像素结构的摄像装置。[解决方案]根据本公开的摄像装置包括多个像素单元。所述多个像素单元中的各者包括多个第一像素和多个第二像素。所述多个第一像素中的各者包括具有第一面积的滤色器区域。所述多个第二像素中的各者包括...
    2026-01-31
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480042982.2
    一种光检测装置，其包括：多个像素组，包括第一像素和第二像素；像素内隔离区域和像素间隔离区域。所述第一像素包括：第一光电转换区域；第一遮光部，其包括第一边缘；以及第一开口，其设置在所述第一遮光部的所述第一边缘与所述像素内隔离区域的一部分和所述...
    2026-01-31
  • 具有设计用于减少载流子复合的电池架构的太阳能电池
    具有设计用于减少载流子复合的电池架构的太阳能电池_迈可晟太阳能有限公司_202480043058.6
    公开了一种太阳能电池。所述太阳能电池包含基底、形成在所述基底的背面上的电介质层以及在所述电介质层上的具有第一极性的多个非邻接沉积发射区。所述太阳能电池还包括：所述电介质层上的具有第二极性的至少一个沉积发射区，所述至少一个沉积发射区与所述多个...
    2026-01-31
  • 用于半导体部件的半导体结构
    用于半导体部件的半导体结构_AMS-欧司朗国际有限公司_202480042555.4
    提出一种用于半导体部件的半导体结构(1)，其中半导体结构(1)包括第一n型掺杂半导体层(4)，该第一n型掺杂半导体层具有n型掺杂(cnn)，该n型掺杂由第一n型掺杂剂的第一掺杂剂浓度(cAA)和第二n型掺杂剂的第二掺杂剂浓度(cBB)组成，...
    2026-01-31
  • 具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装的结构
    具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装的结构_科锐LED公司_202380096086.X
    公开了包括发光二极管(LED)的固态照明装置，并且更具体地公开了具有多个LED芯片的LED封装的结构。LED封装结构包括以下中的一者或多者的布置：具有用于LED芯片的多个腔体的主体结构、具有与多个腔体配准的透镜的包封体、以及至少部分地位于主...
    2026-01-31
  • 紫外线辐射源以及确定改善紫外线辐射源视觉外观所需荧光材料必要剂量的方法
    紫外线辐射源以及确定改善紫外线辐射源视觉外观所需荧光材料必要剂量的方法_FLOWIL国际照明(控股)有限公司_202380099526.7
    紫外线辐射源(2)，特别是LED发射器或LED装置，包括至少一个LED元件(4)，其主带隙辐射的波长小于或等于380nm，以及一个优选的半透明基底(6)，所述至少一个LED元件(4)设置在所述半透明基底(6)上；其中，所述至少一个LED元件...
    2026-01-31
  • 发光装置和照明装置
    发光装置和照明装置_沃思电子埃索斯有限责任两合公司_202480038852.1
    本发明提供一种发光装置(1)，具有：至少一个LED芯片(3)，所述至少一个LED芯片用于产生具有初级光谱的初级光(P)；和至少一个转换元件(Kii)，所述至少一个转换元件用于将所述初级光(P)转换为具有与所述初级光谱不同的次级光谱的次级光(...
    2026-01-31
  • 背板焊盘
    背板焊盘_维耶尔公司_202480043287.8
    本发明公开了将选定的一组微装置从供体衬底转移到受体/系统衬底。本发明进一步公开了将微装置集成到系统衬底(或背板)中的短路挑战，通过提供一种用于将倒装芯片装置集成到背板中来将焊盘短路的风险最小化的新颖方法和设备。本发明进一步公开了一种用于在将...
    2026-01-31
  • 照明装置
    照明装置_昕诺飞控股有限公司_202480042592.5
    照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。M‑LED包括具有第一表面区域SA1的管芯，该第一表面区域SA1具有至多(100)微米的最大空间范围SE1。N‑LED包括具有第二表面区域SA2的管芯，该第二表...
    2026-01-31
  • 照明装置
    照明装置_昕诺飞控股有限公司_202480043023.2
    照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。每个M‑LED包括具有第一表面积SA1的管芯，该第一表面积SA1具有至多100微米的最大空间范围SE1。N‑LED被布置在载体上，每个N‑LED包括具有第二表面...
    2026-01-31
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