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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510154548.X
    一种半导体装置可包括基底绝缘层、在基底绝缘层的下绝缘图案上延伸的半导体图案、堆叠在半导体图案上的多个沟道层、围绕所述多个沟道层的栅极结构、在栅极结构的相对侧和半导体图案上的源极/漏极区域、包括连接到源极/漏极区域的接触区域的背侧接触结构、以...
    2026-01-20
  • 一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427894.7
    本申请公开了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件包括：半导体本体，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽包括沟槽侧部、沟槽槽角部和沟槽底部，沟槽槽角部连接沟槽...
    2026-01-20
  • 含复合栅介质结构的抗单粒子栅穿VDMOS器件及其制备方法
    含复合栅介质结构的抗单粒子栅穿VDMOS器件及其制备方法_贵州振华风光半导体股份有限公司_202511385919.1
    本发明公开了一种含复合栅介质结构的抗单粒子栅穿VDMOS器件及其制备方法，该复合栅介质结构是一种SiO2/高K介质/Si3N4的三明治栅结构：底层薄SiO2保证界面质量，中间高K介质大幅降低栅极电场强度，顶层富硅Si3N4作为电荷陷阱缓冲层...
    2026-01-20
  • 半导体器件及半导体器件的终端结构的制备方法
    半导体器件及半导体器件的终端结构的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511507762.5
    本申请提供了一种半导体器件及半导体器件的终端结构的制备方法。半导体器件包括有源区和位于有源区外围的终端结构，终端结构包括：半导体基区，半导体基区具有第一表面；半导体层，半导体层位于第一表面上，在第一方向上半导体层具有相对的第一端面和第二端面...
    2026-01-20
  • 半导体器件及其制备方法、芯片及电子设备
    半导体器件及其制备方法、芯片及电子设备_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511539314.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：衬底；沿所述衬底的第一侧，形成在所述衬底中的第一掺杂类型阱区，形成在所述第一掺杂类型阱区中的应力区和第二掺杂类型源区，形成在所述应力区中的第二掺杂类...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511608014.6
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；漂移区，位于衬底中；体区，位于漂移区一侧的衬底中；沟道栅极部，位于体区及部分漂移区的顶部；源极，位于沟道栅极部一侧的体区中，且体区露出源极的顶面；漏极，位于沟道栅极部另一侧的漂移区中，漏极与沟道栅...
    2026-01-20
  • 一种3C/4H-SiC异质结隧穿场效应晶体管器件及其制造方法
    一种3C/4H-SiC异质结隧穿场效应晶体管器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511346240.1
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其是涉及一种具有优异第三象限特性的3C/4H‑SiC异质结隧穿场效应晶体管器件及其制造方法，包括4H‑SiC衬底；4H‑SiC漂移区，所述4H‑SiC漂移区设置在所述4H‑SiC衬底的上方；浅沟槽栅极结构...
    2026-01-20
  • 一种抗单粒子烧毁的超结VDMOS器件及制备方法
    一种抗单粒子烧毁的超结VDMOS器件及制备方法_贵州振华风光半导体股份有限公司_202511388878.1
    本发明提供了一种抗单粒子烧毁的超结VDMOS器件及制备方法，包括在超结VDMOS器件P柱下方的N‑漂移区设有阻挡区；阻挡区包括靠近P柱的第一埋氧层、远离P柱的第二埋氧层以及基于第一埋氧层和第二埋氧层形成的叠层界面，第二埋氧层的热导率高于第一...
    2026-01-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202511492126.X
    本发明提供半导体器件及其制造方法，漂移区设置为沿高度方向的分层结构，以及在漂移区内形成深沟槽并在深沟槽内自深沟槽的内壁逐层外延生长多层外延层，每层外延层呃掺杂类型与漂移区相反，并使各子漂移层从下到上呈第一浓度分布，使各外延层自深沟槽的内壁向...
    2026-01-20
  • 一种常关型的栅控结型场效应晶体管
    一种常关型的栅控结型场效应晶体管_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511821310.4
    本申请提供一种常关型的栅控结型场效应晶体管，包括JFET结构，JFET结构包括：第二掺杂类型的宽禁带半导体的JFET基底区；在JFET基底区相背的两侧形成各自第一掺杂类型的栅区，JFET基底区位于两个栅区之间的部分作为沟道区，两个栅区和沟道...
    2026-01-20
  • 半导体装置及其制造方法以及电子设备
    半导体装置及其制造方法以及电子设备_三垦电气株式会社_202510781371.6
    本发明提供半导体装置及其制造方法以及电子设备，抑制了导通电阻的上升，并抑制了雪崩击穿。实施方式的半导体装置(100)具有：N型漂移区域(10)；N型漂移区域(10)之上的P型基极区域(41)；P型基极区域(41)之上的N型源极区域(42)；...
