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最新专利技术
  • 半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法
    半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法_富芯晶圆制造(深圳)有限公司_202511764848.6
    本发明涉及一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，涉及半导体材料制备技术领域，该半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长腔室、设置在生长腔室上部的籽晶固定结构以及设置在生长腔室下部的原料容纳区，还包括排气阻隔部，排气阻隔部设置在原料容纳区中，排气...
    2026-03-25
  • 一种高温束源炉真空内坩埚的位置调整机构
    一种高温束源炉真空内坩埚的位置调整机构_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511416679.7
    本发明属于MBE分子束外延设备技术领域，具体地说是一种高温束源炉真空内坩埚的位置调整机构，壳体的一端通过法兰与源炉腔体密封连接，驱动螺杆转动安装于壳体另一端的内部，驱动螺杆的一端与联轴器相连、另一端与连接杆的一端在壳体内螺纹连接，连接杆的另...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅外延生长设备
    一种碳化硅外延生长设备_河北普兴电子科技股份有限公司_202511576094.1
    本发明提供一种碳化硅外延生长设备，涉及碳化硅外延技术领域。本发明通过设置两个托盘，不同掺杂类型生长时，采用不同的托盘，避免托盘交叉使用，避免掺杂交叉污染。两独立的暂存腔分别存放不同的托盘，避免托盘存放时的交叉污染。两次不同掺杂类型的碳化硅外...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用
    一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用_季华实验室_202511898350.9
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种碳化硅厚膜及其外延生长方法和应用，碳化硅厚膜的外延生长方法包括以下步骤：以第一生长速率在衬底的第一面生长至第一厚度；进行第一原位退火；以第二生长速率继续生长至目标厚度；进行第二原位退火。本发明在目标碳...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅外延生长系统
    一种碳化硅外延生长系统_河北普兴电子科技股份有限公司_202511549089.1
    本发明提供一种碳化硅外延生长系统，涉及碳化硅外延技术领域。该系统包括承片盘、掺杂检测模块、分区进气模块和掺杂控制模块；承片盘用于承载碳化硅晶圆；掺杂检测模块实时采集晶圆边缘与晶圆中心外延层的掺杂浓度；分区进气模块包括边缘进气通道与中心进气通...
    2026-03-25
  • 用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法
    用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法_江苏汉印机电科技股份有限公司_202511280701.X
    本发明公开了用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法，本发明涉及薄膜材料生长技术领域，解决了功率调节未设置超限保护，可能引发石墨基座热变形；且功率与气体流量调节不同步，无法协同抵消温度偏差导致的C/Si比失衡的技术问题，本发明通过创新采用...
    2026-03-25
  • 一种分子束外延生长温度的升温控制方法
    一种分子束外延生长温度的升温控制方法_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511521803.6
    本发明提供一种分子束外延生长温度的升温控制方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：根据预先获得的满功率升温时的过冲比与热电偶温度变化量之间的对应关系，计算第一目标温度T2, 12, 1，满功率将衬底温度从T11升温至T2, 12, 1；选...
    2026-03-25
  • 一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用
    一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用_清华大学深圳国际研究生院_202511381015.1
    本发明公开了一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用，属于二维半导体材料制备技术领域。一种制备二维应变超晶格材料的方法：S1.将单晶氧化铝衬底先在空气氛围下进行热处理后再在硫蒸汽氛围下进行热处理获得具有硫钝化的表面结构；S2.将过渡金属元素...
    2026-03-25
  • 一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用
    一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用_清华大学深圳国际研究生院_202511400818.7
    本发明公开了一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用。涉及二维半导体材料领域。二维菱方相二硫化钼材料的制备方法，包括以下步骤：以硫源和钼源为原料，在表面具有周期性凹形结构的M面蓝宝石衬底上进行化学气相沉积反应；上述周期性凹形结构的M面蓝...
    2026-03-25
  • 碳化钽涂层及其制备方法
    碳化钽涂层及其制备方法_湖南金博碳基材料研究院有限公司_202511443592.9
    本申请涉及一种碳化钽涂层及其制备方法。该方法包括如下步骤：在酸性条件下，采用过氧化氢对基板进行处理，以在所述基板表面接枝含氧官能团，制备第一预处理基板；将金属盐溶液转移至所述第一预处理基板表面，干燥后进行焙烧处理，以在所述第一预处理基板表面...
