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最新专利技术
  • 一种应用于铷铯材料低杂质引入导料设备及工艺方法
    一种应用于铷铯材料低杂质引入导料设备及工艺方法_内蒙古紫倡国源新材料科技有限公司_202511423211.0
    本发明公开了一种应用于铷铯材料低杂质引入导料设备及工艺方法，包括：连接真空系统的导液腔室、中间罐和目标腔室，目标腔室用于放置目标罐，中间罐连接目标罐以及能够供给惰性气体的气源，中间罐的容积不小于目标罐；导液腔室上设有第一连接管和第二连接管，...
    2026-02-20
  • 高浓度NAOH充装系统
    高浓度NAOH充装系统_石杰集成系统工程(上海)有限公司_202511498130.7
    本发明涉及高浓度NAOH溶液储存技术领域，具体为高浓度NAOH充装系统，包括智能PLC系统控制箱，所述智能PLC系统控制箱的输出端电性连接有充装系统，所述智能PLC系统控制箱的输出端电性连接有储存系统，所述智能PLC系统控制箱的输出端电性连...
    2026-02-20
  • 一种万向节复合连接鹤管
    一种万向节复合连接鹤管_江苏菲诺机械设备有限公司_202511443648.0
    本发明属于鹤管技术领域，具体涉及一种万向节复合连接鹤管。本发明利用第一万向球套、第一万向球块构成第一万向节，利用锁定推杆将第一万向节中第一万向球块的位置锁定，利用第一转盘、第一外凸管、内芯管构成第一管件，利用第二转盘、外芯管、第二外凸管构成...
    2026-02-20
  • 一种振镜芯片、振镜芯片的制备方法以及激光雷达
    一种振镜芯片、振镜芯片的制备方法以及激光雷达_深圳市速腾聚创科技有限公司_202410865360.1
    本发明实施方式公开了一种振镜芯片、振镜芯片的制备方法以及激光雷达，振镜芯片包括芯片主体、引线、线圈、反射件以及磁体，芯片主体包括主体部、转动部以及连接臂，连接臂的两端分别连接主体部以及转动部，转动部可绕着连接臂而相对于主体部转动，其中，连接...
    2026-02-20
  • 无孔传感器封装结构、制备方法及电子设备
    无孔传感器封装结构、制备方法及电子设备_歌尔微电子股份有限公司_202410865200.7
    本申请公开了一种无孔传感器封装结构、制备方法及电子设备。该无孔传感器封装结构包括电路板、柔性支架、芯片组件及防水膜，所述柔性支架具有相背设置的第一表面和第二表面，且所述柔性支架开设有贯通所述第一表面和所述第二表面的通腔部；所述第一表面连接于...
    2026-02-20
  • 无孔传感器封装结构、制备方法及电子设备
    无孔传感器封装结构、制备方法及电子设备_歌尔微电子股份有限公司_202410870455.2
    本申请公开了一种无孔传感器封装结构、制备方法及电子设备。该无孔传感器封装结构包括电路板、芯片组件及防水膜，电路板具有第一表面，电路板自第一表面向其内部开设形成有容纳腔；容纳腔具有对应于第一表面设置的开口部；芯片组件的至少部分结构设置在容纳腔...
    2026-02-20
  • 晶圆封装结构及晶圆封装方法
    晶圆封装结构及晶圆封装方法_见闻录(浙江)半导体有限公司_202410948439.0
    本申请公开了一种晶圆封装结构及晶圆封装方法，该晶圆封装结构包括相对设置的盖帽和晶圆，晶圆上设置有器件结构，盖帽和晶圆之间设置有密封环，从而盖帽中的金属层和有机材料层、密封环以及晶圆围成一密封腔，使器件结构位于密封腔内，盖帽中的金属层包括彼此...
    2026-02-20
  • 一种超薄压力传感器的制作与分离工艺方法
    一种超薄压力传感器的制作与分离工艺方法_上海工程技术大学_202510026077.4
    本发明涉及微机电系统技术领域，具体为压力传感器的制作与分离工艺方法。本发明采用镂空结构设计，通过精确控制的深沟槽刻蚀和外延层填充，实现高灵敏度和低成本生产。该方法包括提供掺杂砷的硅衬底、干法刻蚀形成深沟槽、填充掺杂红磷的外延层、形成惠斯通电...
    2026-02-20
  • 一种图案化二氧化钛基微纳结构的平面摩擦打印制造方法
    一种图案化二氧化钛基微纳结构的平面摩擦打印制造方法_烟台先进材料与绿色制造山东省实验室_202510114292.X
    本发明提供了一种图案化二氧化钛基微纳结构的平面摩擦打印制造方法，属于微纳制造技术领域。本发明将改性纳米颗粒分散液置于制造端头与平面基体的接触界面处，控制制造端头进行往复滑动摩擦，在平面基体表面获得图案化二氧化钛基微纳结构；所述制造端头与平面...
    2026-02-20
  • 一种磁性材料图案化微纳结构的增材制造方法
    一种磁性材料图案化微纳结构的增材制造方法_烟台先进材料与绿色制造山东省实验室_202510118055.0
    本发明提供了一种磁性材料图案化微纳结构的增材制造方法，属于微纳制造技术领域。本发明以含有磁性纳米颗粒的油基分散液作为油墨材料，在机械力(压力和剪切力)与外部磁场的耦合作用下，磁性纳米颗粒在制造端头和平面基体相对运动的剪切界面处聚集，通过局部...
