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最新专利技术
  • 一种半导体晶圆承载用石英舟
    一种半导体晶圆承载用石英舟_辽宁汉京半导体材料有限公司_202511660312.X
    本发明公开了一种半导体晶圆承载用石英舟，涉及石英舟技术领域，包括石英舟组件，石英舟组件包括多组石英横梁，每组石英横梁包括至少两个石英横梁，每组石英横梁呈圆弧形排布，每个石英横梁上均开设有多个用于放置晶圆的凹槽，同一组石英横梁上的凹槽的宽度相...
    2026-01-27
  • 一种便于定位的晶圆搬运装置及其使用方法
    一种便于定位的晶圆搬运装置及其使用方法_上海轩森自动化设备有限公司_202511295575.5
    本发明公开了一种便于定位的晶圆搬运装置及其使用方法，涉及晶圆加工领域，包括安装架与传送带机构，所述安装架的顶部安装有晶圆搬运机构，所述传送带机构的顶部转动设置有固定台，所述固定台的顶部活动设置有活动台，所述传送带机构的固定架顶部活动设置有平...
    2026-01-27
  • 一种微波芯片晶圆传送载具紧固装置
    一种微波芯片晶圆传送载具紧固装置_合肥芯谷微电子股份有限公司_202511656683.0
    本发明公开了一种微波芯片晶圆传送载具紧固装置，涉及芯片晶圆传送技术领域，旨在微波芯片晶圆传送载具紧固装置功能单一的技术问题，包括天车本体及晶圆盒体，晶圆盒体包括壳体、放置机构、摩擦机构和旋转机构。本发明通过设置放置机构，使得位于同一平面的若...
    2026-01-27
  • 一种精确定位的晶圆盒搬运设备
    一种精确定位的晶圆盒搬运设备_浙江赛瑾半导体科技有限公司_202511701271.4
    一种精确定位的晶圆盒搬运设备，其包括设备机架，放置工位，搬运机构。所述晶圆盒包括盒体，把手。所述设备机架包括工作台面，支架。每个所述放置工位均包括限位块，定位传感器，反射传感器，定位销。所述搬运机构包括固定板，水平移动机构，垂直移动机构，机...
    2026-01-27
  • 用于晶圆盒的上料装置及其上料方法
    用于晶圆盒的上料装置及其上料方法_江苏芯梦半导体设备有限公司_202511946975.8
    本申请涉及一种用于晶圆盒的上料装置及其上料方法。其中，上料装置包括框体设有运输口；转动驱动组件连接于框体靠近运输口位置处；翻转结构可转动连接于转动驱动组件，并位于运输口，翻转结构包括承载组件和锁定件，锁定件用以将晶圆盒锁定于承载组件，翻转结...
    2026-01-27
  • 平面定位台、以及定位方法
    平面定位台、以及定位方法_先进科技新加坡有限公司_202510971573.7
    本发明提供一种平面定位台以及定位方法。所述平面定位台包括：可被驱动以运动至平面上不同位置的集成平面运动台，以及包含在集成平面运动台内的平面夹具台。多个线圈组件安装在集成平面运动台上，用于与安装在平面夹具台上的磁体进行电磁相互作用。所述电磁相...
    2026-01-27
  • 一种多分片的调整机构
    一种多分片的调整机构_广东科隆威智能装备股份有限公司_202511611600.6
    本发明公开一种多分片的调整机构，包括调整组件和移动组件；调整组件包括调整底座，调整底座的下端安装有调整X向模组，调整X向模组的驱动端上沿着Y向分布有若干调整Y向模组，每个调整Y向模组的驱动端上均安装有一个调整T向模组，每个调整T向模组的驱动...
    2026-01-27
  • 一种可变扭力机械式晶圆夹持器
    一种可变扭力机械式晶圆夹持器_广东芯粤能半导体有限公司_202511224173.6
    本发明公开了一种可变扭力机械式晶圆夹持器，本发明涉及IC制造半导体硅晶圆搬运技术领域，包括第一夹爪，其包括第一手持端和第一夹持端，所述第一手持端和所述第一夹持端之间设置有铰链孔；第二夹爪，其包括第二手持端和第二夹持端，所述第二手持端和所述第...
    2026-01-27
  • 一种集成电路芯片封装装置
    一种集成电路芯片封装装置_山东贞明半导体技术有限公司_202511922921.8
    一种集成电路芯片封装装置，涉及芯片封装技术领域，包括固定台，固定台上方转动设有旋转U型架，旋转U型架内底部设有加工避让槽，并且其四周均滑动设有定位板，定位板厚度不大于基板厚度，固定台顶部竖向升降设有支撑台，支撑台顶部结构与加工避让槽随形设置...
