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最新专利技术
  • 显示面板及其制备方法
    显示面板及其制备方法_合肥维信诺科技有限公司_202410816902.6
    本申请提供了一种显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域，降低了有机封装层和下方隔断结构膜层分离的风险。显示面板包括基板、隔断结构、发光器件、结合层和有机封装层；隔断结构位于基板一侧，隔断结构围合出隔离开口；发光器件的至少部分位于隔离开口内；...
    2026-01-02
  • 显示装置、头戴式显示装置和电子装置
    显示装置、头戴式显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510741857.7
    公开了一种显示装置、头戴式显示装置和电子装置。该显示装置包括：显示单元，包括在第一方向上发射光的第一表面和第二表面；以及光学单元，在第一表面上，其中，显示单元包括显示面板，显示面板包括：第一子像素、第二子像素和第三子像素；像素限定层，包括分...
    2026-01-02
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510805456.3
    提供了显示装置和电子装置。显示装置包括有机膜层、第一发光元件和第二发光元件，有机膜层具有包括第一倾斜表面和第二倾斜表面的多个倾斜表面，第一发光元件布置在第一倾斜表面上，第二发光元件布置在第二倾斜表面上。第一发光元件和第二发光元件发射相同颜色...
    2026-01-02
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510806536.0
    公开了一种显示装置和一种电子装置。显示装置可以包括：基体层，包括有机材料，其中，第一区域、连接到第一区域的弯折区域和连接到弯折区域的第二区域限定在基体层中；屏蔽层，在第一区域和第二区域中的每一者中设置在基体层上；基底，设置在屏蔽层上，基底包...
    2026-01-02
  • 显示装置和包括显示装置的电子装置
    显示装置和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202510842791.0
    本申请涉及显示装置和包括显示装置的电子装置。根据实施方式的显示装置可包括：第一基板，限定显示区域和非显示区域；显示组件，设置在第一基板上，并显示图像；第二基板，设置在显示组件上；填充层，设置在第一基板和第二基板之间；以及密封构件，位于第一基...
    2026-01-02
  • 显示装置
    显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511308142.9
    本申请实施例提供一种显示装置；该显示装置通过使背板包括第一部分和第二部分，第一部分与传感器对应设置，第一部分的模量小于第二部分的模量，第一部分的透过率大于第二部分的透过率，从而可以对背板在传感器的设置区域的部分进行图案化，提高背板在传感器的...
    2026-01-02
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511308169.8
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括衬底和至少一第一挡墙，第一挡墙位于非显示区，并且沿显示区的边缘设置，封装层设置于衬底和第一挡墙上，通过在第一挡墙的第一主体部上设置至少两个间隔排布的第一阻挡部，以利用第一阻挡部阻止有机封装层...
    2026-01-02
  • 三结叠层太阳能电池及其制备方法
    三结叠层太阳能电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511637348.6
    本发明属于太阳能电池技术领域，具体提供一种三结叠层电池及其制备方法，旨在解决现有的叠层电池的制备工艺复杂、制备所需时间长以及制备过程易对中带隙钙钛矿造成影响的问题。为此，本发明的三结叠层太阳能电池的制备方法包括以下步骤：(1)在衬底电池上制...
    2026-01-02
  • 一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池
    一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池_极电光能有限公司_202410811804.3
    本发明提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池，所述制备方法包括以下步骤：(a)在基底上制备卤化铅籽晶层，然后将掺杂CsX的卤化铅溶液沉积在所述卤化铅籽晶层上，退火后得到复合卤化铅薄膜；其中，X为卤素离子；(b)将有机胺盐沉积在所述...
    2026-01-02
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_莆田学院_202511552071.7
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法，具体技术方案为：一种钙钛矿吸光层的制备方法，包括以下步骤：a)在衬底上制备电子传输层；b)在电子传输层上涂覆三维钙钛矿前驱体溶液，经初步干燥形成三维钙钛矿中间相薄膜；c)在所...
    2026-01-02
  • 钙钛矿太阳能电池模组的制备方法
    钙钛矿太阳能电池模组的制备方法_厦门丰熤光电科技有限公司_202511214266.0
    本公开的提供了一种钙钛矿太阳能电池模组的制备方法，包括：对透明导电衬底进行P1划线，形成第一凹槽，以分割透明导电衬底；在形成有第一凹槽的透明导电衬底上形成空穴传输层；利用包含N‑叔丁基丙烯酰胺的钙钛矿前驱体溶液在空穴传输层上形成钙钛矿光吸收...
