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最新专利技术
  • 基于薄膜铌酸锂的片上差分平衡探测器芯片及其制备方法
    基于薄膜铌酸锂的片上差分平衡探测器芯片及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202410908708.0
    本公开提供了一种基于薄膜铌酸锂的片上差分平衡探测器芯片及其制备方法，该芯片包括：薄膜铌酸锂层；键合层，设置于薄膜铌酸锂层的上表面；探测器外延层，设于键合层的上表面的预定区域，预定区域的面积小于键合层的面积。该芯片通过在薄膜铌酸锂层上键合探测...
    2026-01-25
  • 一种双极性圆偏振光电探测器
    一种双极性圆偏振光电探测器_苏州大学_202511842590.7
    本申请公开一种双极性圆偏振光电探测器，涉及光电探测技术领域。双极性圆偏振光电探测器包括衬底、光敏层、光栅阵列和介质层，光栅阵列包括周期性排布的多个光栅组件，光栅组件设置成嵌于光敏层内且表面齐平，每个光栅组件包括第一阵列和第二阵列，第一阵列的...
    2026-01-25
  • 间隙膜及光伏组件
    间隙膜及光伏组件_天合光能股份有限公司_202511796558.X
    本申请涉及一种间隙膜及光伏组件，该间隙膜包括基材层、第一反光结构和第二反光结构，基材层包括相对的第一表面和第二表面；第一反光结构设于第一表面；第一反光结构包括沿第一方向间隔设置的多个第一反光斜面，第一反光斜面与第一表面之间的距离沿第一方向逐...
    2026-01-25
  • 一种传感器、电子设备及传感器的制备方法
    一种传感器、电子设备及传感器的制备方法_杭州海康微影传感科技有限公司_202410871578.8
    本发明提供一种传感器、电子设备及传感器的制备方法，涉及光电子器件领域，旨在低成本的制备传感器。传感器包括探测器和第一基底，探测器包括衬底、光敏膜和电极组。光敏膜设置在衬底的一侧，衬底的透光率大于或等于设定透光率，电极组设置在光敏膜远离衬底的...
    2026-01-25
  • 一种光电转换器内部器件装载支撑体
    一种光电转换器内部器件装载支撑体_常州凌虹光科技有限公司_202511458039.2
    本发明用于光电转换器技术领域，具体公开了一种光电转换器内部器件装载支撑体，包括下框架，所述下框架为镂空的方形框结构，所述下框架的上方设置有上框架，所述上框架为镂空的方形框结构，所述下框架和上框架构成的双层结构实现对一号基板和二号基板的安装承...
    2026-01-25
  • 硅片和处理方法及其应用的钙钛矿电池
    硅片和处理方法及其应用的钙钛矿电池_天合光能股份有限公司_202511532459.0
    本申请属于光伏技术领域，并提供了一种硅片和处理方法及其应用的钙钛矿电池，硅片包括：多个山峰结构，多个山峰结构位于硅片表面，山峰结构包括峰顶区和坡度区，多个山峰结构呈周期性排布；平台区域，位于硅片表面上多个山峰结构之外的位置；其中，硅片表面具...
    2026-01-25
  • 一种太阳能电池及光伏组件
    一种太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511580225.3
    本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括沿第一方向相对设置的第一面和第二面，以及连接第一面和第二面的侧面；侧面靠近第一面的部位设有多个第一纹理区，每个第一纹理区朝向第二面延伸，多个第一纹理区在第二方向上间隔设置；侧面靠近第二面的...
    2026-01-25
  • 一种LED生产用智能化固晶装置
    一种LED生产用智能化固晶装置_江西蓝科半导体有限公司_202511441958.9
    本发明公开了一种LED生产用智能化固晶装置，包括底座，所述底座两侧固定有纵滑轨，所述纵滑轨间滑动设置有横滑轨，所述横滑轨中滑动设置有滑板，所述滑板两侧分别滑动设置有第一连接臂和第二连接臂，所述第一连接臂纵向排列有多个吸嘴，所述第二连接臂纵向...
    2026-01-25
  • 核壳改性-智能响应协同的LED光源及其制作工艺
    核壳改性-智能响应协同的LED光源及其制作工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511474241.4
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种核壳改性‑智能响应协同的LED光源及其制作工艺，制作工艺包括步骤S100：纳米核壳改性NSF荧光粉制备；S200：LED晶片功能化预处理；S300：核壳改性NSF层制备；S400：梯度阻隔绿粉层制备；S...
