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一种耐磨抗腐蚀金属风罩及其和制作方法
本发明属于金属防护结构及表面工程技术领域,尤其涉及一种耐磨抗腐蚀金属风罩的制作方法。风罩由经氮气等离子体协同改性的钢基材料、N‑苯基乙烯酰胺、耐热稳定剂、抗氧化剂、固化剂、增韧剂及表面活性剂复合制得。通过氮气等离子体、乙炔气、氧化钇与γ‑氨...
用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法,该溅射镀膜设备包括沿载板传输方向依次设置的进片腔室、至少一个远程等离子体处理腔室、进片隔离腔室、进片缓冲腔室、至少一个镀膜腔室、出片缓冲腔室、出片...
一种黑膜及其制备方法、光学器件
本发明公开一种黑膜及其制备方法、光学器件,涉及光学技术领域,该方法包括:在第一基材上涂覆混合胶水形成胶水层,其中,所述混合胶水包括至少两种材料,且每种材料在第一溶剂中的溶解能力不同;将形成有所述胶水层的第一基材浸泡在所述第一溶剂中,以选择性...
一种碳化钨薄膜的制备方法
本申请公开了一种碳化钨薄膜的制备方法,可用于半导体领域,该碳化钨薄膜的制备方法中,首先,向辅助离子源通入惰性气体以对样品进行预清洗,向溅射离子源通入惰性气体以对靶材表面进行预清洗;而后,向溅射离子源通入惰性气体,形成溅射离子束;向辅助离子源...
一种用于CFRP/Ti叠层材料钻削加工的梯度复合涂层及其制备方法
本发明公开了一种用于CFRP/Ti叠层材料钻削加工的梯度复合涂层及其制备方法,包括沉积于刀具基体上的梯度复合涂层,所述梯度复合涂层由基体侧朝向所述梯度复合涂层表面依次包含有TiAlN基础层、TiAlN/CrN周期复合层、CrN连接层和DLC...
一种AlTiVCrMoWN高熵氮化物涂层及其制备方法和应用
本发明涉及表面工程及切削刀具技术领域,公开了一种AlTiVCrMoWN高熵氮化物涂层及其制备方法和应用。所述AlTiVCrMoWN高熵氮化物涂层中各元素的原子百分比含量为:Al 20.0at.%‑30.0at.%、Ti 1.0at.%‑5....
一种具有高光学品质因数的熵稳定材料及其制备方法
本发明属于功能薄膜材料技术领域,具体涉及一种具有高光学品质因数的熵稳定材料及其制备方法。针对现有技术在中红外波段因材料强轨道杂化难以形成高对称性晶系,导致相变材料存在低折射率对比度与低消光系数之间难以兼顾的问题,本发明提出一种轻元素与重元素...
一种在硬质基体表面制备形状记忆合金涂层的方法及刀具
本发明公开了一种在硬质基体表面制备形状记忆合金涂层的方法及刀具,涉及到表面改性技术领域。本发明通过磁控溅射形成非晶态沉积,获得了高致密、高硬度的形状记忆合金涂层,解决了现有刀具硬度不足的问题;其次,通过控制真空度等退火参数,形成可控晶化,使...
导电件、导电组件及薄膜沉积设备
本发明实施例提供一种导电件、导电组件及薄膜沉积设备,涉及半导体技术领域。导电件包括第一连接部、第二连接部和拐弯结构;拐弯结构连接在第一连接部和第二连接部之间,第一连接部用于与移动件固定连接,第二连接部用于固定件固定连接。拐弯结构具有多个可变...
一种公转换靶的真空镀膜机靶台组件
本发明涉及一种公转换靶的真空镀膜机靶台组件,包括,法兰基座、双磁流体、公转驱动机构、自转驱动机构、限位机构、多靶位靶台机构和靶台支撑杆,双磁流体包括磁流体外壳、公转轴和自转轴,多靶位靶台机构包括靶台固定座、公转靶轴管和自转靶轴,靶台固定座通...