    2026-03-25
  • 基于(-310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法
    基于(-310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法_南京大学_202511528630.0
    本发明公开了一种基于(‑310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法，其步骤包括：(1)将(‑310)面Ga22O33单晶薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛下进行部分氮化或全部氮化，以在Ga22O33单晶薄膜表面形成多孔半极性GaN层；...
    2026-03-25
  • 一种低翘曲外延片结构及其制备方法
    一种低翘曲外延片结构及其制备方法_南京百识电子科技有限公司_202511913098.4
    本申请公开了一种低翘曲外延片结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本申请于垂直式CVD反应腔中，通过自下而上在衬底上依次沉积堆叠形成第一缓冲层、阻障层、第二缓冲层以及外延漂移层，制得了一种低翘曲外延片结构。通过控制原料气体种类、衬底偏角...
    2026-03-25
  • 一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法
    一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法_绍兴晶彩科技有限公司_202511617240.0
    一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及高纯半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本发明的方法：采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶...
    2026-03-25
  • 一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法
    一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法_绍兴晶彩科技有限公司_202511617241.5
    一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本方法：一、采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶和粘合剂；二...
    2026-03-25
  • 通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料
    通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料_六号元素技术有限公司_202511470671.9
    本申请公开了一种通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料。该材料包含通过二次离子质谱法(SIMS)测量的至少3 ppm的总氮浓度；和低的光学双折射，使得 : 在具有至少1.3 mm×1.3 mm面积的该单晶CVD金刚石材料的样品中，并且使用在1...
    2026-03-25
  • 一种光伏拉制硅单晶液口距自动放置的方法及装置
    一种光伏拉制硅单晶液口距自动放置的方法及装置_包头美科硅能源有限公司_202511494809.9
    本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体涉及一种光伏拉制硅单晶液口距自动放置的方法及装置, 其方法包括以下步骤：用CCD相机系统拍摄并获取导流筒下沿图像及导流筒下沿倒影图像；通过CCD相机系统自动识别导流筒下沿倒影，根据导流筒位置以及所需的液口距...
    2026-03-25
  • 降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒
    降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511506542.0
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒，方法包括在单晶硅棒拉制完成后，基于冷却时长内，按预定速率降低功率，逐步降低加热器功率使单晶硅棒冷却，使单晶硅棒在冷却过程中缓慢释放热应力，从而降低...
    2026-03-25
  • 热场调节装置、单晶炉和热场调节方法
    热场调节装置、单晶炉和热场调节方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511856243.X
    本发明提供一种热场调节装置、单晶炉和热场调节方法，热场调节装置应用于单晶炉，单晶炉包括炉体，炉体内设置导流筒，导流筒的中心被设置为晶棒提拉区域，热场调节装置设置于导流筒的内侧壁和晶棒提拉区域之间，热场调节装置包括：沿着导流筒的径向方向层叠设...
    2026-03-25
  • Zr-Ru-Si基三元超导单晶材料及其制备方法和应用、终端产品
    Zr-Ru-Si基三元超导单晶材料及其制备方法和应用、终端产品_滨州魏桥国科高等技术研究院_202511524329.2
    本申请涉及超导单晶材料技术领域，公开一种Zr‑Ru‑Si基三元超导单晶材料，化学通式为ZrxxRuyySizz，其中x=1.8～2.2，y=2.5～3.5，z=3.5～4.5。该超导单晶材料属于典型的三元过渡金属硅化物体系，引入了Si元素参...
    2026-03-25
  • 一种中红外三波长激光晶体材料及其制备方法、应用
    一种中红外三波长激光晶体材料及其制备方法、应用_中国科学院福建物质结构研究所_202511339515.9
    本申请公开了一种中红外三波长激光晶体材料及其制备方法、应用，属于无机功能晶体材料领域。所述中红外三波长激光晶体材料的化学式为KDyYGdF1010。并采用布里奇曼法生长出该晶体。该激光晶体材料具有超宽带吸收和发射性能，在1277nm泵浦下能...
    2026-03-25
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