    2026-01-27
  • 一种晶圆高精度对准机构
    一种晶圆高精度对准机构_三河建华高科有限责任公司_202511559161.9
    本发明公开了一种晶圆高精度对准机构，涉及半导体制造及封装技术领域，包括机壳，以及一体式固定连接在机壳后侧上部的立箱，立箱前侧上部中心固定连接有悬臂，所述悬臂和机壳上壁之间设置有用于对晶圆进行光学探测的探测机构，机壳上壁开设有圆形的活动孔，活...
    2026-01-27
  • 一种晶圆吸盘及其加工方法
    一种晶圆吸盘及其加工方法_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511685713.0
    本发明提供了一种晶圆吸盘的加工方法以及一种晶圆吸盘。晶圆吸盘的加工方法包括以下步骤：获取待加工的晶圆吸盘表面的面型数据，并据此确定对所述晶圆吸盘表面的至少一个第一位置的目标加工量；根据所述至少一个第一位置的目标加工量，对所述晶圆吸盘的表面进...
    2026-01-27
  • 一种可变直径的晶圆吸盘装置
    一种可变直径的晶圆吸盘装置_盛吉盛精密装备(上海)有限公司_202511938965.X
    本发明公开了一种可变直径的晶圆吸盘装置，属于半导体制造设备技术领域。该装置包括机架、吸盘调节机构和边缘检测机构。吸盘调节机构设于机架上，其核心在于包括旋转电机、由旋转电机驱动水平旋转的转动盘、高度调节机构以及吸盘组件。旋转电机固定于机架底部...
    2026-01-27
  • 一种电极沉积角度的测量方法及系统
    一种电极沉积角度的测量方法及系统_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511421031.9
    本申请公开了一种电极沉积角度的测量方法及系统，涉及半导体、芯片技术，包括：通过光刻在衬底的表面制备具有深宽比结构的标识以及无深宽比结构的图案；去除显影后光刻胶底膜，测量光刻胶厚度；制备金属电极；去除光刻胶，仅保留孔底金属并测量金属厚度；计算...
    2026-01-27
  • 一种用于红外探测器芯片的监测方法
    一种用于红外探测器芯片的监测方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511421044.6
    本申请公开了一种用于红外探测器芯片的监测方法，涉及红外探测器、半导体技术，包括：在刻蚀制备红外探测器芯片光敏芯片的台面结构过程中，在光敏芯片区域之外的区域刻蚀监控结构；测量所刻蚀的光敏芯片区域的台面结构以及各深沟槽结构在不同线宽处的刻蚀深度...
    2026-01-27
  • 沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置
    沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置_芯联集成电路制造股份有限公司_202511513278.3
    本发明提供了一种沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置，通过两个第一沟槽接触结构，在第一连线方向上施加检测电流；通过两个第二沟槽接触结构，在第二连线方向上获取检测电压；并能够根据获取的所述检测电压推算沟槽底部的留膜厚度，从而能够快速...
    2026-01-27
  • 快速热退火方法
    快速热退火方法_杭州富芯半导体有限公司_202511566028.6
    本申请公开了一种快速热退火方法，快速热退火腔室内放置晶圆，所述快速热退火腔室内设置多个加热区域，所述快速热退火腔室内设置有用于分别加热所述多个加热区域的多个加热装置，所述方法包括：对所述快速热退火腔室进行预热；提供开环功率对所述晶圆进行加热...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件多层互连结构制备方法
    一种半导体器件多层互连结构制备方法_上犹县宇平电子科技有限公司_202511537771.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件多层互连结构制备方法，包括：步骤1：提供具有下层互连结构的半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底表面沉积复合阻挡层；步骤3：在所述复合阻挡层上沉积铜种子层；步骤4：在所述铜种子层上电镀铜；步...
    2026-01-27
  • 通孔的制造方法
    通孔的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202410931703.X
    本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：在底层结构的表面上形成第一介质层。对第一介质层进行图形化刻蚀形成通孔开口。形成第一金属层。进行第一次金属CMP将通孔开口外表面上的第一金属层去除，通孔开口中的第一金属层的顶部表面位于第一介质层的顶部表面...
    2026-01-27
  • 一种堆叠结构及其制备方法
    一种堆叠结构及其制备方法_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511557000.6
    本发明公开了一种堆叠结构及其制备方法。堆叠结构，包括：晶圆和N个功能集成片，N取大于1的整数；所述晶圆表面包括互连区；所述N个功能集成片固定于所述互连区，并通过所述互连区实现所述功能集成片之间的互连。通过本申请提供了一种突破了中介层尺寸的限...
    2026-01-27
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511935769.7
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成虚拟栅极以及包围虚拟栅极侧壁的第一层间介质层，去除虚拟栅极，在第一层间介质层内形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层；在第一沟槽内形成第一金属层；去除部分厚度的第一...
    2026-01-27
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