    2026-02-20
  • 铌酸锂/钽酸锂单晶空腔结构的键合封装方法及其应用
    铌酸锂/钽酸锂单晶空腔结构的键合封装方法及其应用_甬江实验室_202511189151.0
    本申请公开了一种铌酸锂/钽酸锂单晶空腔结构的键合封装方法及其应用，属于半导体键合封装技术领域。该方法包括：提供空腔结构层，空腔结构层一侧的表面开设有至少一个凹腔；提供载片，以及在载片一侧的表面制备键合胶层；所述空腔结构层与所述载片中的一者材...
    2026-02-20
  • 一种MEMS器件制备方法及MEMS器件
    一种MEMS器件制备方法及MEMS器件_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511274467.X
    本发明提供了一种MEMS器件制备方法及MEMS器件，MEMS器件制备方法包括：提供MEMS组件，MEMS组件包括第一晶圆以及位于第一晶圆上的第一金属键合层；在第一晶圆的靠近第一金属键合层的表面形成防粘结层；采用光照方式去除第一金属键合层表面...
    2026-02-20
  • 一种微热板结构背腔的刻蚀方法
    一种微热板结构背腔的刻蚀方法_山东产研微纳与智能制造研究院有限公司_202511391436.2
    本发明属于半导体制造领域，提供了一种微热板结构背腔的刻蚀方法，包括：取负载有支撑薄膜的晶圆，在所述支撑薄膜正面负载一层光刻胶，得到负载支撑薄膜‑光刻胶的晶圆；将所述负载支撑薄膜‑光刻胶的晶圆的背腔进行刻蚀，使晶圆剩余厚度为30μm‑50μm...
    2026-02-20
  • 一种用于PI上金属剥离的方法
    一种用于PI上金属剥离的方法_山东产研微纳与智能制造研究院有限公司_202511391443.2
    本发明属于MEMS制造领域，提供了一种用于PI上金属剥离的方法。本发明在进行PI旋涂固化之后，使用溅射沉积一层薄薄的铝金属(＜5nm)，光刻显影过程中，适当增加显影时间，以保证曝光区域的铝被碱性显影液腐蚀干净，或者使用铝腐蚀液进行腐蚀。本发...
    2026-02-20
  • 一种堆叠有高深宽比微结构的晶圆键合方法
    一种堆叠有高深宽比微结构的晶圆键合方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511469422.8
    本发明提供了一种堆叠有高深宽比微结构的晶圆键合方法，提供第一晶圆以及第二晶圆，所述第一晶圆或第二晶圆表面堆叠有高深宽比微结构，所述第一晶圆、第二晶圆键合前进行清洗及干燥处理，清洗及干燥处理包括：在常温下进行预清洗；对预清洗后的所述第一晶圆、...
    2026-02-20
  • 一种氢化锂储氢材料及其合成工艺
    一种氢化锂储氢材料及其合成工艺_兰州峻英新材料有限公司_202511759994.X
    本发明涉及氢化锂制备工艺技术领域，特别是涉及一种氢化锂储氢材料及其合成工艺，将高纯度金属锂切割清洗后在惰性气氛下烘干，将得到的高纯度金属锂颗粒放入蒸发装置中，惰性气氛下梯度加热得到锂蒸汽；向反应釜中加入活化后的催化剂，将锂蒸汽冷却后得到液态...
    2026-02-20
  • 一种基于微反应合成技术制备高纯高氯酸的方法
    一种基于微反应合成技术制备高纯高氯酸的方法_烟台远东精细化工有限公司_202511366555.2
    本发明提出的一种基于微反应合成技术制备高纯高氯酸的方法，具体步骤为：将氯酸加入到含有95%以上的CO2溶液中，使其还原为二氧反高氯酸；将Cl2O2加水调制成10‑20%的溶液，用1 : 1盐酸调控溶液的PH值为1‑2；将上述溶液和30%的过...
    2026-02-20
  • 医用臭氧发生装置
    医用臭氧发生装置_山东建钢医疗科技有限公司_202511576761.6
    本发明公开了医用臭氧发生装置，涉及到医疗设备技术领域，包括臭氧发生单元、控制单元和臭氧发生电源，控制单元控制臭氧发生电源用于向臭氧发生单元供电，臭氧发生单元由外循环水冷单元、气室组件以及内循环水冷单元组成，外循环水冷单元用于外循环系统降温，...
    2026-02-20
  • 一种钠介导的硫化锂制备方法
    一种钠介导的硫化锂制备方法_兰州大学_202511493397.7
    本发明公开了一种钠介导的硫化锂制备方法，具体包括制备乙醇钠的溶液，将乙醇和钠反应后的产物溶于有机溶剂；将氯化锂加入溶液中混合反应，离心得到乙醇锂溶液；将硫化氢气体通入溶液中，收集沉淀产物煅烧即可得到硫化锂。本发明中的硫化锂制备条件温和，反应...
    2026-02-20
  • 一种通过层界面诱导强化制备高纯度硫化锂的工艺
    一种通过层界面诱导强化制备高纯度硫化锂的工艺_中南林业科技大学_202511794864.X
    本发明提供一种通过层界面诱导强化制备高纯度硫化锂的工艺，包括：将氯化锂和硫化钠溶于N‑甲基吡咯烷酮中，搅拌形成均一的浆料；将所得浆料泵入装有二硫化钼催化剂层状模块的固定床反应器中，反应，得到悬浊液；将悬浊液控温结晶，过滤分离，得到氯化钠晶体...
    2026-02-20
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