    2026-01-20
  • 氮化物半导体装置及其制造方法
    氮化物半导体装置及其制造方法_丰田合成株式会社_202510908392.X
    提供一种氮化物半导体装置，其能够在不进行高温的热处理的情况下减少半导体基板与背面电极之间的接触电阻来应对大电流化的要求。氮化物半导体装置(1)中依次层叠有背面电极(10)、半导体基板(20)、半导体层(30)和表面元件(40)。而且，在半导...
    2026-01-20
  • 半导体器件以及半导体器件的制备方法
    半导体器件以及半导体器件的制备方法_广州增芯科技有限公司_202511604864.9
    本发明提供了一种半导体器件以及半导体器件的制备方法，通过衬底包括从下往上依次层叠的底硅层、埋氧层以及顶硅层，衬底具有源区，在有源区中的顶硅层内具有漏区、以及沿第一方向位于漏区两侧的两个源区，衬底具有位于顶硅层内的两个终端区，并且，两个终端区...
    2026-01-20
  • 一种高鲁棒性的超结SiC MOSFET器件及制备方法
    一种高鲁棒性的超结SiC MOSFET器件及制备方法_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511742837.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开一种高鲁棒性的超结SiC MOSFET器件及制备方法，器件包括：金属漏极；位于所述金属漏极之上的N型SiC衬底；位于N型SiC衬底之上的N型SiC缓冲层；位于所述N型SiC缓冲层之上且由交替排列的P柱和...
    2026-01-20
  • 一种无牺牲层转移硅衬底上铝膜及原位氧化制备二维栅介质的方法及用途
    一种无牺牲层转移硅衬底上铝膜及原位氧化制备二维栅介质的方法及用途_南开大学_202511173785.7
    本发明公开了一种无牺牲层转移硅衬底上铝膜及原位氧化制备二维栅介质的方法及用途。首先，在商用硅衬底上温和沉积金属铝膜，随后沉积超薄金膜并旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/聚苯乙烯(PS)复合高分子薄膜。借助此结构，可在水中直接将难转移的铝膜完...
    2026-01-20
  • 一种芯片封装结构及芯片模组
    一种芯片封装结构及芯片模组_锐石创芯(重庆)微电子有限公司_202511459466.2
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体提供一种芯片封装结构及芯片模组。本发明的芯片封装结构包括基板、第一芯片装置、第二芯片装置以及填充料，基板设有具有至少两个开窗的第一承载结构，第一芯片装置与第二芯片装置分别通过凸块倒装在开窗内，填充料覆盖第一芯...
    2026-01-20
  • 一种GaN器件及其制备方法
    一种GaN器件及其制备方法_润新微电子(大连)有限公司_202511362393.5
    本发明涉及半导体领域，公开了一种GaN器件及其制备方法，GaN器件包括由引线框架基岛、基板、1个MOS芯片和多个并联的GaN芯片组成的封装结构，MOS芯片设置在基板上，基板和多个GaN芯片均设置在引线框架基岛上；MOS芯片的漏极设置在其背面...
    2026-01-20
  • 封装组件和车辆
    封装组件和车辆_深蓝汽车科技有限公司_202511267735.5
    本发明涉及车辆技术领域，具体涉及一种封装组件和车辆，提高了功率芯片的散热能力和功率处理性能。封装组件包括功率芯片和印刷电路PCB板。PCB板包括堆叠的、层间绝缘隔离的多个金属层。功率器件包括上桥栅极驱动回路、下桥栅极驱动回路以及分别嵌入到多...
    2026-01-20
  • 硅基板芯片系统
    硅基板芯片系统_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511382296.2
    本申请涉及一种硅基板芯片系统。上述系统包括：主控电源层；主控电源层包括主控模块和电源模块；主控模块和电源模块并排设置；接口层，设置于主控电源层的一侧，接口层包括至少一组主机接口模块，每个主机接口模块包括多个主机接口板；多组主机接口模块在第一...
    2026-01-20
  • 沟槽MOSFET器件及其制造方法
    沟槽MOSFET器件及其制造方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511708565.X
    本发明涉及一种沟槽MOSFET器件及其制造方法，所述沟槽MOSFET器件还包括由外延或掺杂工艺形成的夹断二极管。所述断二极管代替了现有技术中的肖特基二极管来解决器件开启电压高，反向恢复电荷(Qrr)大的问题。同时，还能在此基础上进一步降低工...
    2026-01-20
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