    2026-01-02
  • 低温溶液法制备稳定钙钛矿薄膜及其光电器件
    低温溶液法制备稳定钙钛矿薄膜及其光电器件_深圳大学_202511657781.6
    本发明公开了低温溶液法制备稳定钙钛矿薄膜的方法及其光电器件；该方法按照特定摩尔比配制甲脒铅碘溴三维钙钛矿前驱体溶液；然后添加苯乙铵碘化物形成二维/三维复合钙钛矿结构，并添加多功能添加剂包括聚乙烯吡咯烷酮、离子液体稳定剂、疏水封装剂、钝化剂等...
    2026-01-02
  • 一种改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法及其应用
    一种改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法及其应用_昆山工研院半导体显示研究院有限公司_202511330598.5
    本发明提供一种改善OLED器件阳极膜层粗糙度的方法及其应用。该方法包括以下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上依次沉积缓冲层、金属反射层、扩散阻挡层和透明导电层；其中，所述金属反射层采用高功率溅射工艺沉积，溅射功率为3500‑4000W；所述金属...
    2026-01-02
  • 一种用于低品位热能收集的高热功率热电池水凝胶及其制备方法
    一种用于低品位热能收集的高热功率热电池水凝胶及其制备方法_北京工业大学_202511278666.8
    本发明公开了一种用于低品位热能收集的高热功率热电池水凝胶及其制备方法，属于热能回收技术领域；通过选用聚丙烯酰胺水凝胶作为热电池水凝胶的基底，以便获得易于调控的水凝胶内部结构；通过使用较低浓度的交联剂与引发剂获得优秀的水凝胶拉伸性；通过使用铁...
    2026-01-02
  • 一种1-3型压电复合材料的制备方法
    一种1-3型压电复合材料的制备方法_北京大学_202511323818.1
    本发明涉及压电复合材料技术领域，尤其涉及一种柔性1‑3型压电复合材料的制备方法。本发明提供的制备方法，包括：提供带有阵列结构的模具；将液态柔性聚合物灌封到所述带有阵列结构的模具中后，依次进行固化和脱模，得到柔性聚合物基体，所述柔性聚合物基体...
    2026-01-02
  • 一种换能器及3-1型压电复合材料层的制备方法
    一种换能器及3-1型压电复合材料层的制备方法_北京大学_202511325090.6
    本发明公开一种换能器及3‑1型压电复合材料层的制备方法，涉及换能器技术领域，包括：壳体、3‑1型压电复合材料层、吸声支撑层以及防水透声层，3‑1型压电复合材料层包括三维连通的压电相和一维排列的聚合物材料，3‑1型压电复合材料层设置在所述壳体...
    2026-01-02
  • 一种3-1型压电复合材料制备方法、结构及测试方法
    一种3-1型压电复合材料制备方法、结构及测试方法_北京大学_202511325102.5
    本发明公开了一种3‑1型压电复合材料制备方法、结构及测试方法，包括以下步骤：在压电陶瓷晶片上切割灌注孔；将聚合物材料灌到所述灌注孔中；灌注完成后对所述灌注孔中的聚合物材料抽真空，排除所述灌注孔中的气泡；等待聚合物材料固化后得到压电复合材料，...
    2026-01-02
  • 超导量子芯片的处理方法、装置、设备、介质和程序产品
    超导量子芯片的处理方法、装置、设备、介质和程序产品_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202410756902.1
    本申请公开了一种超导量子芯片的处理方法、装置、设备、介质和程序产品，属于量子芯片制造领域。该超导量子芯片的处理方法能够用于改善芯片在制造完成后因其中的超导量子比特的室温电阻发生漂移而导致的老化。处理方法包括：获得待处理的超导量子比特的位置参...
    2026-01-02
  • 一种超导量子芯片倒装焊工艺、量子芯片、存储介质及电子设备
    一种超导量子芯片倒装焊工艺、量子芯片、存储介质及电子设备_量子科技长三角产业创新中心_202511251488.X
    本发明公开了一种超导量子芯片倒装焊工艺、量子芯片、存储介质及电子设备，工艺为提供含约瑟夫森结及非结区第一焊点阵列的第一衬底，对应第二衬底及第二焊点阵列；将两衬底倒装对接，使焊点匹配对准；对对准焊点局部退火及压焊。本发明通过激光微区退火技术对...
    2026-01-02
  • 芯片、芯片堆叠结构及制造方法
    芯片、芯片堆叠结构及制造方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511303631.5
    本申请公开了一种芯片、芯片堆叠结构及制造方法，涉及半导体技术领域。所述芯片包括衬底、布线层以及超导金属层；其中，所述衬底的表面形成有硬质凸点结构，所述布线层形成在所述衬底和所述硬质凸点结构的表面，所述超导金属层形成在所述布线层的表面，使得所...
    2026-01-02
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