    2026-01-25
  • 一种蓝绿光LED外延片的电压修复方法
    一种蓝绿光LED外延片的电压修复方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511548329.6
    本发明公开了一种蓝绿光LED外延片的电压修复方法，针对已生长完毕且被判定为电压高不合格的外延片，通过一个精准设计的“升温‑保护性退火‑补偿层再生长”的工艺组合，针对性地补偿空穴效率或降低接触电阻，从而将废品修复为合格品。本发明无需改动现有主...
    2026-01-25
  • 用于LED Mini芯片的分选方法、设备及系统
    用于LED Mini芯片的分选方法、设备及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511549613.5
    本发明公开了一种用于LED Mini芯片的分选方法、设备及系统，涉及芯片分选技术领域，所述方法包括：对目标晶圆中的晶粒进行分选处理，以将所述晶粒分选至目标蓝膜上；识别所述目标蓝膜中的固晶空洞；对所述固晶空洞进行标记以获取所述固晶空洞的空洞信...
    2026-01-25
  • 一种LED芯片及其制作方法、生长衬底
    一种LED芯片及其制作方法、生长衬底_厦门乾照光电股份有限公司_202511392019.X
    本申请提供一种LED芯片及其制作方法、生长衬底，LED芯片包括衬底、外延叠层、第一电极和第二电极；衬底的一侧设有若干图形，图形包括凸起或凹槽；外延叠层，外延叠层生长于衬底设有图形的一侧，并在凸起的顶部或凹槽的底部形成高位错愈合区；外延叠层包...
    2026-01-25
  • 一种双钙钛矿超晶格结构白光LED及其制备方法
    一种双钙钛矿超晶格结构白光LED及其制备方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511422235.4
    本发明公开了一种双钙钛矿超晶格结构白光LED及其制备方法，从下至上依次包括衬底与空穴传输层、底电极、有源层、电子传输层、顶电极；所述衬底与空穴传输层为重掺杂P型金刚石薄膜，所述底电极和顶电极均为Ti/Au复合电极；所述有源层为Cs22NaI...
    2026-01-25
  • 改善DBR氧化的发光二极管及其制备方法
    改善DBR氧化的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511265847.7
    本公开提供了一种改善DBR氧化的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型层、有源层和p型层；所述n型层包括n型DBR层，所述n型DBR层包括交替层叠的多个GaAs层和多个GaAsP层。本公开实施例能改善...
    2026-01-25
  • 一种发光二极管外延结构和发光二极管
    一种发光二极管外延结构和发光二极管_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511482363.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管外延结构和发光二极管。发光二极管外延结构包括均掺杂有Al元素的第一P型半导体层、第二P型半导体层、第三P型半导体层和第四P型半导体层。其中各个Al元素含量a、b、c、c’和d满足以下...
    2026-01-25
  • 一种MicroLED结构、制作方法及显示面板
    一种MicroLED结构、制作方法及显示面板_盐城鸿石智能科技有限公司_202511376396.4
    本发明涉及显示芯片技术领域，公开了一种MicroLED结构、制作方法及显示面板，发光台面，发光台面包含N‑GaN层、发光量子阱层、P‑GaN层、钝化层，N‑GaN层、发光量子阱层、P‑GaN层从上到下依次排布，钝化层环绕发光台面分布并部分与...
    2026-01-25
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511522041.1
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括发光区台面以及围绕发光区台面设置的隔离台面，发光区台面的外边缘与隔离台面的内边缘之间的最小距离为第一间距；隔离台面的内边缘具有第一弧状拐角，发光区台面的外边缘具有第二弧状拐角，第一弧状拐角...
    2026-01-25
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511851221.4
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，发光二极管包括半导体叠层和钝化层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有第一台面、高于第一台面的第二台面和上下两端分别连接第二台面和第一台面...
    2026-01-25
  • 一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法
    一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法_北京大学_202511814438.8
    本发明公开了一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。本发明的复合p型接触结构包括超薄插入层和薄接触层；采用厚度减薄且组分增加的p型的薄接触层，极大削弱了对紫外光的吸收，降低器件发光在p型一侧...
    2026-01-25
  • 带有光提取结构的LED及其制备方法
    带有光提取结构的LED及其制备方法_香港中文大学(深圳)_202511325101.0
    本发明提供一种带有光提取结构的LED及其制备方法，通过优化芯片结构设计和制备工艺，在降低成本的同时显著提升光提取效率。所述LED包括：光辐射单元，所述光辐射单元设置在透明衬底表面；所述光辐射单元具有梯形的剖面结构，且所述光辐射单元的侧面和顶...
    2026-01-25
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