一种用于半导体晶片的真空镀膜装置
本发明公开了一种用于半导体晶片的真空镀膜装置,涉及半导体晶片技术领域,包括:镀膜单元,包括罐体、设置于罐体底部的支撑部、设置于罐体内部的加热件,以及设置于罐体内部的导向件;真空单元,包括设置于支撑部上的真空组件;在固定组件利用挤压和回弹作用...
一种基板调整装置及蒸镀机
本申请涉及蒸镀技术领域,本申请提供一种基板调整装置及蒸镀机,基板调整装置包括支撑组件、微动平台、升降机构和第二升降杆,支撑组件包括承托架和设于承托架上的承托板,承托板用于承托基板,微动平台用于微调基板的位置,升降机构包括第一升降杆与连杆机构...
电子束镀膜设备
本公开提供了一种电子束镀膜设备,属于PVD镀膜领域。该电子束镀膜设备,其包括上料腔室、工艺腔室、过渡腔室和伞架流转机构;上料腔室用于容纳并定位携带晶圆的伞架;工艺腔室用于在真空条件下对晶圆进行镀膜处理;过渡腔室设置于上料腔室与工艺腔室之间,...
薄膜制备方法及半导体工艺设备
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种薄膜制备方法及半导体工艺设备。薄膜制备方法包括:通气步,向工艺腔室内通入第一工艺气体;轰击步,离化第一工艺气体以产生等离子体轰击靶材,并控制电磁铁工作以在工艺腔室内产生动态磁场;沉积步,靶材被轰击...
使用脉冲偏压的悬垂部减少
本公开内容的多个实施方式涉及通过减少沉积膜的悬垂部来扩大基板特征结构的开口宽度的方法。本公开内容的一些实施方式利用高能量偏压脉冲来蚀刻基板特征结构的开口附近的沉积膜。本公开内容的一些实施方式在不损坏下面的基板的情况下蚀刻沉积膜。
一种多腔室磁控溅射连续镀膜机
本发明公开了一种多腔室磁控溅射连续镀膜机,包括第一取料传输模组与第二取料传输模组,所述第二取料传输模组一端设置有限位组件,所述第一取料传输模组与第二取料传输模组底端均对称固定安装有支撑架,且两组支撑架中部固定安装有安装架;本发明通过转动电机...
一种用于真空磁控溅射镀膜机的工件转移装置
本发明公开了一种用于真空磁控溅射镀膜机的工件转移装置,包括箱体,所述箱体上固定连接有推把,所述箱体上设置有多工位夹持机构;所述多工位夹持机构包括气缸、驱动板和长推杆,所述气缸转动连接在箱体内,所述气缸的活动端转动连接有驱动杆,所述驱动杆的一...
一种冰裂花纹涂层的制备方法
本发明公开了一种冰裂花纹涂层的制备方法,涉及到材料表面处理的技术领域。一种冰裂花纹涂层的制备方法,先对基材进行预处理,然后置于150‑250℃的环境下进行沉积,形成底色层;再置于200‑300℃的环境下进行沉积,形成透明层;最后在(‑80)...
一种钼合金靶材及其制备方法和应用
本发明公开了一种钼合金靶材及其制备方法和应用。该钼合金靶材由钼和铬组成,以原子百分含量表示,铬的含量为5~20%,余量为钼和不可避免的杂质。将两种原料和纳米炭进行混料或球磨处理,得到混合粉末原料;将所得混合粉末原料装入石墨或碳纤维模具,置入...
一种氧溶质梯度非晶态高熵合金氧化涂层的制备方法
一种氧溶质梯度非晶态高熵合金氧化涂层的制备方法,包括以下步骤:通过磁控溅射方式在基体的表面沉积高熵合金涂层后,冷却至室温;将含有高熵合金涂层的基体放入氧化炉中,在空气氛围下进行热氧化后,并随炉冷却至室温,以得到AlCrYTiZrO高熵氧化涂...
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